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MOS管栅极振荡怎么都无法减弱,求大神相助

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  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-21 15:21
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    跳转到指定楼层
    1#
    发表于 2022-9-15 15:08 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    先上电路图
    " }4 A# t+ [7 l+ S9 Y  S5 }8 v
    上管的波形调整的差不多了,下管怎么都无法减弱振荡。加大驱动电阻,gs加电容延缓开关非常缓慢了还是振荡。还有加稳压二极管,RC吸收都没什么效果。求大神给个方向!谢谢!
    " \; d7 C  S5 \5 H
    $ t" A$ Q4 u3 Z8 d
    这个是上管栅极
    % o% \9 q2 K! g2 X5 B3 \; B, g( c" d
    0 x# ?4 R. k" \& `2 N: X8 \
    这个是下管栅极

    / L  V( P: R7 ?# L  j; O! a9 ^! m* h" e# ?/ C6 m0 d
    2 j) [+ Q+ h* h

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2022-9-15 15:41 | 只看该作者
    加个电容,看看。

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2022-9-15 16:03 | 只看该作者
    是不是采样电阻搞出来的问题。还有采样电阻的走线。
  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-24 15:10
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    4#
    发表于 2022-9-15 16:49 | 只看该作者
    用差分探头测试

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2022-9-15 19:02 | 只看该作者
    你这是 MOSFET Vgs 波形, 震荡发生在 Cgd platue附近,也就是在charging 和discharging的过程中发生的。& Q9 u( t: i. F
    mosfet是东芝的DTMOS也就是 VDMOS,Cgd (datasheet上的Crr)比 LDMOS 大,
    : M1 ^' ^$ T3 {: c1 L1 C# b& d1. 注意 Cgs 和 Cgd 的比例,15-20
    % }2 s' y. m$ T$ j& c1 x2. 换个器件,试试看CoolMOS或 optiMOS3/58 _1 S4 |6 q' x* @5 _7 S
    3. 降低dV by dt或 di by dt
    / ~# l) T7 U+ Q9 V& }) z! U7 |$ n0 O# p: z
    过去给公司就这么解决的,不过如果你是大学的,就不好说了。
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