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微电子专业词汇Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验5 ] l( I( H; N7 O% g3 v5 N# ]
Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子3 a. l2 l" j" x! K& j/ ^, q
Accumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触% o- h$ B5 i8 U* Q' @7 J2 M# l
Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层& c* N D- x1 d' {9 v* ?' D
Active region 有源区 Active component 有源元7 G# L0 E# U2 u& v& M+ T
Active device 有源器件 Activation 激活
6 e5 V! g M. {( M4 V4 L6 @9 xActivation energy 激活能 Active region 有源（放大）区
8 T! d! @. V8 e2 Y: C, B& f* VAdmittance 导纳 Allowed band 允带
5 n9 X! A# M7 T8 l: c- d- o1 `Alloy-junction device 合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝9 t/ M# }# _! N
Aluminum – oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化
' H7 K/ r2 k {5 u# \Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度0 w& L% z, C( e
Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放 扩音器 放大器
5 h. K! ]% \2 m3 B% NAnalogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃8 N% h4 M% ~6 k8 }
Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的
8 w s& ^4 h/ H, y) bAnode 阳极 Arsenic (AS) 砷
3 t5 o# N" T6 L! QAuger 俄歇 Auger process 俄歇过程" E- F! }( {$ c H/ ]6 \$ T
Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿" d; v/ j. y3 i9 @" |6 M
Avalanche excitation雪崩激发
6 _+ b( }4 n* d5 M; _; t- C0 d& FBackground carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂
- F, C& u- e- M1 @0 @Backward 反向 Backward bias 反向偏置" M8 ^1 D6 ]- M5 u6 r# M2 l+ R
Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合
0 G" v* }" B( B2 D. uBand 能带 Band gap 能带间隙* e/ S2 e; I, d: H
Barrier 势垒 Barrier layer 势垒层% A3 _3 \* R% a! L. ^: R
Barrier width 势垒宽度 Base 基极8 c- Y8 [% ]# H$ B9 C$ ]) n2 f
Base contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应
+ b. C9 ~! T' X) R2 ~5 r; v' wBase transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数 3 e; M- T) ^- K5 [( J+ d- c
Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢 0 x* e! w5 _7 i7 o$ l
Bias 偏置 Bilateral switch 双向开关. N" c* H/ g! H. O+ I1 c
Binary code 二进制代码 Binary compound semiconductor 二元化合物半导体
; |# n. j/ j. a$ ^Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管
( \7 M, e5 @) n e; t' d- x: GBloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带
! B% p' i3 b* h2 z" cBlocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方5 Y0 u3 e& K4 d1 j# M( j0 `9 k: s
Body-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼
! \ @$ P0 a M4 ]+ aBond 键、键合 Bonding electron 价电子
* Z2 T$ k% c5 `8 X6 O8 PBonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路
# T5 d5 ^ b( N" a ?* YBootstrapped emitter follower 自举射极跟随器 Boron 硼' g& z$ S3 M7 q+ b" }; s0 H& F% i
Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件: h& |8 q) E" A: F& |( _! n
Bound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板
; X1 l. W0 B- `! F* e% JBreak down 击穿 Break over 转折
/ q+ h- p, b% U% ]2 ]3 M4 d) KBrillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区0 }" W8 T- [4 c- F6 }) X
Built-in 内建的 Build-in electric field 内建电场( T0 L( _: r+ j/ M
Bulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收
4 x" D; U5 A" H. X" T+ V' ?Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合* W) p9 y" J: i, M
Burn - in 老化 Burn out 烧毁; ~9 Y; B+ @2 Z
Buried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区
: O9 g, g- U3 X - c. i8 T" `6 j" D/ C6 [
