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12-200V N沟道MOSFET

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发表于 2022-11-29 14:04 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-11-29 15:31 编辑
1 w' Y7 x) v# h8 \
! D5 f; ~3 r, N9 b8 |9 s. t$ u4 m: ~
NCE0224K NCE3050K NCE6020AI NCE0130A NCE0157A2
以上系列型号是新洁能12-200V N沟道MOSFET
描述
采用先进的沟槽技术和设计,以低栅电荷提供优良的RDS(ON)。它们可以用于各种各样的应用。
总体特点
●高密度电池设计,超低RDS(ON)
●全特性雪崩电压和电流
●稳定性好,均匀性好,EAS高
●优良的包装,散热性好
●特殊工艺技术,防静电能力强
应用
●电源开关应用
●硬切换和高频电路
●不间断电源

; u2 i9 ?1 [" p1 G8 m9 @& E
NCE0224K(封装 TO-252): VDS = 200V, ID= 24A
RDS(ON) < 80mΩ @ VGS=10V (Typ:64mΩ)

# M; D: |$ l' h+ Y. Z
NCE3050K(封装TO-252-2L): VDS = 30V, ID = 50A
RDS(ON) < 11mΩ @ VGS =10V (Typ:8mΩ)
RDS(ON) < 16mΩ @ VGS =4.5V (Typ:10mΩ)

! Q0 b9 n, o+ ]& ^, O6 m: |
NCE6020AI (封装TO-252-2L): VDS = 60V, ID = 20A
RDS(ON) <25mΩ @ VGS =10V
RDS(ON) <31mΩ @ VGS =4.5V
& `, ~  ]5 I, Q: n
NCE0130A(封装TO-220-3L): VDS = 100V, ID = 30A
RDS(ON) < 32mΩ @ VGS =10V (Typ:25mΩ)
$ Z5 N4 y$ O9 m7 ^2 q; T* K
NCE0157A2(封装TO-220-3L): VDS = 100V, ID = 57A
RDS(ON) < 14.5mΩ @ VGS =10V (Typ:12.5mΩ)
+ C. C/ R! N! P6 ]2 ?$ K$ A, [7 L! B

# \9 ~% x: _, y0 F' J3 t2 p3 ?( `& D' F8 B
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    2#
    发表于 2022-11-29 15:34 | 只看该作者
    器件的工艺决定了电流,电压的参数
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