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微电子专业词汇Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验) u8 c4 O% Q+ a# W
Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子
" s( |2 A6 D4 T$ f2 `0 Z1 W" j! UAccumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触
2 |0 d$ |& N$ BAccumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层& O' q) p7 W+ V w
Active region 有源区 Active component 有源元# i4 y4 Y; y3 }( W3 |3 Q E
Active device 有源器件 Activation 激活4 N5 o5 X1 [* z% a0 {
Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区1 a+ p' B# N) c+ F N: A. H
Admittance 导纳 Allowed band 允带; v) B. [$ C4 A
Alloy-junction device 合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝 a( B( d) }# @, D5 j" \
Aluminum – oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化
! f" ~- k. Q0 XAmbipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度
0 q* f; e8 e! r( `" U$ H! ]Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放 扩音器 放大器
( v/ e6 R" J7 c& b3 nAnalogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃6 m. E$ m3 Y# X
Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的( y/ ]& |( z! @0 o
Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷
# u* x- q g; D1 [Auger 俄歇 Auger process 俄歇过程) a! Q. W$ G9 v9 K$ [
Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿
9 U" F- j5 n8 @# XAvalanche excitation雪崩激发
- o1 t1 J- s+ ~1 q# ~, s$ y* s( tBackground carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂
$ K6 f+ z- u a6 S/ mBackward 反向 Backward bias 反向偏置
$ q; w" [6 y, w' l j1 c9 Z- XBallasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合
* ~* o9 [/ L0 V- Y% w# sBand 能带 Band gap 能带间隙' m5 A7 d% H6 M) R% a& h* q* ~" j
Barrier 势垒 Barrier layer 势垒层
+ f" k/ `; B3 [9 B0 }Barrier width 势垒宽度 Base 基极
( D, T5 n4 S# n* }Base contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 % i" z$ B, E9 o1 e, _
Base transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数 - A) ?: Q' ~2 P3 I" M
Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢 3 o$ g! B/ }* K* w# Q# ~9 H
Bias 偏置 Bilateral switch 双向开关
% S# x5 o) P" PBinary code 二进制代码 Binary compound semiconductor 二元化合物半导体
- ~- f. G& |. @1 r9 f& m8 ?, kBipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管
9 h. H3 l+ v4 s( b1 xBloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带- d$ c: |5 a3 M6 J" H, c7 ]: }
Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方
7 X0 J( o& d4 f) JBody-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼' j2 w& K1 b. E/ |3 `# q; F
Bond 键、键合 Bonding electron 价电子6 n- w5 |( `$ A5 E
Bonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路. ^ k6 T9 ]% U" [, V
Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器 Boron 硼
# K& E7 b o/ n6 {1 E: n9 r; yBorosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件
/ C; Q" c& |' w: j3 ]Bound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板