- 1 - Created by rainman微电子专业词汇+ N4 _. j* l; G# r5 i3 Z4 C+ ?& R
Can 外壳 Capacitance 电容
- E+ N$ W3 d: H- LCapture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子
: m3 x& E/ g+ p G% U) Q) LCarrier 载流子、载波 Carry bit 进位位
& S$ D, b+ U% Q% p5 m/ d+ tCarry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出
O% u; h% g: a! W, ^$ k' f- ACascade 级联 Case 管壳 , ?7 ?5 p4 _6 P4 s0 l! Z
Cathode 阴极 Center 中心
' O, |. E$ }4 W+ t4 `; YCeramic 陶瓷（的） Channel 沟道
& y+ |% X& U# fChannel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流8 D+ P* f2 H; H! Q5 \
Channel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短
- U2 x c, T, ^# ?& S% N4 VChannel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻抗5 G% ]8 `& e4 r- u
Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电荷补偿效应0 b f2 C6 @+ \% Z) T
Charge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中性条件
/ y7 |. O1 l x' W* R# ?Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储
0 h- y h# a, A2 x; M9 j5 ]. ^2 ~8 [Chemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光. [, I! c. N) }/ D
Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片
9 q A0 X1 ]0 x) _ ?Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位8 P, y% g" q9 |6 I/ q0 N
Clamping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面& m7 B0 L% ~$ O% ]* O8 R
Clock rate 时钟频率 Clock generator 时钟发生器' J/ j" f9 q4 k6 S, \+ j
Clock flip-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密堆积结构
' ^2 X* N, H8 }8 Q: zClose-loop gain 闭环增益 Collector 集电极" F, b! n- w/ a4 I
Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放7 ]% C" Q4 {5 |+ x
Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接
( z+ X* }; W6 Z& FCommon-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接
& [. K% S2 k# @3 d/ R' LCommon-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入1 ^# X% N/ F' c0 {4 \) I( d _
Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比* a; {4 E5 a0 T1 C3 F
Compatibility 兼容性 Compensation 补偿/ @/ W. f( T5 _2 z! ^) q
Compensated impurities 补偿杂质 Compensated semiconductor 补偿半导体3 r- J0 r3 I0 P* d7 L$ P
Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路
# v) Q! L. o) Y8 P" ]7 F3 qComplementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS)
4 |4 U7 I; Q- s) ~' M" x# v互补金属氧化物半导体场效应晶体管
7 O7 E& l& C" E# c! OComplementary error function 余误差函数& C' r# r4 K8 h8 T& |
Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制造
* l) a( }7 @1 u$ K) k) C' OCompound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导
$ e8 r8 ^, F; B$ Y( q* LConduction band (edge) 导带(底) Conduction level/state 导带态 + m* @/ _0 G1 W D/ O7 }6 `
Conductor 导体 Conductivity 电导率
" ?6 h* A/ i. b( g/ zConfiguration 组态 Conlomb 库仑
5 r& u$ k$ p& Y( }% N( oConpled Configuration Devices 结构组态 Constants 物理常数
( I* ?; U( Z/ NConstant energy suRFace 等能面 Constant-source diffusion恒定源扩散
& t, h* |0 U7 l+ g5 dContact 接触 Contamination 治污 * @$ h7 k% A5 ^
Continuity equation 连续性方程 Contact hole 接触孔" k9 |1 _" ^$ l2 m+ b
Contact potential 接触电势 Continuity condition 连续性条件
1 U% [0 N# s" @9 I; QContra doping 反掺杂 Controlled 受控的- b$ R& A# }0 N
Converter 转换器 Conveyer 传输器2 ^# w+ }9 J7 K
Copper interconnection system 铜互连系统 Couping 耦合
. @! a. |" }# y% C" |* \Covalent 共阶的 Crossover 跨交
: v; N. x3 O3 B7 G6 d0 vCritical 临界的 Crossunder 穿交 + f7 E' Y$ o, g6 C% @ V
Crucible 坩埚 Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格
