TA的每日心情 | 郁闷
2025-4-10 15:44 |
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IMBF170R1K0M1XTMA1特点( b3 [; Q7 L% L6 P# R" D4 i4 Z6 w
革命性的半导体材料——碳化硅1 ~. D) O# Q4 q! B1 B8 B
优化用于反激式拓扑结构
7 j; I+ L6 e J6 A1 i/ Y12V/0V栅极-源极电压，兼容大多数反激式控制器
! I/ O" G& S) a/ E# _, ^+ W非常低的切换损失8 K; u& p* _2 o& l# G
基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V* \/ v6 ]9 P5 W# T8 E, P
完全可控制的dV/dt，用于EMI优化) H$ P' k# J' z5 F, _
降低系统复杂性5 {/ a" y+ J3 H5 q# e* v( R9 X
直接从反激式控制器驱动
5 U- M, C% U9 E$ u, C提高效率和降低冷却工作量
7 b5 M$ I ~/ L" h6 E实现更高频率 c: x, t* B$ k! M
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详细) a1 z3 `( a9 y: N# M5 ]
这款 1700V SiC沟槽MOSFET采用革命性的碳化硅材料，优化用于反激式拓扑结构。该SiC沟槽式MOSFET具有12V/0V栅极-源极电压，兼容大多数反激式控制器。也可直接由反激式控制器驱动，通过减少冷却工作量来提高效率。- x4 Y# U( K! V) {- m
IMBF170R1K0M1 1700V SiC沟槽式MOSFET非常适合用于能源产生、工业电源和充电基础设施应用。
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注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！
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发表于 2022-10-7 13:30
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