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MOS和达林顿作开关哪个速度快

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1#
发表于 2022-9-13 11:17 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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MOS和达林顿作为开关用,都可以输出一定的电流,我看到在小型的开关电源中多数使用MOS作为开关元件,当然驱动是比较理想的情况下,达林顿可以达到电流饱和,同等的电流强度下MOS和达林顿作开关哪个速度快
6 @$ l6 [) G! d) m; ^3 j) E: }; ~
  • TA的每日心情
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    2022-1-21 15:15
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    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2022-9-13 13:18 | 只看该作者
    以当前的工艺水平,同样功率等级下,是功率MOS快一些。
    # X* C5 g# C5 r$ m9 h
    * \5 |9 F- o9 S% G: c0 q3 @
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    2022-1-21 15:15
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    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2022-9-13 13:27 | 只看该作者
    达林顿管速度慢,功率的损耗相比MOS还大
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    2022-1-21 15:20
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    [LV.1]初来乍到

    4#
    发表于 2022-9-13 13:33 | 只看该作者
    Mosfet用栅极来控制电压漏极电流,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2022-9-16 18:05 | 只看该作者
    我想你这个问题应该是关于频率高低而不是速度快慢
    5 r& Y9 V$ T  A( @
    6 l  f- A' P9 v; J" m. Xmos是charge 控制的开关,* b8 O9 P, ]6 C: L# I
    dalington 或bjt 是电流控制的开关
    ; p4 v1 e0 i, o0 S3 G  O& h5 [5 S% w2 }, X9 ]
    这是2者本质的区别,你的问题就是,控制一个开关电流或者charge哪一个频率高呢?
    4 [+ Q& L8 P! Z$ r6 B5 {
    8 U5 [# \! g, v% g) t, w# {+ Dcharge的开和关都需要一定的时间这也就限制了频率,但是在中低频的开关损耗低,也就是功效较高
    8 c$ H# L7 l7 s2 @8 ~5 J
    2 B. `' [# ~' c4 x, f6 d+ v- i1 e如果你在高频区间开关,无法接受mos的charge和discharge时间,那就只能选择电流控制的开关了。
    , V' C% M1 n7 a. c+ a4 b' ^# `3 Q( Q- D. U- j2 e% g
    当然,你如果有经费可以用,非硅材质的开关。
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