微电子专业词汇

VIC56

微电子专业词汇Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验
Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子
. I6 ~; y' u0 G- z4 T6 HAccumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触
( [, l7 N! G! ?* ]Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层
Active region 有源区 Active component 有源元
Active device 有源器件 Activation 激活
Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区
Admittance 导纳 Allowed band 允带
  W2 N+ ~1 J* h& C. x9 ]4 xAlloy-junction device 合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝
Aluminum – oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化
* q  m% M+ X& k4 yAmbipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度
+ U; u, w4 Y4 Y; s, C% q/ vAmorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放 扩音器 放大器
* {8 v. A! q: b3 L! a$ a1 c2 ~1 ZAnalogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃
Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的
Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷
& X% R8 {, \$ e( X0 HAuger 俄歇 Auger process 俄歇过程
Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿
Avalanche excitation雪崩激发
Background carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂
) L8 k) S/ Z0 Y" u% \Backward 反向 Backward bias 反向偏置
Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合
Band 能带 Band gap 能带间隙
3 d4 |/ a* H1 v5 EBarrier 势垒 Barrier layer 势垒层
Barrier width 势垒宽度 Base 基极
5 @& b7 c8 V' VBase contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应
Base transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数
  a0 e- o7 e7 J* f) r1 A1 vBase-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢
9 Q$ F" v# [' P9 {  WBias 偏置 Bilateral switch 双向开关
9 F* `+ b* k, G. N1 O$ C' JBinary code 二进制代码 Binary compound semiconductor 二元化合物半导体
Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管
Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带
. Y. \5 I/ i$ S+ p% N0 G( Q- p* KBlocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方
% B  v' w- |3 b2 D5 X8 FBody-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼
' N: s: S, y9 i8 b! z% n0 @Bond 键、键合 Bonding electron 价电子
1 m  ]( A: p5 i$ ~5 v% m" \# uBonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路
" H/ x6 |4 }4 gBootstrapped emitter follower 自举射极跟随器 Boron 硼
9 w: e$ ?, R& |Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件
Bound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板
Break down 击穿 Break over 转折
Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区
Built-in 内建的 Build-in electric field 内建电场
$ l+ A; m& ]1 h5 K. q" E7 oBulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收
Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合
; R  m; E6 X! Z% Y4 n4 NBurn - in 老化 Burn out 烧毁
8 E! Z) T; A- A( M) ?$ vBuried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区

- 1 - Created by rainman微电子专业词汇
# A7 a; f. w& W# v. o* k9 ICan 外壳 Capacitance 电容
/ L' a" k: r/ j" N' O- O) CCapture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子
7 ?2 O/ M. H$ W  S/ UCarrier 载流子、载波 Carry bit 进位位
Carry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出
  m1 b* M# }! B/ B( oCascade 级联 Case 管壳
) ^* e7 e/ }$ c( S: E* _3 ?" `Cathode 阴极 Center 中心
4 `: p1 o( ]$ n& D2 h0 C+ tCeramic 陶瓷（的） Channel 沟道
Channel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流
Channel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短
Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻抗
6 `0 i% m; W3 K8 o/ lCharge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电荷补偿效应
& [" A, z( g! M8 j( jCharge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中性条件
Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储
Chemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光
Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片
Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位
Clamping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面
8 L( Y' U$ V& [5 hClock rate 时钟频率 Clock generator 时钟发生器
/ d; C- Z" [0 p$ ~4 aClock flip-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密堆积结构
