美光 DDR5 内存现已配合第四代 AMD EPYC 处理器平台出货

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　　2022年11月18日[0x4e 20]——[0x4e 21]上海——内存和存储解决方案领先供应商Micron Technology Inc.( 美光技术有限公司[0x4e 22]随着现代服务器安装了具有更多处理内核的CPU，单个CPU内核的内存带宽正在减少。为了缓解这一瓶颈，美光 DDR5提供了比上一代产品更高的带宽，从而提高了可靠性和可扩展性。第四代AMD EPYC处理器与美光 DDR5的强大组合使流基准测试中的内存带宽翻倍，并在特定高性能计算(HPC)工作负载下提供计算流体力学(OpenFOAM)、天气研究和预测(例如

1 X% g( u8 p2 p/ l, _5 F! y' d3 t美光Raj Hazra是高级副总裁兼计算和网络业务部总经理，他说：“[0 x 4 e 23]继续领导业界进入DDR5市场。今天的算法越来越依赖内存，创芯为要想从海量的数据中获得洞察力，需要更高的内存性能和可靠性。DDR5大大提高了支持这些算法所需的系统内存容量，从而不断提高下一代数据中心基础架构的价值。”

　　AMD EPYC产品管理企业副总裁Ram Peddibhotla说：“第四代AMD EPYC处理器在不断提高现代数据中心工作负载的性能标准的同时，芯片采购还提供了卓越的能效。改变客户的生产数据中心模型——，以缩短价值实现时间、降低TCO，并帮助企业实现可持续发展目标。”

　　在流基准性能测试中，美光将第四代AMD EPYC处理器系统配置为美光 DDR5(4800 MT/s)和第三代AMD EPYC处理器系统以及[0x4e 23]DDR 4(；在第四代AMD EPYC处理器系统的支持下，美光 DDR5提供每个插槽高达378 GB/s的内存带宽，而与第三代AMD EPYC处理器系统一起，DDR4最大内存带宽仅为189 GB/s。测试表明系统内存带宽增加了一倍。美光与AMD合作评估了第三代AMD EPYC处理器与美光 DDR4组合比较第四代AMD EPYC处理器和美光 DDR5组合三种高性能计算工作负载(OpenFOAM、WRF和CP2K)通过第四代AMD EPYC处理器平台和美光 DDR5的组合，OpenFOAM性能提高了2.4倍，WRF性能提高了2.1倍，CP2K性能提高了2.03倍。
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　　联想基础架构解决方案组高性能计算和人工智能服务副总裁Scott Tease说：“建模和模拟以及机器学习工作负载在高性能计算和人工智能方面不断增长，客户要求内存解决方案能够最大限度地提高有效带宽。戴尔在整个开发和验证阶段与美光密切合作，努力满足性能密集型工作负载的需求。DDR5将内存性能加速到新时代，创芯为电子帮助我们提供下一代平台。”
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　　美光在JEDEC开发DDR5内存规格方面发挥了重要作用，是最早向客户推出DDR5的供应商之一。美光的技术能源计划(TEP)是业界第一个支持系统设计师进行DDR5验证和认证的类似计划。美光致力于在整个生态系统中合作，并将继续投资领先的技术和产品路线图。

7 s( Y& J; N) p, l创芯为电子提供电子元器件采购。主要产品包括电源管理芯片、处理器及微控制器、接口芯片、放大器、存储器 、逻辑器件、数据转换芯片、电容、二极管、三极管 、电阻、电感、晶振等，并提供相关的技术咨询。

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