# i+ ]; ^. U& f, QBreak down 击穿 Break over 转折
{9 b# x2 q fBrillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区1 r8 a9 c6 H/ U6 g
Built-in 内建的 Build-in electric field 内建电场
) L9 |( @# ~) a& g; |Bulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收3 K T; @7 A' a( \; }4 s
Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合* u% J- A* m! y, P
Burn - in 老化 Burn out 烧毁 J* e( K! s9 F& w5 q( T' ?) u
Buried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区
1 l( l6 j+ [2 S0 z9 ] ) C7 @5 n! ~3 x3 X
- 1 - Created by rainman微电子专业词汇) r' Q# x0 g( M: ~9 L
Can 外壳 Capacitance 电容" I! W9 d$ U. S: [- }% t
Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子 5 n1 U* D3 d/ ~$ P' s0 R, y+ z
Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位
- K( ^! R" G+ d5 fCarry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出
) E7 g' A2 X1 x+ Q$ SCascade 级联 Case 管壳
^5 j* q# o9 ]5 \/ K, m- ]0 _Cathode 阴极 Center 中心
4 m! ^! d: a& @$ M2 o0 @Ceramic 陶瓷（的） Channel 沟道
" F, }/ n' Z6 [$ a" iChannel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流
( ?; s2 s; d& i. W; h) K* ^Channel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短8 }3 e. |1 h/ n
Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻抗: J+ X3 e/ V V+ {' ^, L
Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电荷补偿效应* d/ N% B3 t' U7 L( `: t, f
Charge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中性条件
4 ^# J- O$ B0 M8 \: \' t2 c, ^& mCharge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储
7 h6 i7 Y* |7 f: R3 |Chemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光' ?! x. ?2 b6 C' V8 U/ C- h
Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片! |( |4 X6 y+ k- N4 t$ n7 |
Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位
; X$ E. b+ Y6 j6 u# w5 lClamping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面
- C0 p% `' V# a. W) Z/ Y3 D5 EClock rate 时钟频率 Clock generator 时钟发生器
]6 B8 G2 }0 D- ~$ w, kClock flip-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密堆积结构6 {+ H1 o |% C2 r+ z
Close-loop gain 闭环增益 Collector 集电极" \7 Y' {$ ?% @* |" J9 [: J- h
Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放
& I7 B+ \; n" f! z* \! FCommon-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接+ p& c6 L1 R7 a" t
Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接
! l' |. u$ q* E7 J. ECommon-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入
, Q2 U1 M. f$ t( {& k9 p+ rCommon-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比/ u. N& L& N; L- k! m6 b
Compatibility 兼容性 Compensation 补偿
# r7 l) ]$ {' L w9 y ~Compensated impurities 补偿杂质 Compensated semiconductor 补偿半导体3 Q) q3 m* P3 d8 ^
Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路# Y2 Z+ }+ c8 C3 W; u& t
Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS)" i5 S9 K! O* Z L* N, ]0 D# z