Close-loop gain 闭环增益 Collector 集电极
Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放
4 ^# I% X6 v9 Q& r1 T4 jCommon-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接
Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接
Common-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入
Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比
: o/ [; G9 }, bCompatibility 兼容性 Compensation 补偿
Compensated impurities 补偿杂质 Compensated semiconductor 补偿半导体
8 p; r4 o* @1 L! `5 Z9 d3 aComplementary Darlington circuit 互补达林顿电路
% j2 c1 s) E& K8 L$ ?3 GComplementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS)
! \, C0 H- L( Q* U互补金属氧化物半导体场效应晶体管
Complementary error function 余误差函数
Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制造
$ _' @/ h& V" |) ^4 g  L$ t7 }" TCompound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导
Conduction band (edge) 导带(底) Conduction level/state 导带态
$ c6 x3 N' s/ e& P7 |% `0 kConductor 导体 Conductivity 电导率
$ f( N1 a. s; [8 gConfiguration 组态 Conlomb 库仑
2 D9 D, \2 G5 u/ b# A+ C8 z6 ~5 [Conpled Configuration Devices 结构组态 Constants 物理常数
5 e: Y0 Q- Z1 M; I5 f6 |# SConstant energy suRFace 等能面 Constant-source diffusion恒定源扩散
4 N' ~0 X: U% M- T6 G' IContact 接触 Contamination 治污
- a8 H: ^% ^' y' [: W; T  [6 TContinuity equation 连续性方程 Contact hole 接触孔
+ m* a# ?$ c0 \" LContact potential 接触电势 Continuity condition 连续性条件
Contra doping 反掺杂 Controlled 受控的
6 v7 s3 o- r" b4 QConverter 转换器 Conveyer 传输器
* v, R$ E4 ~! n4 C/ FCopper interconnection system 铜互连系统 Couping 耦合
Covalent 共阶的 Crossover 跨交
Critical 临界的 Crossunder 穿交
- B0 e7 [9 I9 o  a1 Y: ^Crucible 坩埚 Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格
Current density 电流密度 Curvature 曲率
. u* l8 E8 c4 d - 2 - Created by rainman微电子专业词汇
- 3 - Created by rainman
  l% s! t2 J" v5 ?! M* `Cut off 截止 Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享
- T- a' r% S8 [4 XCurrent Sense 电流取样 Curvature 弯曲
+ w, K) w9 H2 o1 ?8 G2 z: cCustom integrated circuit 定制集成电路 Cylindrical 柱面的
5 l! [, I7 Y3 R7 o; [Czochralshicrystal 直立单晶
! K, z: S; u3 \. ^  `3 ]Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz 法直拉晶体 J）
7 G: ^- I, j* J! p" y" eDangling bonds 悬挂键 Dark current 暗电流
Dead time 空载时间 Debye length 德拜长度
De.broglie 德布洛意 Decderate 减速
Decibel (dB) 分贝 Decode 译码
Deep acceptor level 深受主能级 Deep donor level 深施主能级
1 U, a; d" P' @  g9 g# p/ [) BDeep impurity level 深度杂质能级 Deep trap 深陷阱
Defeat 缺陷
Degenerate semiconductor 简并半导体 Degeneracy 简并度
# \: [+ w: G$ C: I& B$ N: {Degradation 退化 Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度
; {. n7 A0 T' W: }+ s4 GDelay 延迟 Density 密度
Density of states 态密度 Depletion 耗尽
0 e# ?( D1 y+ _Depletion approximation 耗尽近似 Depletion contact 耗尽接触
Depletion depth 耗尽深度 Depletion effect 耗尽效应
5 K7 i! w* z7 J" uDepletion layer 耗尽层 Depletion MOS 耗尽 MOS
Depletion region 耗尽区 Deposited film 淀积薄膜
Deposition process 淀积工艺 Design rules 设计规则
; |+ d; `) _5 g8 ]" LDie 芯片（复数 dice） Diode 二极管
+ _* B1 m4 }- |; ^Dielectric 介电的 Dielectric isolation 介质隔离
Difference-mode input 差模输入 Differential amplifier 差分放大器
2 K  _7 _: v" q0 w  oDifferential capacitance 微分电容 Diffused junction 扩散结
, Z. m, ?+ D" j5 xDiffusion 扩散 Diffusion coefficient 扩散系数
- G$ w5 h  `/ f8 PDiffusion constant 扩散常数 Diffusivity 扩散率
Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉
) R- r- }. w3 y+ o# t' QDigital circuit 数字电路 Dipole domain 偶极畴
% a# `' c) u2 \4 ^, @Dipole layer 偶极层 Direct-coupling 直接耦合
Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体 Direct transition 直接跃迁
% Y$ A' \* ^" o! f4 H1 N! ODischarge 放电 Discrete component 分立元件
Dissipation 耗散 Distribution 分布
Distributed capacitance 分布电容 Distributed model 分布模型
, [2 P8 q: W7 y4 `+ vDisplacement 位移 Dislocation 位错
: j5 v& I+ [( y, B. S) dDomain 畴 Donor 施主
7 b, Q3 Y/ G1 R7 P5 E3 k5 n3 W9 RDonor exhaustion 施主耗尽 Dopant 掺杂剂
! |. h2 H4 N# h" h/ K/ y5 @Doped semiconductor 掺杂半导体 Doping concentration 掺杂浓度
' M  m; X9 w0 b$ V! C6 l. GDouble-diffusive MOS(DMOS)双扩散 MOS.
