碳化硅与MOSFET和IGBT有何区别

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碳化硅MOSFET与硅MOSFET和IGBT有何区别？
MOSFET和IGBT比较区别比较明显，MOSFET开关速度快IGBT速度慢，MOSFET耐压不如IGBT高，MOSFET的负载电流小IGBT比较大，MOSFET不适合的地方需要选取IGBT。碳化硅MOSFET也是MOSFET所以MOSFET的优点都有，但同时碳化硅要比MOSFET耐压要高很多，大概是MOSFET的三倍，轻松达到上千，那么碳化硅的电流呢，是否也可以达到IGBT的水平，当然随着应用的普及碳化硅是否可以完全取代IGBT，当然价格也是在不断的下降，就像锗被硅完全的取代一样。
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unfaithful2021

开关损耗特性可以明确的是：SiC-MOSFET优于IGBT；SiC MOSFET也已经具有广泛工业应用所要求的质量水平。

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好像是SiC-MOSFET各方面优于IGBT除了价格，但是随着应用的深入价格也会逐步的降低。也许当价格和IGBT相当时也许IGBT就会消失

I_believe

基体材料不同，导电性能不同，工艺步骤不同