/ z. N7 H7 x7 o; m* d/ fCurrent density 电流密度 Curvature 曲率7 c j; S' ?$ i9 D6 O. Z1 H% m B
- 2 - Created by rainman微电子专业词汇
! H' t7 l- f1 k" E* w3 s' p - 3 - Created by rainman
& A: m+ T( T8 L9 `Cut off 截止 Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享
% ~. r- l2 x* n* V) [% xCurrent Sense 电流取样 Curvature 弯曲
9 n+ t Q1 A i+ X5 tCustom integrated circuit 定制集成电路 Cylindrical 柱面的
2 e# j) m3 {; e$ a* ?3 E ~2 i8 V: |Czochralshicrystal 直立单晶/ M, A& R+ }: X. E' x
Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz 法直拉晶体 J）; T; A7 ?7 G# A3 M
Dangling bonds 悬挂键 Dark current 暗电流) V, q2 v3 D! b. X9 w3 ~
Dead time 空载时间 Debye length 德拜长度0 N& ]# Q' r- W! b1 o
De.broglie 德布洛意 Decderate 减速; o1 f* V0 e4 S) T" i5 V" K* U. v; t
Decibel (dB) 分贝 Decode 译码5 C( Z1 e$ n1 J6 |, `% G/ k: v
Deep acceptor level 深受主能级 Deep donor level 深施主能级# f7 ?7 V" g- H( w1 F( X
Deep impurity level 深度杂质能级 Deep trap 深陷阱
" M( h5 \1 \6 M$ K6 [- u0 mDefeat 缺陷
9 j( b( W' d v l! ]# ZDegenerate semiconductor 简并半导体 Degeneracy 简并度
: s! c8 b0 ]6 e, uDegradation 退化 Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度
( s+ p- e4 l! g. ?Delay 延迟 Density 密度% ]$ n7 \& D3 v6 l# S5 t' v
Density of states 态密度 Depletion 耗尽
* ~& ?- A) ]8 q( M# sDepletion approximation 耗尽近似 Depletion contact 耗尽接触
: P& o9 L g1 J2 Z+ @* n( u, ?Depletion depth 耗尽深度 Depletion effect 耗尽效应
+ G% G. W; [! `& z2 CDepletion layer 耗尽层 Depletion MOS 耗尽 MOS & F! W, y% @" ]. W: i, k S% o7 Y
Depletion region 耗尽区 Deposited film 淀积薄膜! b+ P# T' L9 x3 g/ D, o9 {
Deposition process 淀积工艺 Design rules 设计规则& O1 V. d2 A4 E/ h" g2 `
Die 芯片（复数 dice） Diode 二极管9 ]* e# X5 Z2 k* T& A
Dielectric 介电的 Dielectric isolation 介质隔离& J0 Z. Y7 r6 x ?8 I
Difference-mode input 差模输入 Differential amplifier 差分放大器
; G/ d+ y l Z8 z; ODifferential capacitance 微分电容 Diffused junction 扩散结
4 [* J7 a' r1 T6 q3 |Diffusion 扩散 Diffusion coefficient 扩散系数; m9 m4 x0 `7 n
Diffusion constant 扩散常数 Diffusivity 扩散率1 k5 o) Q( Y2 I, J2 R8 z- Q6 N
Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉) _- _' d+ E, K
Digital circuit 数字电路 Dipole domain 偶极畴( G& b" e3 E; ], u
Dipole layer 偶极层 Direct-coupling 直接耦合
: ^' f& L' b) g5 P3 C- SDirect-gap semiconductor 直接带隙半导体 Direct transition 直接跃迁
3 E* o6 L; V6 w9 L0 n4 g# bDischarge 放电 Discrete component 分立元件 b' ~* k# h$ ~2 ^/ C* }
Dissipation 耗散 Distribution 分布( x5 K( N. x' [- U
Distributed capacitance 分布电容 Distributed model 分布模型1 k* j9 [, q2 f0 f/ W/ A; w; M
Displacement 位移 Dislocation 位错
+ A1 m4 g( [1 P7 X! ?6 t aDomain 畴 Donor 施主
) f* O% k1 y0 i1 _6 E" \7 {Donor exhaustion 施主耗尽 Dopant 掺杂剂* P$ c* O! A) M, {7 g
Doped semiconductor 掺杂半导体 Doping concentration 掺杂浓度 # K s% U& x; I! M/ \1 C
Double-diffusive MOS(DMOS)双扩散 MOS.- a4 Y( \: x, n3 i X* _: F
Drift 漂移 Drift field 漂移电场$ p$ m2 X6 K. S+ b( i2 R
Drift mobility 迁移率 Dry etching 干法腐蚀
% R! J4 [& }% E2 S6 I( {* XDry/wet oxidation 干/湿法氧化 Dose 剂量
8 B, i# Q0 f0 q! ?! Q9 L) WDuty cycle 工作周期 Dual-in-line package （DIP） 8 I8 l! A4 _# i2 S1 a
双列直插式封装
! `1 f2 g6 f9 ?5 M3 ZDynamics 动态 Dynamic characteristics 动态属性0 o, V# ` T# s# S; Y$ O7 x4 T
Dynamic impedance 动态阻抗
) ~" B. o3 ?5 m( c; m3 I' O 微电子专业词汇
5 Y ?2 e7 V' l2 k: kEarly effect 厄利效应 Early failure 早期失效: M+ r+ f( o, c& ]" c9 c
Effective mass 有效质量 Einstein relation(ship) 爱因斯坦关系
1 G$ g6 {: _7 k: R$ G( p6 AElectric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 一次性电可擦除只读存储器" L: k6 A2 e* p s( l( J D- x
