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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-11-29 15:31 编辑
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NCE0224K NCE3050K NCE6020AI NCE0130A NCE0157A2 以上系列型号是新洁能12-200V N沟道MOSFET 描述 采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优良的RDS（ON）。它们可以用于各种各样的应用。 总体特点 ●高密度电池设计，超低RDS（ON） ●全特性雪崩电压和电流 ●稳定性好，均匀性好，EAS高 ●优良的包装，散热性好 应用 ●电源开关应用 ●硬切换和高频电路 ●不间断电源 1 X9 J6 Q! z( B
NCE0224K(封装 TO-252): VDS = 200V, ID= 24A RDS（ON） < 80mΩ @ VGS=10V (Typ:64mΩ)
+ @: R! {' c' I) PNCE3050K（封装TO-252-2L）: VDS = 30V, ID = 50A RDS（ON） < 11mΩ @ VGS =10V (Typ:8mΩ) RDS（ON） < 16mΩ @ VGS =4.5V (Typ:10mΩ)
7 \8 _9 v% {' }1 ?( t9 mNCE6020AI （封装TO-252-2L）: VDS = 60V, ID = 20A RDS（ON） <25mΩ @ VGS =10V RDS（ON） <31mΩ @ VGS =4.5V * z" w( W/ H* ^) n7 y) m
NCE0130A（封装TO-220-3L）: VDS = 100V, ID = 30A RDS（ON） < 32mΩ @ VGS =10V (Typ:25mΩ)
( z2 l& ^. F, b, [0 DNCE0157A2（封装TO-220-3L）: VDS = 100V, ID = 57A RDS（ON） < 14.5mΩ @ VGS =10V (Typ:12.5mΩ)
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发表于 2022-11-29 14:04
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