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yuxuan51 发表于 2012-2-8 16:22 ( n- M$ Z5 {; E% T0 h$ F
你的工程我大致看了一下,也跑了一下,发现有一个问题,就是扫描参数设置那里,将DC extrapolation勾上 ...
4 Y# l/ @; ^# @( G# a+ N. {# K
5 v) f/ t s8 b3 t3 \5 W" Z# R线宽200um 线距405um 上层高100um 下层高200um 线长2inch 1 l; I: Y8 x# e8 c4 Z
算出来特征阻抗67.93ohm
9 D5 h, n; V3 m4 @, l0 J
( ]: ?! t; S: @; W9 v% q
端口归一化 阶跃响应 TDR
- s' ]" k; l9 N+ m" h可以看到HFSS 仿真出来阻抗为86ohm 与si9000相去甚远& G( I. Z! X" q
* D" ]5 u3 G6 L( o+ r: }+ s% g. g
取消归一化 端口1 端口2 阻抗以高一低 且基本在100ohm上下
7 O9 F$ r1 i" m8 ]2 `) {
# l# o- Y0 e! K1 x1 }8 }8 b
端口归一化后的 冲击响应TDR
0 Y) X# D P9 \( f- @" e阻抗变化在1.16ns处,且阻抗仅在100ohm附近变化; S5 p- k& n4 d
' E5 `5 k- n/ t# k端口未做归一化,阻抗在0.14ns出发生变化,这时阻抗为负数,在-100ohm附近变化。* Z% E6 D2 n i2 G0 f W. b) l$ X
0 R; Z8 n5 i8 R0 ^6 j) R
8 S C3 q/ g) o
归一化后的s114 V# g+ `4 O& P7 G/ J6 {1 i F- y/ d1 Z
5 Z$ Y9 t7 H5 [/ K
未做归一化的s116 H+ F6 i% `+ D) h
& k6 ^: j* {% b4 h7 ~. E6 x
首先HFSS仿出来的特征阻抗与si9000的结果相差很大,到底应该以谁为准?
1 u5 {1 {& F: A1 q9 ?, p端口做不做归一化对 S11 阶跃响应TDR 冲击响应TDR 的影响非常大。这几个参数 分别应该在什么条件下 才回得到正确的结果?3 a* Y6 _; y: v) i! C0 F
为什么端口不做归一化 冲击响应TDR得到的阻抗是负数?
$ U' @+ T; g( G; d; Q$ b此工程中的差分线是阻抗连续的,为什么TDR图中,阻抗变化点不是在0时刻 而且不同设置下 阶跃响应和冲击响应得到的
: O1 o, M) L3 I& f跳变时间不同?
- f# \9 k5 Q- d; Y: C
$ {' `! i; ?0 b' p以下为具体设置和工程文件
- D. q4 x0 `+ |! X7 l4 s
% k R4 f6 U8 T" D9 K3 k9 }8 F+ R
6 u. {; b+ n" u, D( I" c- o- E7 Z
( {1 ]( q- E* f) z8 w& N
! m# n4 t8 \4 w9 U0 x1 B6 `: X6 n. k: Z: R
& {0 [) Y0 J- {9 S& v+ [
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# p' h+ J; f1 a' t4 K$ H' D( E
# b- Q3 K' k& ^+ M- v0 {- x! ]4 {
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: q5 U. T) p; q. l: C& o
& x/ A/ q# V9 Q$ v8 m
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u! F; b; a+ r+ W' e$ K
Y% ]- Q$ o2 s* p
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& T3 z: W5 F1 }; @. _: F1 @" s0 z; |* w8 m2 e$ ^ {, C
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