Electrode 电极 Electrominggratim 电迁移
; `- [& F5 D0 E9 \9 {4 cElectron affinity 电子亲和势 Electronic -grade 电子能
1 g' h, F( L5 j. q X( dElectron-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电子束曝光
2 U( C: e2 M0 J* DElectron gas 电子气 Electron-grade water 电子级纯水 3 Y9 O3 |& m I' C
Electron trapping center 电子俘获中心 Electron Volt (eV) 电子伏3 g& E! Z5 E; y3 D" ~
Electrostatic 静电的 Element 元素/元件/配件' E5 g+ F4 c8 y/ g5 z0 w
Elemental semiconductor 元素半导体 Ellipse 椭圆
( o2 T. `+ X& f: x, XEllipsoid 椭球 Emitter 发射极
: X6 W( Z& q# c0 DEmitter-coupled logic 发射极耦合逻辑 Emitter-coupled pair 发射极耦合对 . f9 ?( O8 y8 Y" Y
Emitter follower 射随器 Empty band 空带. j* w/ o. f; v# e3 |
Emitter crowding effect 发射极集边（拥挤）效应 - q" ~$ N/ z3 `4 x7 z3 C% S& L
Endurance test =life test 寿命测试 Energy state 能态
' W* U4 `- T: |& P& w0 z. ^% |Energy momentum diagram 能量-动量(E-K)图 Enhancement mode 增强型模式+ w5 N1 L+ O* E$ ^, p
Enhancement MOS 增强性 MOS Entefic (低)共溶的; F" Q1 s1 R) T. Y8 E3 w
Environmental test 环境测试 Epitaxial 外延的! c1 C' |5 l$ p' L5 P
Epitaxial layer 外延层 Epitaxial slice 外延片
! d: _2 Y6 L& `5 T( UExpitaxy 外延 Equivalent curcuit 等效电路
$ u& E8 C& a0 }- r: k/ f; N, mEquilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子8 L/ Y' V6 p: n% N+ B" ~8 L) f; d
Erasable Programmable ROM (EPROM)可搽取（编程）存储器3 ^$ I, s' l n$ Q
Error function complement 余误差函数
; y U2 s9 V5 [7 y. sEtch 刻蚀 Etchant 刻蚀剂
' I/ m0 m% H. V% s% s% _Etching mask 抗蚀剂掩模 Excess carrier 过剩载流子; @9 |. t" w2 s& B
Excitation energy 激发能 Excited state 激发态6 d: |- {6 w1 B2 q1 P3 w
Exciton 激子 Extrapolation 外推法
% c5 n1 B* Q3 w3 W7 N, G; }$ ^% n5 ^Extrinsic 非本征的 Extrinsic semiconductor 杂质半导体+ O6 a3 w9 K, D- Z q& l7 L1 C8 Q
Face - centered 面心立方 Fall time 下降时间' Z- D, h' I% O) g* R& ?5 l
Fan-in 扇入 Fan-out 扇出
/ \2 Z3 g* |; VFast recovery 快恢复 Fast surface states 快界面态( \8 C& s$ `5 r
Feedback 反馈 Fermi level 费米能级
6 m% A. F$ C6 y _: iFermi-Dirac Distribution 费米-狄拉克分布 Femi potential 费米势
. m% \2 E3 R9 I8 i2 [7 Z6 }5 ?: h LFick equation 菲克方程（扩散） Field effect transistor 场效应晶体管- Q8 V- p! P; d
Field oxide 场氧化层 Filled band 满带
, i5 U( G2 y3 p4 |$ c2 D" }' zFilm 薄膜 Flash memory 闪烁存储器9 X. |( H( H( N. Y6 z5 h
Flat band 平带 Flat pack 扁平封装
4 L" @! e% B7 V2 q5 RFlicker noise 闪烁（变）噪声 Flip-flop toggle 触发器翻转! a1 J5 [: R% D% |8 v
Floating gate 浮栅 Fluoride etch 氟化氢刻蚀
; V* B) q) [% {' ~; {2 I/ I# S zForbidden band 禁带 Forward bias 正向偏置
$ u4 m a) Z8 w7 l5 ?Forward blocking /conducting 正向阻断/导通7 g! C4 }: o' ~! k5 n, F( T2 i
Frequency deviation noise 频率漂移噪声
$ x1 s y/ ], M g7 a \. MFrequency response 频率响应 Function 函数
. X7 R {% x! h9 PGain 增益 Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化钾
% r9 Q; z: a0 U: ~1 j4 ]Gamy ray r 射线 Gate 门、栅、控制极; U( Q: e4 C- o+ E: m7 @
Gate oxide 栅氧化层 Gauss（ian） 高斯
$ }6 t# S/ Y. R3 J9 @6 q6 V - 4 - Created by rainman微电子专业词汇8 W- u$ {) B3 n4 t9 X
Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布 Generation-recombination 产生-复合
: C! H: R0 ?% U6 T0 mGeometries 几何尺寸 Germanium(Ge) 锗% M. ?% _ i% D; H+ Y( k: |0 \
Graded 缓变的 Graded (gradual) channel 缓变沟道
2 V4 c- y: m" _3 x1 FGraded junction 缓变结 Grain 晶粒
$ M c- ]- N+ J. \" F3 TGradient 梯度 Grown junction 生长结
" f+ r" S+ L; m7 |. QGuard ring 保护环 Gummel-Poom model 葛谋-潘 模型8 d7 c1 H6 y# v& t! {" m
Gunn - effect 狄氏效应 & |; N7 K) m, U/ G
Hardened device 辐射加固器件 Heat of formation 形成热$ P" h: F" Q$ p ?* t6 d" d
Heat sink 散热器、热沉 Heavy/light hole band 重/轻 空穴带