Drift 漂移 Drift field 漂移电场
Drift mobility 迁移率 Dry etching 干法腐蚀
- J! q. v  [: u% V) W5 yDry/wet oxidation 干/湿法氧化 Dose 剂量
Duty cycle 工作周期 Dual-in-line package （DIP）
# Z' _3 d( N& Z: R' Z2 ~! P双列直插式封装
" c6 c6 ~% u" |  uDynamics 动态 Dynamic characteristics 动态属性
( w. _9 t" h/ F" }Dynamic impedance 动态阻抗
微电子专业词汇
* `2 l5 S! m) L9 G% U- lEarly effect 厄利效应 Early failure 早期失效
Effective mass 有效质量 Einstein relation(ship) 爱因斯坦关系
6 f3 \. b* n1 H8 eElectric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 一次性电可擦除只读存储器
1 N0 I* ]2 l+ p0 Z! OElectrode 电极 Electrominggratim 电迁移
- m8 l; _( e* k9 l0 W$ I: @7 t3 AElectron affinity 电子亲和势 Electronic -grade 电子能
: t2 D+ _9 E8 P  @+ pElectron-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电子束曝光
; G8 c& s9 ]- d/ Z* ^7 F6 A7 u5 TElectron gas 电子气 Electron-grade water 电子级纯水
2 p: e0 p4 K% _  u2 sElectron trapping center 电子俘获中心 Electron Volt (eV) 电子伏
5 B, w& `: z0 v, k+ A* ZElectrostatic 静电的 Element 元素/元件/配件
6 e2 O' D% ~: `1 ]Elemental semiconductor 元素半导体 Ellipse 椭圆
Ellipsoid 椭球 Emitter 发射极
Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑 Emitter-coupled pair 发射极耦合对
6 @6 w6 Z8 [. t5 m3 JEmitter follower 射随器 Empty band 空带
Emitter crowding effect 发射极集边（拥挤）效应
Endurance test =life test 寿命测试 Energy state 能态
- E4 }5 u! X: R1 Z& yEnergy momentum diagram 能量-动量(E-K)图 Enhancement mode 增强型模式
- D" z: L7 G( P, xEnhancement MOS 增强性 MOS Entefic (低)共溶的
$ J* _9 \6 M( N0 ?Environmental test 环境测试 Epitaxial 外延的
! I& P6 a' Y8 Z* IEpitaxial layer 外延层 Epitaxial slice 外延片
. D7 I/ D$ |5 P% E/ Z7 }Expitaxy 外延 Equivalent curcuit 等效电路
5 \  n& V7 n: D/ kEquilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子
# Z3 B! R1 b6 {7 ~6 IErasable Programmable ROM (EPROM)可搽取（编程）存储器
  Q' _% [3 a8 RError function complement 余误差函数
6 L2 g) r7 ~- |* U; v$ u$ F. X/ c7 REtch 刻蚀 Etchant 刻蚀剂
Etching mask 抗蚀剂掩模 Excess carrier 过剩载流子
Excitation energy 激发能 Excited state 激发态
Exciton 激子 Extrapolation 外推法
! P: e7 U! s' l  R/ iExtrinsic 非本征的 Extrinsic semiconductor 杂质半导体
Face - centered 面心立方 Fall time 下降时间
& R/ c9 Q3 q! P* K2 S2 d8 uFan-in 扇入 Fan-out 扇出
Fast recovery 快恢复 Fast surface states 快界面态
Feedback 反馈 Fermi level 费米能级
) o* Q2 _0 {! p- w/ ZFermi-Dirac Distribution 费米-狄拉克分布 Femi potential 费米势
: c, z3 ^, g( O2 d- v$ {Fick equation 菲克方程（扩散） Field effect transistor 场效应晶体管
/ ~+ f1 `7 d, w' kField oxide 场氧化层 Filled band 满带