互补金属氧化物半导体场效应晶体管; V+ e( j' c: e$ Q- t" p. |( b" _
Complementary error function 余误差函数
3 M2 W1 Q6 R, A2 DComputer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制造
' Y# }+ \* M) ^5 e$ fCompound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导% X. }9 |( J( y8 r6 Q& j q
Conduction band (edge) 导带(底) Conduction level/state 导带态 6 n# Z3 ` L, C: w9 j* S
Conductor 导体 Conductivity 电导率5 W5 Y! U; d2 P$ L1 X5 g
Configuration 组态 Conlomb 库仑
$ a8 C0 A5 p0 X B G8 a: EConpled Configuration Devices 结构组态 Constants 物理常数
$ D+ E) b; C+ cConstant energy suRFace 等能面 Constant-source diffusion恒定源扩散9 j' {( h4 T4 i6 P1 f! r; o
Contact 接触 Contamination 治污 ' Z0 q: n: Q M) _5 o
Continuity equation 连续性方程 Contact hole 接触孔
1 b3 q( s& q- N. j: c% rContact potential 接触电势 Continuity condition 连续性条件1 |9 t0 a" ]1 _; _& ?
Contra doping 反掺杂 Controlled 受控的: d* B0 {8 [' X" o& d& U
Converter 转换器 Conveyer 传输器
- u% i! R( w/ v1 u5 g- vCopper interconnection system 铜互连系统 Couping 耦合) ^) }- e% h- p4 G
Covalent 共阶的 Crossover 跨交
& \1 n: ?3 @. a W, f3 w9 }6 uCritical 临界的 Crossunder 穿交 " m s3 A( Z* e4 v' m
Crucible 坩埚 Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格5 F6 B* q: v7 C E5 l
Current density 电流密度 Curvature 曲率
* [7 p- q% x5 j - 2 - Created by rainman微电子专业词汇
1 [1 |( X4 S# {* L2 R4 h3 K - 3 - Created by rainman I3 X; i0 r0 s; `6 F, f
Cut off 截止 Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享
. U6 ]9 f: R: r1 \& O5 |: wCurrent Sense 电流取样 Curvature 弯曲3 I! F/ o1 u- }- \/ n" \% F
Custom integrated circuit 定制集成电路 Cylindrical 柱面的- b; R. g' m2 g
Czochralshicrystal 直立单晶0 d; P2 G. }. G0 k
Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz 法直拉晶体 J）
7 | m/ c. Y1 v" X9 [: u3 ]Dangling bonds 悬挂键 Dark current 暗电流: {8 R% ?4 T% W" i7 V8 n
Dead time 空载时间 Debye length 德拜长度) t8 }& @" c: ^! x" l* Q$ j
De.broglie 德布洛意 Decderate 减速# s/ |, T" N- e9 ~ U+ j6 K
Decibel (dB) 分贝 Decode 译码9 Y8 e: V1 a+ B- {& ]
Deep acceptor level 深受主能级 Deep donor level 深施主能级& e) U' r) W* d2 k3 V b$ v
Deep impurity level 深度杂质能级 Deep trap 深陷阱1 v, i# K& F. u$ a! h) b
Defeat 缺陷' A+ ^& h* L- e
Degenerate semiconductor 简并半导体 Degeneracy 简并度
2 L0 r3 O3 r9 S3 l" E2 h) ?; KDegradation 退化 Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度
; ~3 d4 h5 U+ y" GDelay 延迟 Density 密度
" N" b: H5 m/ f8 U' nDensity of states 态密度 Depletion 耗尽
f/ F. S3 ^/ N5 eDepletion approximation 耗尽近似 Depletion contact 耗尽接触
0 t' I* i( t- q1 NDepletion depth 耗尽深度 Depletion effect 耗尽效应
5 u1 j. P4 _7 t' _* i+ ^1 NDepletion layer 耗尽层 Depletion MOS 耗尽 MOS
( Y% e% S) V7 z* V; d' l' W( cDepletion region 耗尽区 Deposited film 淀积薄膜5 t& @5 j, Y, E0 \$ A; {; i
Deposition process 淀积工艺 Design rules 设计规则: P+ T$ _- u: e! s! a
Die 芯片（复数 dice） Diode 二极管/ s- ?! A! H( F/ M! V5 b1 L( }
Dielectric 介电的 Dielectric isolation 介质隔离3 l7 l0 g0 E# H% S- T