2 V% b3 ?' {- |: q0 \Heavy saturation 重掺杂 Hell - effect 霍尔效应
/ e6 d+ E- V- J! `. J, eHeterojunction 异质结 Heterojunction structure 异质结结构) ^6 C- Y! f. b% }
Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）异质结双极型晶体6 t: a8 ^5 J( N+ R9 e% V5 B- l
High field property 高场特性
+ \# L- k7 _0 j. m) }$ |5 HHigh-performance MOS.( H-MOS)高性能 MOS. Hormalized 归一化
- O/ V Y) S2 t5 P. vHorizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器 Hot carrior 热载流子
8 S0 V) N, ~: W+ BHybrid integration 混合集成# J5 J/ S0 E! f) J3 h" u
Image - force 镜象力 Impact ionization 碰撞电离6 I$ p% C7 P; t N# C* n
Impedance 阻抗 Imperfect structure 不完整结构
! W8 \/ A, _* l4 ^) rImplantation dose 注入剂量 Implanted ion 注入离子
3 n7 p6 Z! a& oImpurity 杂质 Impurity scattering 杂志散射0 R) J6 v" O X. r% C
Incremental resistance 电阻增量（微分电阻）In-contact mask 接触式掩模
6 G3 W# {3 _5 w7 V1 J( eIndium tin oxide (ITO) 铟锡氧化物 Induced channel 感应沟道
( |4 m' `! s2 k; H7 HInfrared 红外的 Injection 注入
L. B/ o2 f- n& |8 Y9 W% \3 m0 vInput offset voltage 输入失调电压 Insulator 绝缘体
$ e* w- b! j' c% H0 N9 f) m6 SInsulated Gate FET(IGFET)绝缘栅 FET Integrated injection logic 集成注入逻辑
+ v2 Q& ?3 }- Z" Z$ ?+ q; OIntegration 集成、积分 Interconnection 互连& {: Z) I+ b# ]; l3 D
Interconnection time delay 互连延时 Interdigitated structure 交互式结构 $ V, L& z; w' o/ z/ K/ W, n% Q5 s
Interface 界面 Interference 干涉
! L, }* p v7 b* uInternational system of unions 国际单位制 Internally scattering 谷间散射, S& g" U& f1 N
Interpolation 内插法 Intrinsic 本征的 2 P1 t. K6 U7 i* e V2 S1 u* X; q3 q( b
Intrinsic semiconductor 本征半导体 Inverse operation 反向工作
* D a0 C: C1 W5 _$ KInversion 反型 Inverter 倒相器8 m/ U3 d- O5 S5 k( V" C1 z
Ion 离子 Ion beam 离子束
) ~9 j* D7 ]3 g9 H/ @" bIon etching 离子刻蚀 Ion implantation 离子注入0 O- t2 u, w5 C6 y; I' H+ Q
Ionization 电离 Ionization energy 电离能+ ~2 Y" x. V. O! G
Irradiation 辐照 Isolation land 隔离岛
) n! r- \, r0 q4 Q- o, j* [7 PIsotropic 各向同性2 m6 x) D8 Q( z. Y# I2 L3 H
Junction FET(JFET) 结型场效应管 Junction isolation 结隔离
3 D* S5 S9 Q9 OJunction spacing 结间距 Junction side-wall 结侧壁! N3 A! @ N% {+ P& t
Latch up 闭锁 Lateral 横向的8 y" c4 T; H3 Q; Y9 E
Lattice 晶格 Layout 版图 w$ I* L% ^, n( Y: o
Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟/晶: ^) l7 U; h' n6 p
格缺陷/晶格畸变
# E M4 k* p. d: X/ I9 e; T& HLeakage current （泄）漏电流 Level shifting 电平移动1 x& j1 t8 H) m/ U( E2 v
- 5 - Created by rainman微电子专业词汇2 t: o. @( N- L
Life time 寿命 linearity 线性度
1 ` p" H) K) _5 G4 f5 H& FLinked bond 共价键 Liquid Nitrogen 液氮+ N2 |% Y+ l9 u" {! z$ h& g g
Liquid－phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术 $ @& N+ p' }$ e% ]8 @* c% J
Lithography 光刻 Light Emitting Diode(LED) 发光二极管. v$ i# P! G5 ~1 l
Load line or Variable 负载线 Locating and Wiring 布局布线- E4 u6 y: a" H
Longitudinal 纵向的 Logic swing 逻辑摆幅
9 X' G H5 p0 M, o: G( Y, S* Y9 S6 hLorentz 洛沦兹 Lumped model 集总模型7 b5 f( Z! S, d7 v# {& M
Majority carrier 多数载流子 Mask 掩膜板，光刻板
7 {5 o& h7 |% r, r1 W" J, MMask level 掩模序号 Mask set 掩模组
% W2 g* X: [& n0 T3 R7 j( b6 _Mass - action law 质量守恒定律 Master-slave D flip-flop 主从 D 触发器; A5 [! h) T7 [6 v' [1 o
Matching 匹配 Maxwell 麦克斯韦2 U7 a, J" y+ Z1 g) q& D
Mean free path 平均自由程 Meandered emitter junction梳状发射极结
2 M1 M- n: O+ U; Y9 t0 S9 P2 ?+ KMean time before failure (MTBF) 平均工作时间
: t( x2 R- z$ P7 L# @3 L8 ?Megeto - resistance 磁阻 Mesa 台面
/ P" ~: \. K& ^1 b' Q+ t3 AMESFET-Metal Semiconductor 金属半导体 FET/ ^4 y; O1 ~: x
Metallization 金属化 Microelectronic technique 微电子技术