: p1 ]( y! t  N* y* gFilm 薄膜 Flash memory 闪烁存储器
& {; V. ^8 {2 O# i7 I( w1 VFlat band 平带 Flat pack 扁平封装
2 D! h: m& V% w2 w+ J( S: eFlicker noise 闪烁（变）噪声 Flip-flop toggle 触发器翻转
Floating gate 浮栅 Fluoride etch 氟化氢刻蚀
Forbidden band 禁带 Forward bias 正向偏置
Forward blocking /conducting 正向阻断/导通
# D! I" t; P* r# _* b/ TFrequency deviation noise 频率漂移噪声
) M3 x, |" F5 f: M$ aFrequency response 频率响应 Function 函数
Gain 增益 Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化钾
1 U2 h7 f8 I, |0 _/ hGamy ray r 射线 Gate 门、栅、控制极
Gate oxide 栅氧化层 Gauss（ian） 高斯
- 4 - Created by rainman微电子专业词汇
Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布 Generation-recombination 产生-复合
& S/ c; G5 \$ cGeometries 几何尺寸 Germanium(Ge) 锗
/ J9 P& a5 m3 W# b& IGraded 缓变的 Graded (gradual) channel 缓变沟道
Graded junction 缓变结 Grain 晶粒
( {" B6 e, b- V. `3 d, j- rGradient 梯度 Grown junction 生长结
+ \' v9 C1 d/ t; JGuard ring 保护环 Gummel-Poom model 葛谋-潘 模型
Gunn - effect 狄氏效应
/ }2 D7 \' F+ s7 f1 `Hardened device 辐射加固器件 Heat of formation 形成热
Heat sink 散热器、热沉 Heavy/light hole band 重/轻 空穴带
/ T3 Q9 T! p% {9 |0 B2 K& I9 uHeavy saturation 重掺杂 Hell - effect 霍尔效应
Heterojunction 异质结 Heterojunction structure 异质结结构
Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）异质结双极型晶体
9 J& r! T1 h( V, E0 J! zHigh field property 高场特性
' |9 L) Z/ V. LHigh-performance MOS.( H-MOS)高性能 MOS. Hormalized 归一化
Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器 Hot carrior 热载流子
Hybrid integration 混合集成
5 R* j9 ]. _& |, z) wImage - force 镜象力 Impact ionization 碰撞电离
' Y- K9 f: l' b. N* x* G+ hImpedance 阻抗 Imperfect structure 不完整结构
Implantation dose 注入剂量 Implanted ion 注入离子
8 c8 w5 v/ o5 q) w7 i, Z! EImpurity 杂质 Impurity scattering 杂志散射
& R# f  U, b% K8 L" H6 }Incremental resistance 电阻增量（微分电阻）In-contact mask 接触式掩模
Indium tin oxide (ITO) 铟锡氧化物 Induced channel 感应沟道
' e* @6 G$ ~6 h9 z/ BInfrared 红外的 Injection 注入
: s: T, \& [, s# F/ wInput offset voltage 输入失调电压 Insulator 绝缘体
- |: {7 a/ M( O& G$ t, tInsulated Gate FET(IGFET)绝缘栅 FET Integrated injection logic 集成注入逻辑
# b& a! Q: o: H# [' [Integration 集成、积分 Interconnection 互连
Interconnection time delay 互连延时 Interdigitated structure 交互式结构
Interface 界面 Interference 干涉
2 C; J7 _3 ]2 ?$ b' iInternational system of unions 国际单位制 Internally scattering 谷间散射
Interpolation 内插法 Intrinsic 本征的
Intrinsic semiconductor 本征半导体 Inverse operation 反向工作
Inversion 反型 Inverter 倒相器
Ion 离子 Ion beam 离子束
