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mos管和bjt的开关速度的问题

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  • TA的每日心情
    慵懒
    2022-1-21 15:20
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2022-12-15 13:39 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    我需要对输入的方波增大幅值,增大驱动能力。目前用的BJT工作于开关状态来作,但是觉得bjt的上升和下降时间太长了。请问是不是用MOS管来作会好些么,功率会增大么?谢谢- h' {7 b7 x3 h4 Y

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2022-12-15 14:14 | 只看该作者
    一般来说双极型晶体管的速度更快。耐压耐流性能更好!

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2022-12-15 14:51 | 只看该作者
    先说清楚你“输入的方波”频率多少,幅度多少,信号源阻抗,等等。然后把你的电原理图贴出来,注明使用器件型号和元件数值,负载是什么,才能够判断为何“上升和下降时间太长了”。
  • TA的每日心情
    奋斗
    2022-1-21 15:15
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    4#
    发表于 2022-12-15 14:59 | 只看该作者
    理论上,通常说的BJT的速度快,MOSFET寄生电容大,截止频率低,BJT是电流驱动器件,必须要有一定的输入电流才能工作,其输入电阻很小。
      @8 s( ]1 c0 X0 ^( f2 \+ GMOS管是电压控制,要考虑内阻
  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-29 15:04
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    5#
    发表于 2022-12-15 15:07 | 只看该作者
    方波,边缘时间是主要参数之一。4 S) a3 Q% N  z) `% s. {
    64M,频率稍高,用小功率FET会比晶体管好些。
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