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MOS管关断后电压下降为什么这么缓慢?

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1#
发表于 2022-10-10 10:27 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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各位兄弟帮忙看看!鄙人是软件工程师,硬件只是懂一点。
) [4 O7 F$ a+ z: _# W0 H1 m: E6 z* ~; J' W0 w/ b' G) A; g
问题是这样的,我这里是要用两个MOS做发码,上下管分别关断和导通,实现5v/0v的切换。原理是控制PMOS开,NMOS关,L+/R+输出5v;PMOS关,NMOS开,L+/R+输出0v。. P! E7 l! p* l2 e6 Q3 ^4 H

) }& v  Q/ U! Z: f9 @$ a  D# g( M我在输出5V时,先关NMOS,延时十几us再打开PMOS;我在输出0V时,先关PMOS,延时十几us再打开NMOS;" M9 B; L/ B5 P6 a: ?

4 y. G8 r- T& J但是在L+/R+端测出来的波形,会在我关断MOS后时延迟好久才掉下来,只在下降沿会这样,上升沿很迅速。1 f6 |0 g. G$ P# G$ m5 V& t
' O* C) h$ Z/ B2 o
如图所示,有将近1.5ms时间:1 q2 T9 A" M% ]0 V
# ^2 y7 t+ Z; s( M: R, X  X) K+ G
这是原理图,说一下我排查问题时有做过的方法。
8 O: {7 ^# c+ W
! d! W" }3 F) o1 k2 a, i, y- B1、有试过减小R27电阻,更换成1M时有减少100US左右,但是还是下降的很慢,换成10k后也没多大变化。
- j- `+ ~4 m# t% D# c6 c- C+ i2、有去掉C11和减少C11的容值,去掉C11也是下降缓慢,改为4.7uF同样没多少改变,而且还有很多杂波。
- Q9 C( s) Y' @2 N3、有把2N700T这个NMOS管换成3400,我也不知道是哪个参数会有影响,但是换了后没有什么变化。& s3 G1 _. ]0 q: ?# b4 E; G# E

5 c- i# a5 M( _/ y8 X2N7002T参数:# {9 _2 S1 s- B: j  ^9 M, \$ U# G& R

: l! }" s. k# r3400参数:* R4 F2 b& {+ s
% N6 C" y. C* b7 y% L$ o
4、有去掉两个ESD,没有作用。
' N3 P& |. z! Q6 j" R4 |8 V0 \+ l& l5、中间的R11限流电阻,有改小为33欧、20欧,波形会有点失真,有减少几百us时间,还是会缓慢下降。" U: T/ v7 n  K
  q3 u2 a2 l1 Z1 f
现在我已经不知道还能怎么改了,有大神给点建议吗?

该用户从未签到

2#
发表于 2022-10-10 13:24 | 只看该作者
R13过大,1MΩ太大了!通常在10KΩ左右就行。

该用户从未签到

3#
发表于 2022-10-10 13:43 | 只看该作者
R11直接改成0吧!还有,上面的P管,你确定是完全关断的么???PH2O跟VOUT是一样的电压么!

该用户从未签到

4#
发表于 2022-10-10 14:53 | 只看该作者
先看看芯片输出那的波形对不对,然后一路向后依次查找,看看到哪波形就不对了!!!
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