Difference-mode input 差模输入 Differential amplifier 差分放大器$ e1 t7 K9 p, M2 |1 e9 ]; z3 K
Differential capacitance 微分电容 Diffused junction 扩散结
; F. U7 y0 c8 V1 \Diffusion 扩散 Diffusion coefficient 扩散系数0 r8 y* t# N) F# e" A
Diffusion constant 扩散常数 Diffusivity 扩散率" l' r" `$ [, F w% k
Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉
1 M8 U- E0 O: u, Q6 EDigital circuit 数字电路 Dipole domain 偶极畴! O" X9 T4 S0 M5 A2 L& M7 V
Dipole layer 偶极层 Direct-coupling 直接耦合 9 C7 {0 G5 J; b/ Q S1 L1 J' i
Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体 Direct transition 直接跃迁 + M) I: H& T/ X- Z! [5 |5 D4 a
Discharge 放电 Discrete component 分立元件
, M& ]! ?' Z( T" MDissipation 耗散 Distribution 分布
& K( q' K1 Y) g; \$ M* [% BDistributed capacitance 分布电容 Distributed model 分布模型$ G' b8 B$ U* _+ }
Displacement 位移 Dislocation 位错
2 u( H& P% _, Z; S& ?Domain 畴 Donor 施主
: Z/ Z( g+ Y! ^7 I1 [Donor exhaustion 施主耗尽 Dopant 掺杂剂
. g a( `! C9 a, v- cDoped semiconductor 掺杂半导体 Doping concentration 掺杂浓度 ( e7 p3 v1 n' y. o
Double-diffusive MOS(DMOS)双扩散 MOS.1 U* O; c( Y c0 p+ `
Drift 漂移 Drift field 漂移电场, w4 s Z: Y( z" M
Drift mobility 迁移率 Dry etching 干法腐蚀; ?$ |& R4 `* H4 C& n8 H% X' ~
Dry/wet oxidation 干/湿法氧化 Dose 剂量
0 T0 a) O V/ cDuty cycle 工作周期 Dual-in-line package （DIP）
* W7 N8 w$ [6 k5 v) b+ F双列直插式封装
) E7 G3 `( Y9 ?. @. QDynamics 动态 Dynamic characteristics 动态属性1 u2 V! b; i- J5 C$ f
Dynamic impedance 动态阻抗4 D+ Y4 w# x! p7 y0 E0 o( G, R
微电子专业词汇7 L/ i1 ]! x F& [+ }/ m
Early effect 厄利效应 Early failure 早期失效
# U, L1 X/ b7 DEffective mass 有效质量 Einstein relation(ship) 爱因斯坦关系
" l; y& ^% W* q; aElectric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 一次性电可擦除只读存储器% N8 ?1 B* W, r5 {: J, U
Electrode 电极 Electrominggratim 电迁移. O7 b. s: D+ U$ n
Electron affinity 电子亲和势 Electronic -grade 电子能
7 Y# N" x' K' N% x; ~! `6 \- {7 RElectron-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电子束曝光6 X+ R. G G; {: E- l
Electron gas 电子气 Electron-grade water 电子级纯水
/ `1 r$ ?4 C9 o6 b' wElectron trapping center 电子俘获中心 Electron Volt (eV) 电子伏1 B: Z$ J# t& o {1 `
Electrostatic 静电的 Element 元素/元件/配件
G" u7 d/ d4 A& m1 q! |- jElemental semiconductor 元素半导体 Ellipse 椭圆
: f0 K: ?, H U7 K7 `) s ^+ qEllipsoid 椭球 Emitter 发射极 " j$ e) K. D$ v9 J) ^4 r2 `
Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑 Emitter-coupled pair 发射极耦合对 . E% g) Q% n2 L+ R
Emitter follower 射随器 Empty band 空带
! t/ F3 {2 ?# k5 j8 U9 cEmitter crowding effect 发射极集边（拥挤）效应
; G e8 d2 B) g# g3 CEndurance test =life test 寿命测试 Energy state 能态
! J: q6 a( ]2 @1 i# \5 S& AEnergy momentum diagram 能量-动量(E-K)图 Enhancement mode 增强型模式) b' \/ s. k! r( J9 k8 `
Enhancement MOS 增强性 MOS Entefic (低)共溶的( o! k* @# Y9 e% q- L/ \
Environmental test 环境测试 Epitaxial 外延的6 D; X9 Q6 C: A5 t' ~% d
Epitaxial layer 外延层 Epitaxial slice 外延片 P' r: u/ ~* {# w
Expitaxy 外延 Equivalent curcuit 等效电路