) d. s9 Z/ s+ uMicroelectronics 微电子学 Millen indices 密勒指数/ f W# _' j/ @0 Q! d
Minority carrier 少数载流子 Misfit 失配
3 b8 ~! d2 C, f( ^/ ^' `" `2 f6 SMismatching 失配 Mobile ions 可动离子 % `6 L" M7 e% ~! Z' W: [/ [) f$ Y
Mobility 迁移率 Module 模块3 w- I, O; U# |3 s# r1 [
Modulate 调制 Molecular crystal 分子晶体
8 @9 w$ l, A$ v$ U* H( C/ XMonolithic IC 单片 IC MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管
6 ~4 O9 N) Z3 P) V/ rMos. Transistor(MOST )MOS. 晶体管 Multiplication 倍增7 d, p& a' |& k: [1 H! V6 g6 K
Modulator 调制 Multi-chip IC 多芯片 IC 9 r# f# F, F' g8 B' {
Multi-chip module(MCM) 多芯片模块 Multiplication coefficient 倍增因子
! i9 ?1 }7 q( j& n% B) a+ g# bNaked chip 未封装的芯片（裸片） Negative feedback 负反馈4 O5 _4 v& C8 Q k# G
Negative resistance 负阻 Nesting 套刻
! f* ~& b" T) V3 GNegative-temperature-coefficient 负温度系数 Noise margin 噪声容限
+ }5 g( D9 r. ~$ wNonequilibrium 非平衡 Nonrolatile 非挥发（易失）性, X* A1 K6 I3 d8 ~6 x' X3 }& b
Normally off/on 常闭/开 Numerical analysis 数值分析% B- ]# i/ {& {/ F
Occupied band 满带 Officienay 功率# L+ I6 {) O; G& B9 Z. n: e
Offset 偏移、失调 On standby 待命状态* a: u" Q& n5 `' k$ p3 c. f
Ohmic contact 欧姆接触 Open circuit 开路* a9 s, t, z: L& x5 O& _3 f
Operating point 工作点 Operating bias 工作偏置
0 @& F0 S! @; hOperational amplifier (OPAMP)运算放大器
+ a, w; Q6 T; H+ w' G) fOptical photon =photon 光子 Optical quenching 光猝灭
% v( k4 `. B6 n4 U( [5 K; EOptical transition 光跃迁 Optical-coupled isolator 光耦合隔离器$ q' t$ ], Z1 S# l: F- y# `/ R7 W$ F
Organic semiconductor 有机半导体 Orientation 晶向、定向* o. x$ j% y( h) ^- E, d! B
Outline 外形 Out-of-contact mask 非接触式掩模5 k4 i% z8 x6 T( _
Output characteristic 输出特性 Output voltage swing 输出电压摆幅
( U( Z# B- b. I/ v6 rOvercompensation 过补偿 Over-current protection 过流保护
$ B1 W' e; F* i1 MOver shoot 过冲 Over-voltage protection 过压保护. v# O6 H9 s5 a$ Z0 ^
Overlap 交迭 Overload 过载
8 ^/ D0 v7 k3 P1 p" l XOscillator 振荡器 Oxide 氧化物 6 W1 P ?* y5 j. M
Oxidation 氧化 Oxide passivation 氧化层钝化/ n* e0 v2 M& T6 ^7 V+ x) v/ c
- 6 - Created by rainman微电子专业词汇5 Q, u3 g5 p& U# b/ D
Package 封装 Pad 压焊点
7 h! f5 @% S" @5 |Parameter 参数 Parasitic effect 寄生效应+ d; o/ B, Y1 q7 z' L2 `
Parasitic oscillation 寄生振荡 Passination 钝化
4 s- d; q; A I; l VPassive component 无源元件 Passive device 无源器件8 y$ Q' F5 r( _ Z$ j) n* T' m' S+ D
Passive surface 钝化界面 Parasitic transistor 寄生晶体管 ' S! Q+ e" h% u. e
Peak-point voltage 峰点电压 Peak voltage 峰值电压
( q, z+ \% k) Z# aPermanent-storage circuit 永久存储电路 Period 周期
1 N' h8 G. _. ^Periodic table 周期表 Permeable - base 可渗透基区
+ }* _# ^8 a: K. W3 O xPhase-lock loop 锁相环 Phase drift 相移
* G! P) a0 h9 U% {( IPhonon spectra 声子谱+ a$ ~: @* }6 I
Photo conduction 光电导 Photo diode 光电二极管; }( O4 \2 ` g/ S2 }: c1 D
Photoelectric cell 光电池5 ^8 ?; ~. ^* `, m! G
Photoelectric effect 光电效应 8 }" x5 x B) [- M4 M/ e
Photoenic devices 光子器件 Photolithographic process 光刻工艺7 T% [* b0 z3 J$ L. M9 l4 o* Z4 t
(photo) resist （光敏）抗腐蚀剂 Pin 管脚8 E4 w! [: v5 A1 `" s- N7 n3 |
Pinch off 夹断 Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎（效应）
. [, k( c, Q4 Z6 EPlanar process 平面工艺 Planar transistor 平面晶体管
# \7 Y7 s8 F6 b0 ZPlasma 等离子体 Plezoelectric effect 压电效应, X, }2 w3 J8 C9 j% M6 ~ L
Poisson equation 泊松方程 Point contact 点接触) J9 z4 |7 ~. a& s$ c
Polarity 极性 Polycrystal 多晶. G8 H }& s7 n6 h i7 Q! o, b
Polymer semiconductor 聚合物半导体 Poly-silicon 多晶硅
+ Q& r; w# ]# C# H" I- q0 P+ b: b% JPotential (电)势 Potential barrier 势垒
2 W7 t4 [3 e5 ], f- F7 APotential well 势阱 Power dissipation 功耗5 Q2 Y+ @8 Z5 n0 G- k. z/ g
