LMG3410R070RWHR具有集成驱动器和保护功能

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LMG3410R070 600V 70mΩ GaN功率级具有集成驱动器和保护功能，相较硅MOSFET具有更大优势。这些包括超低输入和输出电容。特性包括零反向恢复，开关损耗降低高达80%，开关节点振铃低，从而降低EMI。
LMG3410R070 GaN功率级提供新的方式让电子系统实现更高水平的功率密度和效率，能够支持图腾柱PFC等高密度、高效的拓扑结构。其拥有的一系列独特特性可简化设计，最大限度地提高可靠性和优化任何电源的性能，是取代传统共源共栅GaN和独立GaN FET的明智之选。这些独特的特性包括一个集成的栅极驱动（支持100V/ns开关，Vds振铃几乎为零）、一个100ns限流装置（拥有自我保护功能，可防止意外击穿事件），以及系统接口信号（具有自我监测能力）。
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参数：LMG3410R070RWHR ，LMG3410R070 电源开关/驱动器 IC 32VQFN
开关类型：负载开关
输出数：1
比率 - 输入:输出：1：1
输出配置：高端
! U/ j# i( f) t% A- @1 A7 w输出类型：P 通道
/ @8 n$ o9 b, S, ^% @3 z接口：逻辑，PWM
电压 - 负载：480V（最大）
3 H8 B0 ]6 n2 P/ ^$ M% P电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：9.5V ~ 18V
电流 - 输出（最大值）：12A
导通电阻（典型值）：70 毫欧
) ]% H5 i7 h! `& d0 ~输入类型：非反相
特性：自举电路，5V 稳压输出
# z  z* C/ C: E; N; L故障保护：过流，超温，UVLO
# t2 Y( m7 p/ }, j8 {0 G4 @工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
9 B# e2 J  _2 _安装类型：表面贴装型
7 \  {/ ^2 h( Z* x' ~3 m$ a  Q' L器件封装：32-VQFN
: J, T  q5 c; v2 w9 e8 O8 B7 G7 K

4 s9 Z- q* \+ Q1 D2 J
应用
5 F+ M, n5 K7 o- E- I, g  d' v高密度工业电源和消费类电源
多电平转换器
, \% H" M. c0 X2 u$ A6 S光伏逆变器
9 A$ L) @6 G: ^( r工业电机驱动器
不间断电源
高电压电池充电器

( ~; I: n; M. V' }8 q# ]* ]

dragongfly

-40°C ~ 125°C非常宽的工作温度！有利于在恶劣环境的工作稳定。