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功率半导体国产使用比例提升,可选择品质优良的MOS管应用

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发表于 2022-8-12 15:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-8-12 17:36 编辑
  S( r' w# k) J" ]1 Y+ c, ^+ a* W& O6 Q7 p) d, u  y
逆变器有一个主要功能就是直交流变化功能,实现该功能的核心元件是功率半导体 (例如 IGBT 和 MOSFET)。自2021 年以来芯片、IGBT 产品出现紧缺状况,各大厂商均在提升使用国产 IGBT 的比例。其实对于功率半导体中的MOS管厂商都是在逐步提升国产MOS管替代使用比例了。
8 F0 j: v( o* \$ L# f& e) q
2 `! ?5 i0 ]' x" c尤其是逆变器厂家,在研发产品时一定要注意MOS管的选用,在国产替代的选择中,一定要选择质量优良的厂家。5 S" y' C# t% y# a1 y8 F
* O1 H" I- g4 L( N2 L
对于市场中IRFZ44N场效应管是有常用于逆变器的,究竟要如何选择比较好的国产厂商进行替代呢?" C( ^0 Z$ Y1 ]/ L
( x2 |- Y7 d* O" Z2 B1 i# J

3 ]* x8 {3 r4 {0 V, X考虑优质的MOS管一定是具备众多特点的,比如适合逆变器使用的可内阻低、温升低、开关速度快等产品特点。$ l& F0 m8 f( @8 @) V- T' c0 i
, Y* X5 p( n4 p; {+ [# I
符合以上特点的优质国产MOS管,还能替代IRFZ44N场效应管的,我们一般优先推荐逆变器厂家使用FHP50N06型号。
$ k5 [: `0 h& h
8 H2 V8 z$ h- H( L* @- [; a3 k究竟为何推荐这一款50A、60V电流、电压MOS管的FHP50N06国产MOS管替代IRFZ44N场效应管在逆变器使用呢?
1 u) }1 i5 B9 A  d, l+ A% k( A( G) V9 p$ }+ D3 O9 b2 c2 c  g5 }

& E# ~) \  l$ d" e0 [9 E: c除上述符合的特点外,这款优质FHP50N06国产场效应管还具备的产品参数有:50A、60V的电流、电压,RDS(on) = 12mΩ(typ) @vgs = 10 V,最高栅源电压@VGS =±25 V。- s& a& V$ f  ^. {$ P. `

4 _1 g" |8 r0 C, Q3 g, nFHP50N06为N沟道沟槽工艺MOS管,适用于电机调速电路、100W-12V输入的逆变器。对标其它场效应管品牌型号:IRFZ44N、STP60NF06、FQP50N06。
6 k, P7 S$ o5 M  A. f+ o/ V$ r4 F
FHP50N06的封装形式除了TO-220,还有TO-252、TO-263两种形式。这款产品参数:Vgs(±V):25;VTH(V):2-4;ID(A):50A;BVdss(V):60V。
6 b0 D* H8 O" J! p- J. n) J. ^3 J4 ]3 h% A- M

. ?5 o" v" S7 Q5 a( p2 q- V综合以上的产品参数,场效应管代换建议用飞虹国产型号:FHP50N06型号参数来替代IRFZ44N型号。+ }+ ^* C2 d6 P
0 ^2 b- U) D6 c1 G$ W, s' Q5 M( {
60V、50A 的MOS管代换使用,选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管已经广泛应用于逆变器行业、电源电路、智能家居、新能源电子等领域,为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。
  s- w( s2 c1 I; G, X: K
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    2#
    发表于 2022-8-12 17:37 | 只看该作者
    MOS管要选择优质的,选择时电流电压都要选择合适的
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