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功率半导体国产使用比例提升,可选择品质优良的MOS管应用

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发表于 2022-8-12 15:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-8-12 17:36 编辑 7 v( x8 k& ]) {( w% ^$ ]- J

; @; Q, H0 `! m/ e/ ~逆变器有一个主要功能就是直交流变化功能,实现该功能的核心元件是功率半导体 (例如 IGBT 和 MOSFET)。自2021 年以来芯片、IGBT 产品出现紧缺状况,各大厂商均在提升使用国产 IGBT 的比例。其实对于功率半导体中的MOS管厂商都是在逐步提升国产MOS管替代使用比例了。6 l+ v+ O) S, W. u! S+ C: r# y! u

2 ^8 P0 L) H) H* ~3 Y尤其是逆变器厂家,在研发产品时一定要注意MOS管的选用,在国产替代的选择中,一定要选择质量优良的厂家。
9 B: K* p8 M9 {9 _5 [% Y" ]- `" a7 P6 B, I
对于市场中IRFZ44N场效应管是有常用于逆变器的,究竟要如何选择比较好的国产厂商进行替代呢?* O; Q# G: O3 ^5 s! X. a

$ @9 k: M4 n: @6 h/ x  u% k! C7 J
3 {( K% J7 U: k1 T9 E
考虑优质的MOS管一定是具备众多特点的,比如适合逆变器使用的可内阻低、温升低、开关速度快等产品特点。# k# N( n6 x# e, j+ `9 P: ~

# J3 e% E. ]. z符合以上特点的优质国产MOS管,还能替代IRFZ44N场效应管的,我们一般优先推荐逆变器厂家使用FHP50N06型号。
  e: \2 j5 P. Z' Q4 X
& w1 B" c" D  }3 W3 Z; w( N8 c究竟为何推荐这一款50A、60V电流、电压MOS管的FHP50N06国产MOS管替代IRFZ44N场效应管在逆变器使用呢?, I4 p' z8 X: z2 V% f" d

: L+ n! t# \0 j- W# P% b: T2 J8 u

# V7 n. w7 R" \除上述符合的特点外,这款优质FHP50N06国产场效应管还具备的产品参数有:50A、60V的电流、电压,RDS(on) = 12mΩ(typ) @vgs = 10 V,最高栅源电压@VGS =±25 V。
, e# Y( E& c' f& X1 p2 m; a
$ J, P, @# _/ f$ d& {* S& C/ _8 ZFHP50N06为N沟道沟槽工艺MOS管,适用于电机调速电路、100W-12V输入的逆变器。对标其它场效应管品牌型号:IRFZ44N、STP60NF06、FQP50N06。
- l9 G3 n) k2 i7 f7 v4 q6 X) a4 r, r8 m$ c
FHP50N06的封装形式除了TO-220,还有TO-252、TO-263两种形式。这款产品参数:Vgs(±V):25;VTH(V):2-4;ID(A):50A;BVdss(V):60V。6 q" f) N0 c1 X
, K+ `" g/ P4 q/ _
' W5 ^5 q" `/ K4 O; W* A2 }
综合以上的产品参数,场效应管代换建议用飞虹国产型号:FHP50N06型号参数来替代IRFZ44N型号。, I* M/ R! l! K: K. E' C7 p
6 C) T2 e- m. Q6 W+ y
60V、50A 的MOS管代换使用,选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管已经广泛应用于逆变器行业、电源电路、智能家居、新能源电子等领域,为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。- X. [/ d0 t. T# Z

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    2#
    发表于 2022-8-12 17:37 | 只看该作者
    MOS管要选择优质的,选择时电流电压都要选择合适的
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