! e# Q7 E. p- W/ L k9 `Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子4 `' N. i2 N) G! p
Erasable Programmable ROM (EPROM)可搽取（编程）存储器
' |% D8 _# k% DError function complement 余误差函数
1 M# S0 J# O6 b0 GEtch 刻蚀 Etchant 刻蚀剂
0 u( U+ c) C' [; p# ?2 yEtching mask 抗蚀剂掩模 Excess carrier 过剩载流子 k0 Y* X5 }% u, v Z z0 u
Excitation energy 激发能 Excited state 激发态" `' E) w( z" A8 z/ l5 H& y8 j
Exciton 激子 Extrapolation 外推法/ M/ I& H9 w: l7 Y1 }% z1 \2 [
Extrinsic 非本征的 Extrinsic semiconductor 杂质半导体
& G; M, U+ r, r2 V0 X9 Q( ?5 cFace - centered 面心立方 Fall time 下降时间3 Z" _% D. h# R( n
Fan-in 扇入 Fan-out 扇出5 ]/ N0 Q: |( N' B W
Fast recovery 快恢复 Fast surface states 快界面态3 U4 |( O& F. q" k) d( N0 `2 m
Feedback 反馈 Fermi level 费米能级
1 r2 M- d' A' ~ z1 l5 ^: L. c8 oFermi-Dirac Distribution 费米-狄拉克分布 Femi potential 费米势
' S0 G9 g0 D* XFick equation 菲克方程（扩散） Field effect transistor 场效应晶体管$ }9 a, K7 D: l1 w
Field oxide 场氧化层 Filled band 满带+ h0 d4 f7 U$ h4 j* @: l4 }. M
Film 薄膜 Flash memory 闪烁存储器4 y" R6 G8 y) o, m
Flat band 平带 Flat pack 扁平封装/ Q+ Z+ \; K/ J" g* v
Flicker noise 闪烁（变）噪声 Flip-flop toggle 触发器翻转
# U) w# }( x3 K* hFloating gate 浮栅 Fluoride etch 氟化氢刻蚀
+ f2 g8 f D7 R" t5 tForbidden band 禁带 Forward bias 正向偏置
& D* P* G3 d3 P) |9 l& ^Forward blocking /conducting 正向阻断/导通
) v: k2 I" m- J4 R5 F3 EFrequency deviation noise 频率漂移噪声
. T$ _4 e# p i V$ u/ LFrequency response 频率响应 Function 函数 g7 O% J0 h6 x
Gain 增益 Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化钾
) d- v4 Y7 o% N- B! W8 V4 f- P, ]( [Gamy ray r 射线 Gate 门、栅、控制极
7 h2 o- k9 ~( a/ s& E: jGate oxide 栅氧化层 Gauss（ian） 高斯3 l! I I4 t9 V9 G, P% O
- 4 - Created by rainman微电子专业词汇
& o% u4 K2 ~0 C& }Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布 Generation-recombination 产生-复合
$ z$ C* A/ \# T4 K3 O$ d# N% sGeometries 几何尺寸 Germanium(Ge) 锗
1 H! T! w/ g- A) {) H( DGraded 缓变的 Graded (gradual) channel 缓变沟道
* L6 a7 Q: {: i% n+ E. w5 Z: G+ \Graded junction 缓变结 Grain 晶粒
0 ?. `6 z. g& R3 xGradient 梯度 Grown junction 生长结% W2 ?+ T, Q$ _* `* J
Guard ring 保护环 Gummel-Poom model 葛谋-潘 模型6 h& i8 h! F) R: K, ?6 N
Gunn - effect 狄氏效应
; c! E% R+ K1 X$ a/ A+ P, q/ O( uHardened device 辐射加固器件 Heat of formation 形成热
0 F& ^! W& |2 ?Heat sink 散热器、热沉 Heavy/light hole band 重/轻 空穴带
7 J( d6 Z" f, U/ v( FHeavy saturation 重掺杂 Hell - effect 霍尔效应/ L) |& G) ]1 d6 t( R, a
Heterojunction 异质结 Heterojunction structure 异质结结构4 A. P# P* h7 Y* |) n+ d5 Q
Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）异质结双极型晶体: _$ l: M5 f+ g7 n- W/ w
High field property 高场特性
; |" L- `% A5 E+ e% ^* U- vHigh-performance MOS.( H-MOS)高性能 MOS. Hormalized 归一化
8 z; R1 T8 s( b& ^' d4 oHorizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器 Hot carrior 热载流子
: A# t+ i' K }( BHybrid integration 混合集成
- O/ |7 z9 X1 n1 z2 J2 T3 _Image - force 镜象力 Impact ionization 碰撞电离 c; J' G7 ^, |% c6 \, j5 q0 h