1 a# b" |' |- r! @Ion etching 离子刻蚀 Ion implantation 离子注入
" A! y7 z; c: _' m& SIonization 电离 Ionization energy 电离能
Irradiation 辐照 Isolation land 隔离岛
Isotropic 各向同性
% G% ]% f  a- b4 ~, |Junction FET(JFET) 结型场效应管 Junction isolation 结隔离
( k8 ?$ d) o2 R' M9 C- q& `) zJunction spacing 结间距 Junction side-wall 结侧壁
# q9 Q+ @4 g( _# fLatch up 闭锁 Lateral 横向的
Lattice 晶格 Layout 版图
$ B% r$ O7 t3 v" z* W2 ]- i( \) MLattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟/晶
' t& D) X# b* l8 X格缺陷/晶格畸变
Leakage current （泄）漏电流 Level shifting 电平移动
- 5 - Created by rainman微电子专业词汇
Life time 寿命 linearity 线性度
Linked bond 共价键 Liquid Nitrogen 液氮
4 ^% @( [  |; L$ F+ q# ]. iLiquid－phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术
Lithography 光刻 Light Emitting Diode(LED) 发光二极管
4 I2 X" E( G6 X3 r5 JLoad line or Variable 负载线 Locating and Wiring 布局布线
9 P: N+ K! n0 U! e: X6 A' \$ CLongitudinal 纵向的 Logic swing 逻辑摆幅
2 K. c7 r+ e- \0 {% R( A7 CLorentz 洛沦兹 Lumped model 集总模型
Majority carrier 多数载流子 Mask 掩膜板，光刻板
, m) t+ `" t: r5 Y3 O: }Mask level 掩模序号 Mask set 掩模组
Mass - action law 质量守恒定律 Master-slave D flip-flop 主从 D 触发器
Matching 匹配 Maxwell 麦克斯韦
; s( Z8 t$ `2 \: x5 x# gMean free path 平均自由程 Meandered emitter junction梳状发射极结
Mean time before failure (MTBF) 平均工作时间
( V) |& A6 `$ @% }0 b& c, hMegeto - resistance 磁阻 Mesa 台面
+ P2 ~5 A, d/ R+ C. ~9 u0 t; PMESFET-Metal Semiconductor 金属半导体 FET
Metallization 金属化 Microelectronic technique 微电子技术
Microelectronics 微电子学 Millen indices 密勒指数
Minority carrier 少数载流子 Misfit 失配
& ?5 n; t9 _6 o  k/ E' D* nMismatching 失配 Mobile ions 可动离子
Mobility 迁移率 Module 模块
Modulate 调制 Molecular crystal 分子晶体
Monolithic IC 单片 IC MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管
Mos. Transistor(MOST )MOS. 晶体管 Multiplication 倍增
Modulator 调制 Multi-chip IC 多芯片 IC
5 ?4 m7 v+ E8 S2 iMulti-chip module(MCM) 多芯片模块 Multiplication coefficient 倍增因子
Naked chip 未封装的芯片（裸片） Negative feedback 负反馈
Negative resistance 负阻 Nesting 套刻
* p/ z* F: p% c2 mNegative-temperature-coefficient 负温度系数 Noise margin 噪声容限
Nonequilibrium 非平衡 Nonrolatile 非挥发（易失）性
Normally off/on 常闭/开 Numerical analysis 数值分析
Occupied band 满带 Officienay 功率
Offset 偏移、失调 On standby 待命状态
Ohmic contact 欧姆接触 Open circuit 开路
Operating point 工作点 Operating bias 工作偏置
Operational amplifier (OPAMP)运算放大器
1 A/ l+ h0 x% ?. Y' _7 WOptical photon =photon 光子 Optical quenching 光猝灭
