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yuxuan51 发表于 2012-2-8 16:22 3 v5 j# J7 C! a* Z
你的工程我大致看了一下,也跑了一下,发现有一个问题,就是扫描参数设置那里,将DC extrapolation勾上 ... 0 W" ` }. n6 u, u6 T9 N" Y" m
C( [3 _" x! K7 O- \: H; s
线宽200um 线距405um 上层高100um 下层高200um 线长2inch
3 d. j/ Q. \& x' t3 j; F算出来特征阻抗67.93ohm7 J: W8 n! d7 k+ K4 Z: G
5 i+ O: u1 g4 g! S端口归一化 阶跃响应 TDR
) k9 b. M) { g: @6 m% `, l可以看到HFSS 仿真出来阻抗为86ohm 与si9000相去甚远
6 c/ {6 [9 ]+ O: X+ L
) u' y, L: X0 L9 C* Z l
取消归一化 端口1 端口2 阻抗以高一低 且基本在100ohm上下7 `/ [# v+ n# n& k5 a. h- ~9 o
, ]5 g3 T1 V; }& ?3 s端口归一化后的 冲击响应TDR4 G* q2 [9 t5 f7 }1 A* W
阻抗变化在1.16ns处,且阻抗仅在100ohm附近变化
0 g8 |5 U8 T" d% E% U$ _" ^3 f, _
6 Q3 c! e+ t, U( x/ k端口未做归一化,阻抗在0.14ns出发生变化,这时阻抗为负数,在-100ohm附近变化。
8 \/ _( m/ ~" M3 F6 N @8 r
$ R# B& y2 v% w! s3 Y6 B
6 |1 f4 H Y1 s
归一化后的s11 `& `$ M$ R/ P( q7 S
" P, l% ~2 r4 F( ^
未做归一化的s11% x: n- N! q; [ `# k6 X/ @" z
8 e! D* f; [( Y首先HFSS仿出来的特征阻抗与si9000的结果相差很大,到底应该以谁为准?
+ R% B' ?+ F! Z5 y* z! m端口做不做归一化对 S11 阶跃响应TDR 冲击响应TDR 的影响非常大。这几个参数 分别应该在什么条件下 才回得到正确的结果?, L7 T/ V/ M+ l: j# H. v' X$ |
为什么端口不做归一化 冲击响应TDR得到的阻抗是负数?
' Y1 j% L- w* ?9 G2 c- t此工程中的差分线是阻抗连续的,为什么TDR图中,阻抗变化点不是在0时刻 而且不同设置下 阶跃响应和冲击响应得到的4 W: e7 w7 h0 I; k @4 J. H+ o, F5 K
跳变时间不同?
6 Y% l x1 e/ |: d) Q/ b+ ?- k0 A3 [5 \! K+ p7 I, C9 |% {
以下为具体设置和工程文件( C7 ^ A/ d# f+ l
1 C# T+ q& W: B/ K
( U; m$ g1 M1 x, ]. Y
5 b6 C2 B1 q7 h7 Q( R4 o; L. j6 b
; p; ^. n% [3 [, ]* K
- T% x- l" {6 X' `1 ^$ l% N% F
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- { F0 W7 p# N! @8 N
* k' N( G D8 z( x! j0 w K
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# P7 k# b7 H. g! x, h. e" s$ H" w* z* W& K9 D4 L8 D6 ~
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# V$ l: _9 j, i
* N2 P. p0 I5 u' {1 B
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9 a8 J8 b3 N1 q
& y3 g; C7 X2 g4 D p |
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