Impedance 阻抗 Imperfect structure 不完整结构
( a% i& d9 N% o8 U4 K Q. e' P6 T1 x; VImplantation dose 注入剂量 Implanted ion 注入离子
( L* K! S Q6 n+ AImpurity 杂质 Impurity scattering 杂志散射' R, O+ R# R& i4 i+ P. J) v
Incremental resistance 电阻增量（微分电阻）In-contact mask 接触式掩模
; [) |4 J5 b. @Indium tin oxide (ITO) 铟锡氧化物 Induced channel 感应沟道
& l: e+ a6 k4 f- h. H2 bInfrared 红外的 Injection 注入$ h6 H% N, z1 d/ Q" l
Input offset voltage 输入失调电压 Insulator 绝缘体: y/ }! I1 a( D7 M7 E: }9 c
Insulated Gate FET(IGFET)绝缘栅 FET Integrated injection logic 集成注入逻辑
, s2 W9 G9 r/ v9 ]. {" iIntegration 集成、积分 Interconnection 互连
9 c5 e w# r5 _Interconnection time delay 互连延时 Interdigitated structure 交互式结构 * u: b6 R" H4 q+ D4 h* u
Interface 界面 Interference 干涉
* w$ R9 j0 i# m- x4 jInternational system of unions 国际单位制 Internally scattering 谷间散射
& I/ S! {9 b% eInterpolation 内插法 Intrinsic 本征的
( K. \: A0 J( p: |; _* S9 j+ kIntrinsic semiconductor 本征半导体 Inverse operation 反向工作
( W+ N$ V# N1 K5 f1 ]Inversion 反型 Inverter 倒相器& l5 Q/ F& J" |* g$ d
Ion 离子 Ion beam 离子束
& O. b1 S& v$ X# l- I! RIon etching 离子刻蚀 Ion implantation 离子注入
! b9 D. v6 e, O" wIonization 电离 Ionization energy 电离能
, |+ D7 d0 K" g4 ZIrradiation 辐照 Isolation land 隔离岛
. o. j5 B' `, n% q: mIsotropic 各向同性/ T0 M! |; I! ~6 D {; s
Junction FET(JFET) 结型场效应管 Junction isolation 结隔离 - E0 |: {4 ^+ r8 v a
Junction spacing 结间距 Junction side-wall 结侧壁2 K% g- ~: n# n4 Q% S
Latch up 闭锁 Lateral 横向的
, p( l; M& e. lLattice 晶格 Layout 版图6 [' o: f+ v& o7 Z8 d" D8 p
Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟/晶
' Z- _1 N9 L9 X2 l. g' n格缺陷/晶格畸变
+ H& m2 t E/ L1 p% q) qLeakage current （泄）漏电流 Level shifting 电平移动
7 v9 f- Q; N1 s/ U% P* I - 5 - Created by rainman微电子专业词汇+ q' q3 P) U) I9 D. o/ M9 I
Life time 寿命 linearity 线性度: A& q/ C' R5 Q
Linked bond 共价键 Liquid Nitrogen 液氮7 U/ m' t* c3 I% g, V
Liquid－phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术 ' t9 G, \- D/ @9 [/ J
Lithography 光刻 Light Emitting Diode(LED) 发光二极管- l; d" _+ V* O
Load line or Variable 负载线 Locating and Wiring 布局布线
% D. r2 a$ F p8 V7 w& U: K$ vLongitudinal 纵向的 Logic swing 逻辑摆幅8 \7 T, C8 v' q& d, B
Lorentz 洛沦兹 Lumped model 集总模型6 N! z2 \# z+ N& p
Majority carrier 多数载流子 Mask 掩膜板，光刻板 P" f" f6 ?9 r4 e
Mask level 掩模序号 Mask set 掩模组
* H, A& j- L! i. oMass - action law 质量守恒定律 Master-slave D flip-flop 主从 D 触发器
9 \4 A! A( y7 E) eMatching 匹配 Maxwell 麦克斯韦; J$ g+ q* x, s
Mean free path 平均自由程 Meandered emitter junction梳状发射极结
+ I5 p, h1 x- {. o1 xMean time before failure (MTBF) 平均工作时间1 J$ @& l" J2 ~
Megeto - resistance 磁阻 Mesa 台面' O# h. I3 {+ F3 @
MESFET-Metal Semiconductor 金属半导体 FET0 U& q5 s7 M! [2 {3 S
Metallization 金属化 Microelectronic technique 微电子技术2 w% D2 z& `% S
Microelectronics 微电子学 Millen indices 密勒指数' Z% Q8 n2 t6 b5 L) ^' W: ^
Minority carrier 少数载流子 Misfit 失配4 ?- h. a: z+ E% o
