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功率半导体国产使用比例提升,可选择品质优良的MOS管应用

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发表于 2022-8-12 15:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-8-12 17:36 编辑 0 v* m# x# @( k- L$ s
0 j3 `2 A# \! B
逆变器有一个主要功能就是直交流变化功能,实现该功能的核心元件是功率半导体 (例如 IGBT 和 MOSFET)。自2021 年以来芯片、IGBT 产品出现紧缺状况,各大厂商均在提升使用国产 IGBT 的比例。其实对于功率半导体中的MOS管厂商都是在逐步提升国产MOS管替代使用比例了。, V8 j  i. x1 R% M. [; z# v0 B7 ]

5 g2 D6 F1 e3 \7 o尤其是逆变器厂家,在研发产品时一定要注意MOS管的选用,在国产替代的选择中,一定要选择质量优良的厂家。
) K; k0 R0 E, Q% o  M
' V: V9 j) n' `+ x3 N  U对于市场中IRFZ44N场效应管是有常用于逆变器的,究竟要如何选择比较好的国产厂商进行替代呢?
( y) w8 a2 D! l- Y2 M6 s) ~* o9 j# h* p

( P* B9 O7 X) P$ ]; ^  F5 J+ h  v* h考虑优质的MOS管一定是具备众多特点的,比如适合逆变器使用的可内阻低、温升低、开关速度快等产品特点。' Q6 O9 k8 M$ s3 u1 p9 A: [* Y
, I4 W9 ~" m4 X$ C' |: S( O- @9 p
符合以上特点的优质国产MOS管,还能替代IRFZ44N场效应管的,我们一般优先推荐逆变器厂家使用FHP50N06型号。& S  o( j% G" _  r# V

* }3 T2 y' f/ [0 Q3 Q) {7 T究竟为何推荐这一款50A、60V电流、电压MOS管的FHP50N06国产MOS管替代IRFZ44N场效应管在逆变器使用呢?' V! c2 [2 h% _

& a+ Z& t9 |: _& K4 D. c
: {8 k0 m) ^1 m7 B
除上述符合的特点外,这款优质FHP50N06国产场效应管还具备的产品参数有:50A、60V的电流、电压,RDS(on) = 12mΩ(typ) @vgs = 10 V,最高栅源电压@VGS =±25 V。
% u4 b/ s/ ^% L) o
3 U" _/ _  u4 s* {3 {FHP50N06为N沟道沟槽工艺MOS管,适用于电机调速电路、100W-12V输入的逆变器。对标其它场效应管品牌型号:IRFZ44N、STP60NF06、FQP50N06。( l3 e" q" H  L1 a8 d

+ j  j; ]0 s% j- X* a8 fFHP50N06的封装形式除了TO-220,还有TO-252、TO-263两种形式。这款产品参数:Vgs(±V):25;VTH(V):2-4;ID(A):50A;BVdss(V):60V。  ]- J. [6 _% F2 d' I5 a4 w

: N- D5 {+ t& \( s* s
) ~( H7 l* k$ F+ d
综合以上的产品参数,场效应管代换建议用飞虹国产型号:FHP50N06型号参数来替代IRFZ44N型号。9 V" c! z# x2 ]
, ?2 e) O1 z) c* v4 X0 z* D
60V、50A 的MOS管代换使用,选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管已经广泛应用于逆变器行业、电源电路、智能家居、新能源电子等领域,为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。
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    2#
    发表于 2022-8-12 17:37 | 只看该作者
    MOS管要选择优质的,选择时电流电压都要选择合适的
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