12-200V N沟道MOSFET

kwanghua

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NCE0224K NCE3050K NCE6020AI NCE0130A NCE0157A2

以上系列型号是新洁能12-200V N沟道MOSFET

描述

采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优良的RDS（ON）。它们可以用于各种各样的应用。

总体特点

●高密度电池设计，超低RDS（ON）

●全特性雪崩电压和电流

●稳定性好，均匀性好，EAS高

●优良的包装，散热性好

●特殊工艺技术，防静电能力强

应用

●电源开关应用

●硬切换和高频电路

●不间断电源

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NCE0224K(封装 TO-252): VDS = 200V, ID= 24A

RDS（ON） < 80mΩ @ VGS=10V (Typ:64mΩ)

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NCE3050K（封装TO-252-2L）: VDS = 30V, ID = 50A

RDS（ON） < 11mΩ @ VGS =10V (Typ:8mΩ)

RDS（ON） < 16mΩ @ VGS =4.5V (Typ:10mΩ)

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NCE6020AI （封装TO-252-2L）: VDS = 60V, ID = 20A

RDS（ON） <25mΩ @ VGS =10V

RDS（ON） <31mΩ @ VGS =4.5V

NCE0130A（封装TO-220-3L）: VDS = 100V, ID = 30A

RDS（ON） < 32mΩ @ VGS =10V (Typ:25mΩ)

NCE0157A2（封装TO-220-3L）: VDS = 100V, ID = 57A

RDS（ON） < 14.5mΩ @ VGS =10V (Typ:12.5mΩ)

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Blah

器件的工艺决定了电流，电压的参数