Mismatching 失配 Mobile ions 可动离子
6 m" y/ A8 t9 X9 }Mobility 迁移率 Module 模块
+ k% ^) U" w6 {: r6 E5 C% jModulate 调制 Molecular crystal 分子晶体9 o7 x2 A: }8 w
Monolithic IC 单片 IC MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管- o, a: p T0 E; _
Mos. Transistor(MOST )MOS. 晶体管 Multiplication 倍增
: n6 n$ R; O$ K: \0 w6 MModulator 调制 Multi-chip IC 多芯片 IC $ ~4 f6 d& f7 C h
Multi-chip module(MCM) 多芯片模块 Multiplication coefficient 倍增因子
4 Q! M" W/ r' x; z2 `9 t, ENaked chip 未封装的芯片（裸片） Negative feedback 负反馈. k' M# m; [+ ]7 o: D$ v+ z
Negative resistance 负阻 Nesting 套刻
( K1 S( O) _1 ]" o1 oNegative-temperature-coefficient 负温度系数 Noise margin 噪声容限) [0 _# Q. ^, d$ T1 T8 n
Nonequilibrium 非平衡 Nonrolatile 非挥发（易失）性
7 R, g) K& v R/ iNormally off/on 常闭/开 Numerical analysis 数值分析4 C' D) d& ^4 n% J
Occupied band 满带 Officienay 功率
2 g4 t% e$ s k5 g/ B" f; EOffset 偏移、失调 On standby 待命状态
/ v+ W0 s; b: c `$ M: wOhmic contact 欧姆接触 Open circuit 开路7 Y, b5 j; E2 q2 C- C4 g2 K
Operating point 工作点 Operating bias 工作偏置
# D2 f j/ s5 |, B. t3 h! v |Operational amplifier (OPAMP)运算放大器, o) L G+ @7 m4 c) S
Optical photon =photon 光子 Optical quenching 光猝灭- r* N0 g5 g! [" F
Optical transition 光跃迁 Optical-coupled isolator 光耦合隔离器
4 r8 |* B- y+ wOrganic semiconductor 有机半导体 Orientation 晶向、定向- [( a. k0 e2 v5 H2 p0 |8 _* B
Outline 外形 Out-of-contact mask 非接触式掩模* R& {! d' V' w# }# M
Output characteristic 输出特性 Output voltage swing 输出电压摆幅3 E5 F- r% ~ ~; d
Overcompensation 过补偿 Over-current protection 过流保护 ( e6 Z2 H2 l" {1 X9 {' o
Over shoot 过冲 Over-voltage protection 过压保护
4 \5 ?$ P" }8 s' {/ T% YOverlap 交迭 Overload 过载
$ m3 ]) V/ F* M$ D& wOscillator 振荡器 Oxide 氧化物
. E- \ |& e$ K! [( h8 ROxidation 氧化 Oxide passivation 氧化层钝化
1 i9 C1 O$ \. [ d1 Y - 6 - Created by rainman微电子专业词汇% }/ i+ S" j9 u. U
Package 封装 Pad 压焊点- ~( Q) s8 j9 x8 Y; Y
Parameter 参数 Parasitic effect 寄生效应
7 y% X+ R3 @; U; H1 NParasitic oscillation 寄生振荡 Passination 钝化
4 y$ @. a* @; T* JPassive component 无源元件 Passive device 无源器件" b7 y% E5 @4 R7 b; o* y* e
Passive surface 钝化界面 Parasitic transistor 寄生晶体管 7 t$ X& G- y2 Z) P/ N4 j
Peak-point voltage 峰点电压 Peak voltage 峰值电压
0 }% i% i( M. Y5 W5 j* A2 SPermanent-storage circuit 永久存储电路 Period 周期
M. S- }1 P1 a; v9 a$ @Periodic table 周期表 Permeable - base 可渗透基区
e# \+ ?0 G0 t+ F4 sPhase-lock loop 锁相环 Phase drift 相移
5 x' f4 r" f y3 A" v( c1 dPhonon spectra 声子谱) j' }6 P5 w$ ^
Photo conduction 光电导 Photo diode 光电二极管
/ T$ `5 ^8 o& ~4 h9 `Photoelectric cell 光电池
$ k( E& p. r+ f; ]3 W8 dPhotoelectric effect 光电效应 1 R) n8 C! z( ~8 _7 l: q
Photoenic devices 光子器件 Photolithographic process 光刻工艺
! _9 D% L( S5 w: h" {" A8 v# ^4 p(photo) resist （光敏）抗腐蚀剂 Pin 管脚) E9 k" Z# l/ Z/ v/ H
Pinch off 夹断 Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎（效应） " J. H% g) E6 R- i
Planar process 平面工艺 Planar transistor 平面晶体管' y: b* ~/ e/ v( B( N1 ~
