MOS管开关状态工作在哪个区？为什么VGS>4V只是开启条件，要达到9V才能完全导通？

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1.说开关模式的开状态是对应MOS管的饱和区么？那么从ID=f（VDS）的特性曲线上来看，饱和区需要VDS有一定压降，但是又说开通状态MOS管压降很小VDS接近于0？2.VGS>4v只是大于开启电压，并没有让管子完全导通，要9V以上才能完全导通？VGS和饱和区有个P关系啊，从特性曲线上看,只要VDS>一定值，VGS>4V就到饱和区了，为什么要到9V才完全导通？
看这个东西看了一天了，网上好多人说的不一样，这个说他说的不对，那个说他说的不对，完全晕了啊。到底是怎样的啊？

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1，MOS管开关与否与VDS没有关系，开状态并不对应MOS管的饱和区。
2，你的理解正确，VGS只要大于阈值电压就算导通。

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首先 我们看你给的mos管 vds和 id的关系图 。饱和区电流基本不随ugs变化而变化的，也就是图中那个叠在一起的部分。（而恒流区是ugs不变，id不随uds的变化而变化的。区别一下）要想让mos管工作在饱和状态，那么你先要给定一个 vds ，这个肯定是已知的 就是你的供电电压 vcc 我猜你这个应该是vds 是10到12v 我们看图上 当vds=10v的时候 只有当 ugs 约大于9v之后，交点才在mos管的可变电阻区（饱和区） 所以说 要9v以上 才能让管子完全导通。4v是开启电压 望采纳啊