# V: ]9 v3 e% `8 \1 A9 r- n5 }0 UOptical transition 光跃迁 Optical-coupled isolator 光耦合隔离器
Organic semiconductor 有机半导体 Orientation 晶向、定向
; Q/ \* J7 p: [  sOutline 外形 Out-of-contact mask 非接触式掩模
) e/ f2 F& Z+ W+ P4 U" _Output characteristic 输出特性 Output voltage swing 输出电压摆幅
) m. z; x* C* A$ y+ K' o4 JOvercompensation 过补偿 Over-current protection 过流保护
Over shoot 过冲 Over-voltage protection 过压保护
Overlap 交迭 Overload 过载
Oscillator 振荡器 Oxide 氧化物
Oxidation 氧化 Oxide passivation 氧化层钝化
- 6 - Created by rainman微电子专业词汇
, ~- }4 F2 _- W$ R/ p$ aPackage 封装 Pad 压焊点
" r5 ]- O! r* R2 P9 \0 J4 fParameter 参数 Parasitic effect 寄生效应
7 W* a7 i1 \: t2 pParasitic oscillation 寄生振荡 Passination 钝化
* s0 M! z2 h+ Z) ]* x+ ]Passive component 无源元件 Passive device 无源器件
: o+ J* D, [' d4 u$ z* dPassive surface 钝化界面 Parasitic transistor 寄生晶体管
Peak-point voltage 峰点电压 Peak voltage 峰值电压
Permanent-storage circuit 永久存储电路 Period 周期
Periodic table 周期表 Permeable - base 可渗透基区
" d( y' [% G7 K6 k+ `2 r* u9 EPhase-lock loop 锁相环 Phase drift 相移
Phonon spectra 声子谱
Photo conduction 光电导 Photo diode 光电二极管
1 h! G+ e" B- I$ y- V% j" z, QPhotoelectric cell 光电池
& V, V1 Z4 i8 H- XPhotoelectric effect 光电效应
Photoenic devices 光子器件 Photolithographic process 光刻工艺
(photo) resist （光敏）抗腐蚀剂 Pin 管脚
Pinch off 夹断 Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎（效应）
Planar process 平面工艺 Planar transistor 平面晶体管
Plasma 等离子体 Plezoelectric effect 压电效应
. F. p, }- L" I) d& o( @Poisson equation 泊松方程 Point contact 点接触
Polarity 极性 Polycrystal 多晶
Polymer semiconductor 聚合物半导体 Poly-silicon 多晶硅
- s4 ^2 J& @: |  r& ~5 yPotential (电)势 Potential barrier 势垒
/ H+ q+ J& |! X# a6 Y4 r/ MPotential well 势阱 Power dissipation 功耗
Power transistor 功率晶体管 Preamplifier 前置放大器
Primary flat 主平面 Principal axes 主轴
! |: l8 r6 M2 ^  @( {: Z. XPrint-circuit board(PCB) 印制电路板 Probability 几率
Probe 探针 Process 工艺
* o9 k+ w7 Y9 G8 u; T2 ZPropagation delay 传输延时 Pseudopotential method 膺势发
Punch through 穿通 Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制
Pulse Widen Modulator(PWM) 脉冲宽度调制
% T* l$ q9 q/ y* UPunchthrough 穿通 Push-pull stage 推挽级
' N: Q; V( I8 ^; U# a9 v8 GQuality factor 品质因子 Quantization 量子化
  J  E0 D! r5 M* ?; L- ~% CQuantum 量子 Quantum efficiency量子效应
" x4 [- z) @. r+ Z& D! I# P4 jQuantum mechanics 量子力学 Quasi – Fermi－level 准费米能级
9 w4 `+ t- E3 c( [4 e" t- G' T( XQuartz 石英
& q& k1 Y3 M& K6 M, h0 F% R5 X5 p4 DRadiation conductivity 辐射电导率 Radiation damage 辐射损伤
