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新型器件速度提高, 造成毛刺增加?

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发表于 2022-12-1 10:19 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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使用某器件设计了一个电路, 用了四年, 共发出几千个芯片, 一直未出现问题。后来由于器件更新换代, 将该设计原封不动移植到同型号器件改进型上, 发现工作不稳定, 将近 5%的芯片不能用。厂家设计工程师告诉我们, 设计没有任何问题, 信号模拟全部通过。原因是新型器件速度提高, 造成毛刺增加引起的。这种说法有无理论根据?" M* T2 J: S# a" [* y

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2#
发表于 2022-12-1 11:02 | 只看该作者
推荐采用同步设计的办法, 而不是异步设计, 不要采用一些门阵列来确定延时, 而应当采用同步时钟来触发逻辑运行. % y+ p, q/ w: N2 |& U& J# m6 z5 E1 `

! R  s( b; i5 m% k因为在异步设计中, 用门阵列得到的延时是与器件的性能有很大的相关性, 当采用的器件更新后, 速度提高后, 每个门阵列的延时参数都发生改变了, 所以整个设计的结果就会有可能与原来的不一样, 这对于任何 PLD 厂商来说都是一样的. , W4 L8 t4 }  ?4 X) L

% h1 z5 g% m. Y- i所以需要确定设计是否同步设计, 假如是同步设计那对器件的升级不会造成任何问题, 假如说不是同步设计, 更新器件时则要对不同的设计作出可能需要的相应修改.
& m; c, S& p' [4 Z; R

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3#
发表于 2022-12-1 13:19 | 只看该作者
提升核心频率后,运行时间过长,系统发热,尤其是CPU,而散热措施不够,导致不规律的死机、重启。
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