TA的每日心情 | 郁闷
2025-4-10 15:44 |
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IMBF170R1K0M1XTMA1特点' X' B" N- U$ N
革命性的半导体材料——碳化硅2 O, d# M3 \) n2 l0 \. q b
优化用于反激式拓扑结构/ T8 Z- X" M }% ?
12V/0V栅极-源极电压，兼容大多数反激式控制器# P% G1 y1 ]6 i; x5 M! C: w
非常低的切换损失! F" M( j: j; t' e. {. h
基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V2 h7 N8 u3 N b. P! ]) N r
完全可控制的dV/dt，用于EMI优化
7 q! H# a ?. c, W# `; h- n1 f/ Y& c降低系统复杂性
|/ H$ F i/ Z+ l- L$ ~. Q2 L& C7 ~直接从反激式控制器驱动8 n2 a$ i' A# p) ^: P+ s" y* J/ |% A
提高效率和降低冷却工作量* S6 D1 H+ F' i
实现更高频率, V8 A+ o! F3 O. \6 K3 H
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! Y0 k0 A# z$ B& z& r! Z K详细
1 T# t6 l7 \1 E2 Y& k这款 1700V SiC沟槽MOSFET采用革命性的碳化硅材料，优化用于反激式拓扑结构。该SiC沟槽式MOSFET具有12V/0V栅极-源极电压，兼容大多数反激式控制器。也可直接由反激式控制器驱动，通过减少冷却工作量来提高效率。( c P4 M) K. H0 d& a8 T
IMBF170R1K0M1 1700V SiC沟槽式MOSFET非常适合用于能源产生、工业电源和充电基础设施应用。
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注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！
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发表于 2022-10-7 13:30
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