Radiation flux density 辐射通量密度 Radiation hardening 辐射加固
Radiation protection 辐射保护 Radiative - recombination辐照复合
. q3 ^' T5 Y$ u) n3 ~- y% }- [Radioactive 放射性 Reach through 穿通
Reactive sputtering source 反应溅射源 Read diode 里德二极管
. s: v$ J+ Z  r+ QRecombination 复合 Recovery diode 恢复二极管
Reciprocal lattice 倒核子 Recovery time 恢复时间
Rectifier 整流器（管） Rectifying contact 整流接触
- N1 t/ k# r# z0 i4 e% }Reference 基准点 基准 参考点 Refractive index 折射率
- u. t) W# W/ _( l/ x  w7 l4 aRegister 寄存器 Registration 对准
' V+ g$ O, }3 D9 o* \Regulate 控制 调整 Relaxation lifetime 驰豫时间
- 7 - Created by rainman微电子专业词汇
, }$ b  e. G! _' jReliability 可靠性 Resonance 谐振
- l4 ]7 }9 ^' w- f. HResistance 电阻 Resistor 电阻器
Resistivity 电阻率 Regulator 稳压管（器）
" g4 a' `' J3 X& X% s# a5 d2 ~Relaxation 驰豫 Resonant frequency共射频率
+ u# _+ Y8 m: j' WResponse time 响应时间 Reverse 反向的
/ T3 p+ o0 i. k( w) z# f% ]2 f0 eReverse bias 反向偏置
Sampling circuit 取样电路 Sapphire 蓝宝石（Al2O3）
Satellite valley 卫星谷 Saturated current range 电流饱和区
& ?. {9 @) \# J  U; XSaturation region 饱和区 Saturation 饱和的
2 p& _: K' q4 G( oScaled down 按比例缩小 Scattering 散射
Schockley diode 肖克莱二极管 Schottky 肖特基
3 o8 k" L+ @6 ?# d% t4 A7 ZSchottky barrier 肖特基势垒 Schottky contact 肖特基接触
Schrodingen 薛定厄 Scribing grid 划片格
( W3 E  B) ?8 k  o- G" y2 LSecondary flat 次平面
Seed crystal 籽晶 Segregation 分凝
) X0 {5 {# n! S4 s7 K4 H0 {Selectivity 选择性 Self aligned 自对准的
Self diffusion 自扩散 Semiconductor 半导体
, ?! W0 e% g7 fSemiconductor-controlled rectifier 可控硅 Sendsitivity 灵敏度
. }" ]% a. |3 ~! U4 O8 fSerial 串行/串联 Series inductance 串联电感
. t% X. e+ W9 r9 xSettle time 建立时间 Sheet resistance 薄层电阻
Shield 屏蔽 Short circuit 短路
1 u3 ^  N9 V; I3 {) g- sShot noise 散粒噪声 Shunt 分流
Sidewall capacitance 边墙电容 Signal 信号
Silica glass 石英玻璃 Silicon 硅
Silicon carbide 碳化硅 Silicon dioxide (SiO2) 二氧化硅
Silicon Nitride(Si3N4) 氮化硅 Silicon On Insulator 绝缘硅
* g" N5 O6 e* q& ], \; z) b: lSiliver whiskers 银须 Simple cubic 简立方
Single crystal 单晶 Sink 沉
$ d% W0 J( D, ~1 }) LSkin effect 趋肤效应 Snap time 急变时间
% _8 |. v7 s) a9 }$ p; Q5 L3 USneak path 潜行通路 Sulethreshold 亚阈的
Solar battery/cell 太阳能电池 Solid circuit 固体电路
8 G- f) o4 J3 `' Q/ o7 ^Solid Solubility 固溶度 Sonband 子带
Source 源极 Source follower 源随器
Space charge 空间电荷 Specific heat(PT) 热
Speed-power product 速度功耗乘积 Spherical 球面的
Spin 自旋 Split 分裂
- }; R) @0 m' v1 V! ESpontaneous emission 自发发射 Spreading resistance 扩展电阻
Sputter 溅射 Stacking fault 层错