Power transistor 功率晶体管 Preamplifier 前置放大器
* R% ?! F4 E# M1 p4 i9 `Primary flat 主平面 Principal axes 主轴! F( {$ y4 m4 Z1 D" `% i5 v& D7 J
Print-circuit board(PCB) 印制电路板 Probability 几率% C# x3 q. B9 p6 c3 Y
Probe 探针 Process 工艺2 A5 _; S0 _# }: s2 t
Propagation delay 传输延时 Pseudopotential method 膺势发
( g1 n. z3 F' ~/ A2 uPunch through 穿通 Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制# V( e) F* a. ]+ }9 T
Pulse Widen Modulator(PWM) 脉冲宽度调制
0 ?5 G: M8 F; v# j8 yPunchthrough 穿通 Push-pull stage 推挽级
; c0 h( i8 n+ x2 r0 u5 @$ dQuality factor 品质因子 Quantization 量子化
! L0 w4 y% f' C% g$ x3 GQuantum 量子 Quantum efficiency量子效应6 |/ i$ t; x3 f! p" n" e. Q
Quantum mechanics 量子力学 Quasi – Fermi－level 准费米能级
0 @+ X* M$ j3 b _8 [$ {; WQuartz 石英& ?" L' f: g5 G4 @6 Z" @1 {* k
Radiation conductivity 辐射电导率 Radiation damage 辐射损伤% f" ]% j0 S2 y4 g9 u
Radiation flux density 辐射通量密度 Radiation hardening 辐射加固2 Y" T4 @9 C. R9 l9 t: A( U; @
Radiation protection 辐射保护 Radiative - recombination辐照复合
' w; z z9 C1 o& T4 V; _Radioactive 放射性 Reach through 穿通4 F* s! I4 s8 v' w8 s
Reactive sputtering source 反应溅射源 Read diode 里德二极管6 n6 t) `- z: g8 D, Q. ^
Recombination 复合 Recovery diode 恢复二极管$ W% ^* ~0 o9 T8 F1 T* z; ]( g ^
Reciprocal lattice 倒核子 Recovery time 恢复时间+ P% Z! v9 d& y
Rectifier 整流器（管） Rectifying contact 整流接触8 ^+ \8 B u/ P
Reference 基准点 基准 参考点 Refractive index 折射率9 }! i& D0 E; g' K9 ]' B$ K; o
Register 寄存器 Registration 对准
+ x6 h9 i# g8 `3 r5 pRegulate 控制 调整 Relaxation lifetime 驰豫时间. P4 D% j. {4 ~2 L1 `
- 7 - Created by rainman微电子专业词汇' a9 D. j2 f5 _! B! a5 c) [9 g! [
Reliability 可靠性 Resonance 谐振
5 \8 d9 ~( y' I& M' QResistance 电阻 Resistor 电阻器
. j1 V% T) D; M( d/ A9 Z: X3 q" |Resistivity 电阻率 Regulator 稳压管（器）
* k4 h8 o& G, L5 M: e1 |Relaxation 驰豫 Resonant frequency共射频率 2 _ {4 F- Z( I& B7 _) U
Response time 响应时间 Reverse 反向的
0 ~0 [% y* t4 YReverse bias 反向偏置
) k% @& w3 W; e [: n0 m2 ?Sampling circuit 取样电路 Sapphire 蓝宝石（Al2O3）: Q7 k4 E v4 _0 f; i
Satellite valley 卫星谷 Saturated current range 电流饱和区
6 E, k- U7 j2 y1 [* L% L* W# PSaturation region 饱和区 Saturation 饱和的 # w" O/ R& n8 H. H Y
Scaled down 按比例缩小 Scattering 散射5 g7 q! d9 p& s
Schockley diode 肖克莱二极管 Schottky 肖特基 , E. u3 u/ p8 K- j1 m/ O& A* L8 y
Schottky barrier 肖特基势垒 Schottky contact 肖特基接触: P' j+ S5 d" [) V8 d, X
Schrodingen 薛定厄 Scribing grid 划片格 Q) z- H7 ~, _0 u+ }' J
Secondary flat 次平面
% N! I: ^4 X9 a. USeed crystal 籽晶 Segregation 分凝6 J; @6 ^/ f$ Q8 W4 q( W+ U
Selectivity 选择性 Self aligned 自对准的
& K, c' m( ~( R* O0 MSelf diffusion 自扩散 Semiconductor 半导体. g( _2 ~: c6 A7 _' A
Semiconductor-controlled rectifier 可控硅 Sendsitivity 灵敏度
( @- k0 z- y8 B( n* \Serial 串行/串联 Series inductance 串联电感. }0 |" e- U y {& |
Settle time 建立时间 Sheet resistance 薄层电阻$ {3 X$ n9 a+ q" a- w8 V( m
Shield 屏蔽 Short circuit 短路
, ?) r C% ?2 }. t1 KShot noise 散粒噪声 Shunt 分流
8 E1 Y. L3 G* w [2 h: G" KSidewall capacitance 边墙电容 Signal 信号
+ b( e& b2 C! s, y8 a' K. {3 RSilica glass 石英玻璃 Silicon 硅- M- g" V1 ]$ v% Y' H' p9 i
Silicon carbide 碳化硅 Silicon dioxide (SiO2) 二氧化硅: i' L3 t9 l" J
Silicon Nitride(Si3N4) 氮化硅 Silicon On Insulator 绝缘硅 2 _5 j1 r* U' o7 M3 J2 U2 p+ b. T* f
Siliver whiskers 银须 Simple cubic 简立方
& Y; `6 v, [: P4 l5 wSingle crystal 单晶 Sink 沉
0 e: C6 a4 Y# }- ]) Y. xSkin effect 趋肤效应 Snap time 急变时间 7 b, d* u9 ~1 J/ ~
Sneak path 潜行通路 Sulethreshold 亚阈的
. r0 p' j; @: T) Z1 B, v# \& _Solar battery/cell 太阳能电池 Solid circuit 固体电路+ I' \* j' r+ K& |, v. @
