TA的每日心情 | 郁闷
2025-4-10 15:44 |
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IMBF170R1K0M1XTMA1特点; J7 {7 v+ i( f" L& U5 }, R
革命性的半导体材料——碳化硅
) f; ?% m) s7 Z' S# {8 Z7 m8 `优化用于反激式拓扑结构
: b! k& u# c4 S. w; n5 c( @, y12V/0V栅极-源极电压，兼容大多数反激式控制器
8 G9 r1 U$ _; j非常低的切换损失
- ?5 D3 ]. m2 c& f @2 @4 T基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V# R& p" T+ U/ b8 j2 q- q& W2 N; h
完全可控制的dV/dt，用于EMI优化, b4 T# z! D* V! L# L) W
降低系统复杂性3 E& y$ c- t+ f, e- D7 t
直接从反激式控制器驱动
4 t( a/ s! w( f( O2 J: ^1 F( i' r提高效率和降低冷却工作量
2 y/ s6 d' O& H3 j- p e实现更高频率
' o- E2 ]6 ~) P; {5 w# Z: ^, o
( ^8 Z3 t' K7 y c o
/ Z0 G% l6 q* b6 l3 N9 N* Z* S; }详细
]! `6 x" }$ e4 T! e" K这款 1700V SiC沟槽MOSFET采用革命性的碳化硅材料，优化用于反激式拓扑结构。该SiC沟槽式MOSFET具有12V/0V栅极-源极电压，兼容大多数反激式控制器。也可直接由反激式控制器驱动，通过减少冷却工作量来提高效率。* S4 M: L. g/ e: a: O
IMBF170R1K0M1 1700V SiC沟槽式MOSFET非常适合用于能源产生、工业电源和充电基础设施应用。
* a1 r M4 H% c' K. Z! m- Q. Y# b$ m; v5 \+ T" t! u
5 ?& Z& {. P9 A; v' w! t; d7 O注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！
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发表于 2022-10-7 13:30
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