IGBT单管和MOS管的区别，MOSFET是MOS吗？

Felix_456 · 发表于 2022-8-30 11:16

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Nain · 发表于 2022-8-30 13:18

从结构来说，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET（VDMOS）的差别在于MOSFET的衬底为N型，IGBT的衬底为P型。

fuu65iwi · 发表于 2022-8-30 13:22

从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合，通过背面P型层的空穴注入降低器件的导通电阻，但同时也会引入一些拖尾电流等问题。

R_myself · 发表于 2022-8-30 13:31

从产品来说，IGBT一般用在高压功率产品上，从600V到几千伏都有；MOSFET应用电压相对较低从十几伏到1000左右。

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