TA的每日心情 | 郁闷 2025-4-10 15:44 |
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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-10-20 15:20 编辑
7 L! N' a, z' J1 u% Z" c9 O* r7 D1 Z. |! k
LMG3410R070 600V 70mΩ GaN功率级具有集成驱动器和保护功能,相较硅MOSFET具有更大优势。这些包括超低输入和输出电容。特性包括零反向恢复,开关损耗降低高达80%,开关节点振铃低,从而降低EMI。) @+ M2 [, ?- C5 c! }
LMG3410R070 GaN功率级提供新的方式让电子系统实现更高水平的功率密度和效率,能够支持图腾柱PFC等高密度、高效的拓扑结构。其拥有的一系列独特特性可简化设计,最大限度地提高可靠性和优化任何电源的性能,是取代传统共源共栅GaN和独立GaN FET的明智之选。这些独特的特性包括一个集成的栅极驱动(支持100V/ns开关,Vds振铃几乎为零)、一个100ns限流装置(拥有自我保护功能,可防止意外击穿事件),以及系统接口信号(具有自我监测能力)。* q1 C8 G q! t8 x+ w1 _1 ^
- e; @. m3 ]5 ~2 _+ u4 o/ y
- E# d9 s. W1 K5 Z8 T' _
参数:LMG3410R070RWHR ,LMG3410R070 电源开关/驱动器 IC 32VQFN
5 i5 b9 _* U! K& `开关类型:负载开关
6 j/ Z/ u# Z, Q4 A/ h: E9 G s输出数:1
1 W8 g& Z! P; F9 t" v) E5 Y比率 - 输入:输出:1:1
8 a8 i" [ R. ?5 D) ]6 d/ e输出配置:高端/ M; {4 u+ z; F- x @
输出类型:P 通道
2 ]0 G4 _9 X8 O0 j1 i( e接口:逻辑,PWM
3 R" Z8 e1 X' s( B' @% z# D电压 - 负载:480V(最大)9 e& ^9 p0 R2 F, c; r
电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9.5V ~ 18V
+ p* o9 Q4 g# d+ c电流 - 输出(最大值):12A
0 t, z8 x& T* n- V3 j导通电阻(典型值):70 毫欧# G& p+ k7 M! ]$ x$ T5 R
输入类型:非反相
5 J6 x! C9 P9 _ I特性:自举电路,5V 稳压输出
3 Q# m# d( [2 m7 P r& o故障保护:过流,超温,UVLO# J7 {# }5 K2 v7 L' w8 s
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
; l. x; Y N# D, G4 N0 w( {安装类型:表面贴装型. K% K) B* F- P: O
器件封装:32-VQFN6 f5 A, ]( v& b# T, X- t8 l1 ]
: T* M9 ]$ J3 I: J
7 Z( [$ I" ~/ l" h" Q
+ \' e7 e; ?, N \* y' |, M应用
: n& Y% C+ [ k+ S3 [2 P高密度工业电源和消费类电源
% ~' u% P. d- {# w: U多电平转换器) X8 M, \- S$ F1 h- q' {/ Q* g
光伏逆变器3 S% H2 J( s. r
工业电机驱动器4 t1 l B" S3 s8 Q5 B
不间断电源5 A" l3 T8 N% \/ O1 v
高电压电池充电器7 c; G+ t7 }# x
- y+ I/ D. N" B6 k |
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