' e9 L' D0 J7 l) v% O+ XStatic characteristic 静态特性 Stimulated emission 受激发射
Stimulated recombination 受激复合 Storage time 存储时间
0 |2 K% K; c, u" G4 C" nStress 应力 Straggle 偏差
Sublimation 升华 Substrate 衬底
Substitutional 替位式的 Superlattice 超晶格
6 n& ?0 n5 Q. D% P3 ASupply 电源 Surface 表面
Surge capacity 浪涌能力 Subscript 下标
Switching time 开关时间 Switch 开关
7 t/ a# [/ R; m. Q8 @" L" i7 { - 8 - Created by rainman微电子专业词汇
Tailing 扩展 Terminal 终端
6 ?1 ~1 m8 w7 h$ Z5 zTensor 张量 Tensorial 张量的
Thermal activation 热激发 Thermal conductivity 热导率
Thermal equilibrium 热平衡 Thermal Oxidation 热氧化
$ B7 y" l  b2 k  }% ]Thermal resistance 热阻 Thermal sink 热沉
Thermal velocity 热运动 Thermoelectricpovoer 温差电动势率
Thick-film technique 厚膜技术 Thin-film hybrid IC 薄膜混合集成电路
& s6 p2 F6 G0 V; C" HThin-Film Transistor(TFT) 薄膜晶体 Threshlod 阈值
" \9 l& T! q: |% Z3 `2 WThyistor 晶闸管 Transconductance 跨导
Transfer characteristic 转移特性 Transfer electron 转移电子
6 ]5 s9 W) t! {, FTransfer function 传输函数 Transient 瞬态的
( M0 Z) w' x7 Y1 k: L, W4 nTransistor aging(stress) 晶体管老化 Transit time 渡越时间
1 @) X1 T% d) A; iTransition 跃迁 Transition-metal silica 过度金属硅化物
3 U: E8 t$ N, w2 Z' v0 K9 ^# RTransition probability 跃迁几率 Transition region 过渡区
6 _3 R! a2 v* Y" X4 ^. C  O/ ?Transport 输运 Transverse 横向的
Trap 陷阱 Trapping 俘获
9 e; U; I- d* {+ R( [0 G/ fTrapped charge 陷阱电荷 Triangle generator 三角波发生器
Triboelectricity 摩擦电 Trigger 触发
0 ^) {" `+ [% k! |Trim 调配 调整 Triple diffusion 三重扩散
Truth table 真值表 Tolerahce 容差
) Y( n/ K# T, [Tunnel(ing) 隧道（穿） Tunnel current 隧道电流
9 J: a/ o- [. @% u+ P+ [% ^Turn over 转折 Turn - off time 关断时间
3 r# [1 T- F# e' ]$ _1 Z  E' QUltraviolet 紫外的 Unijunction 单结的
Unipolar 单极的 Unit cell 原（元）胞
Unity-gain frequency 单位增益频率 Unilateral-switch单向开关
  g6 i3 V& y" p0 b5 }8 RVacancy 空位 Vacuum 真空
+ c9 D2 L5 v6 q# [) d; p0 O5 n" i' LValence(value) band 价带 Value band edge 价带顶
" M& c( K1 F# L% h, oValence bond 价键 Vapour phase 汽相
Varactor 变容管 Varistor 变阻器
Vibration 振动 Voltage 电压
! J+ [! {. U: A+ {  KWafer 晶片 Wave equation 波动方程
Wave guide 波导 Wave number 波数
  S* M2 Q, L; B2 eWave-particle duality 波粒二相性 Wear-out 烧毁
" U, ]# ?& [" v- T" HWire routing 布线 Work function 功函数
9 E/ J& o$ W  T9 xWorst-case device 最坏情况器件
: f  ^2 b3 e; J/ O. Q8 gYield 成品率
Zener breakdown 齐纳击穿
Zone melting 区熔法
: W, }' m5 V7 |- I) {! F8 K - 9 - Created by rainman

架海梁心

大佬发表的帖子，感觉很厉害，很棒，在这里可以取得很大的收获，O(∩_∩)O哈哈~

RGB_lamp

详细啊，详细。学习
. Z+ A) k! }4 F4 h1 k4 `4 R9 {记录了