Solid Solubility 固溶度 Sonband 子带
4 I& ]: R5 ?) V3 u, I" q; _Source 源极 Source follower 源随器9 Y- I! U) l! M+ b
Space charge 空间电荷 Specific heat(PT) 热8 m7 e6 y4 l+ C6 i( [# h& n
Speed-power product 速度功耗乘积 Spherical 球面的
9 ^+ t0 X( b; M2 @Spin 自旋 Split 分裂
! N, ^! U; g0 r! N+ Y9 x7 N3 c3 \Spontaneous emission 自发发射 Spreading resistance 扩展电阻% g6 x1 P9 x* ~& D7 I8 H. ^
Sputter 溅射 Stacking fault 层错/ {5 c$ {9 k7 r
Static characteristic 静态特性 Stimulated emission 受激发射
9 P- i' f: p" u1 T* ?Stimulated recombination 受激复合 Storage time 存储时间 0 m, f C' f0 _! [; m C2 B$ ?3 s
Stress 应力 Straggle 偏差
/ T: z* { a; `9 H" `3 \Sublimation 升华 Substrate 衬底* C8 Z- G/ I$ N
Substitutional 替位式的 Superlattice 超晶格 , O9 z! s1 Y0 t4 a% O! ~0 m
Supply 电源 Surface 表面
0 d$ B' C, i/ A2 L. ^5 SSurge capacity 浪涌能力 Subscript 下标1 j6 U: ]9 @+ k+ q6 R/ b& Z4 g n
Switching time 开关时间 Switch 开关
: R& W% T- C1 U3 x3 i - 8 - Created by rainman微电子专业词汇
& B0 R. v0 p& J& L7 P. u1 k. VTailing 扩展 Terminal 终端
; g0 o, }6 C- h& ^* r7 yTensor 张量 Tensorial 张量的
8 a; D8 I8 o3 l- q& {" f1 OThermal activation 热激发 Thermal conductivity 热导率
& l5 c. _" n6 ?2 F' w4 | @Thermal equilibrium 热平衡 Thermal Oxidation 热氧化5 T! }6 s" G: P h+ s
Thermal resistance 热阻 Thermal sink 热沉 y7 ?" a X/ a" q
Thermal velocity 热运动 Thermoelectricpovoer 温差电动势率# V" w! o* f6 B8 h, E4 ?
Thick-film technique 厚膜技术 Thin-film hybrid IC 薄膜混合集成电路
5 F/ j- o8 A/ }& @Thin-Film Transistor(TFT) 薄膜晶体 Threshlod 阈值 * F# G8 L& N; S8 N0 f
Thyistor 晶闸管 Transconductance 跨导
; ]& D% q9 l: \9 W" z2 f; QTransfer characteristic 转移特性 Transfer electron 转移电子
7 V2 a& h. d* e/ {. j$ H% k: rTransfer function 传输函数 Transient 瞬态的
* D3 Z3 o; l/ v: e+ @7 }& J( bTransistor aging(stress) 晶体管老化 Transit time 渡越时间4 G3 Y! V$ l. o8 {
Transition 跃迁 Transition-metal silica 过度金属硅化物; H/ \! g( m2 M8 W; _1 G
Transition probability 跃迁几率 Transition region 过渡区
8 x8 W1 S3 ]* D. I6 c9 kTransport 输运 Transverse 横向的0 s0 A6 l6 |! S$ f
Trap 陷阱 Trapping 俘获 a( }/ _& [2 U& \- H C" S
Trapped charge 陷阱电荷 Triangle generator 三角波发生器* `% w+ V; k1 [$ k& Z% z4 b
Triboelectricity 摩擦电 Trigger 触发
$ F* w, M6 `( f; ]Trim 调配 调整 Triple diffusion 三重扩散 ! @2 @9 K- L& E7 |
Truth table 真值表 Tolerahce 容差
; n" E2 {: Q$ e: I4 @' MTunnel(ing) 隧道（穿） Tunnel current 隧道电流
* P6 d- J& c$ |! t1 s) cTurn over 转折 Turn - off time 关断时间* B* m! K' m/ G5 F4 @
Ultraviolet 紫外的 Unijunction 单结的
0 r$ s. W6 ~( R$ g% c1 n6 {) JUnipolar 单极的 Unit cell 原（元）胞( C% Q+ d; ~# ]0 u$ k
Unity-gain frequency 单位增益频率 Unilateral-switch单向开关
5 V7 {2 L% n0 z8 W$ @3 ?Vacancy 空位 Vacuum 真空
) y" H; P! T$ L& i$ }9 M- cValence(value) band 价带 Value band edge 价带顶2 f. V, \' Z! ]. Q
Valence bond 价键 Vapour phase 汽相
! ]' U) X$ V" P) M" h0 O$ [6 pVaractor 变容管 Varistor 变阻器6 z! f2 q) N) H
Vibration 振动 Voltage 电压! J7 W6 m; f) ~0 f9 W5 H
Wafer 晶片 Wave equation 波动方程 y+ b5 ^9 x8 R0 {
Wave guide 波导 Wave number 波数
1 @* l) a) G6 ]; yWave-particle duality 波粒二相性 Wear-out 烧毁
) L( h: U9 z8 _$ k* G( KWire routing 布线 Work function 功函数
: w& N: `' E3 P6 J+ RWorst-case device 最坏情况器件
+ X( o" \0 @! e% S: K, `Yield 成品率
( P8 s$ h! j& t/ ]& aZener breakdown 齐纳击穿
% ~; L& I) D( E9 D/ MZone melting 区熔法3 X* _- T. o, `+ |
- 9 - Created by rainman
; s8 e0 Q0 g5 s7 r' Z1 i1 K( z( Y z9 B ]
|
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发表于 2022-8-2 10:29
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