Plasma 等离子体 Plezoelectric effect 压电效应
. e2 T% @0 ]. P0 x O# q+ qPoisson equation 泊松方程 Point contact 点接触
# n# b7 n- a: a- P! T/ [# cPolarity 极性 Polycrystal 多晶
9 S# w' J; U% u# KPolymer semiconductor 聚合物半导体 Poly-silicon 多晶硅
! ]. x. j8 k; s- XPotential (电)势 Potential barrier 势垒/ r, i' Y' d' }* Z
Potential well 势阱 Power dissipation 功耗( V; Q- ]1 F" G& j- X G
Power transistor 功率晶体管 Preamplifier 前置放大器
0 @/ \7 @: S$ [' `, f1 I* \$ UPrimary flat 主平面 Principal axes 主轴+ O# U' D% J& h, s5 W
Print-circuit board(PCB) 印制电路板 Probability 几率" L9 F4 L7 q1 a1 F' Q( a
Probe 探针 Process 工艺0 M, {+ a( I8 Y3 ~
Propagation delay 传输延时 Pseudopotential method 膺势发 - s5 ~- t4 T+ }# J
Punch through 穿通 Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制
# K' q* c; @! ~$ F9 c1 LPulse Widen Modulator(PWM) 脉冲宽度调制
I' @; Z. I9 x! C- k7 uPunchthrough 穿通 Push-pull stage 推挽级3 q9 f, T( E; D' L7 c% j; R
Quality factor 品质因子 Quantization 量子化 . k# r3 p& ]3 |+ K* L7 H
Quantum 量子 Quantum efficiency量子效应, I2 K% a( X2 ^8 P& \* [- j
Quantum mechanics 量子力学 Quasi – Fermi－level 准费米能级
3 G* S8 B1 L9 d8 Y3 oQuartz 石英
# y3 d: b/ D6 [5 {% J7 BRadiation conductivity 辐射电导率 Radiation damage 辐射损伤
) ?% T$ G# @3 c* ` DRadiation flux density 辐射通量密度 Radiation hardening 辐射加固- O7 r2 v. _6 _. P$ x( d
Radiation protection 辐射保护 Radiative - recombination辐照复合
* Q( c- U4 c7 e6 s* BRadioactive 放射性 Reach through 穿通
- v, \4 y: B9 C% AReactive sputtering source 反应溅射源 Read diode 里德二极管
( `. j( z* G3 |Recombination 复合 Recovery diode 恢复二极管0 v8 E7 D+ }7 I- g3 G8 ^) q
Reciprocal lattice 倒核子 Recovery time 恢复时间
, P+ [- |% P9 {% oRectifier 整流器（管） Rectifying contact 整流接触# O* _" o) d8 y1 o- o
Reference 基准点 基准 参考点 Refractive index 折射率
8 o. `3 H/ z: v! z% [Register 寄存器 Registration 对准( U5 }+ h6 ~) j& j( G
Regulate 控制 调整 Relaxation lifetime 驰豫时间
& s4 k2 Z- x- Z' P, G - 7 - Created by rainman微电子专业词汇
, i1 ^+ v, Q9 x- X/ N2 h5 \& ~Reliability 可靠性 Resonance 谐振 " [ w4 U! h$ S, z
Resistance 电阻 Resistor 电阻器 $ ~1 d `$ V( L3 ?3 y r$ Y! V
Resistivity 电阻率 Regulator 稳压管（器）
' h. u1 H+ a2 `: N1 Y! ~Relaxation 驰豫 Resonant frequency共射频率 ' q. F; ` Z" j
Response time 响应时间 Reverse 反向的 4 z% r, p0 }* `6 f
Reverse bias 反向偏置* H2 ~. Z8 q( x6 t. p) H1 A5 D
Sampling circuit 取样电路 Sapphire 蓝宝石（Al2O3）
" F1 ]& W% I( c4 VSatellite valley 卫星谷 Saturated current range 电流饱和区
$ t& v# _/ s! ~9 BSaturation region 饱和区 Saturation 饱和的 , P& n- g" N& E( r- n9 w2 v
Scaled down 按比例缩小 Scattering 散射
* J, j$ u! l% b2 J: ZSchockley diode 肖克莱二极管 Schottky 肖特基
% X t+ K; R! i* w: mSchottky barrier 肖特基势垒 Schottky contact 肖特基接触
9 c9 P% K' q. u& n$ pSchrodingen 薛定厄 Scribing grid 划片格9 m* \$ n) C- q- b$ N% i8 J M2 J
Secondary flat 次平面! \! w6 a; x( l6 h( D
Seed crystal 籽晶 Segregation 分凝 K7 B# c3 C4 y2 u" e0 B
Selectivity 选择性 Self aligned 自对准的 / v( _ h5 j2 R4 K; [3 X( {
Self diffusion 自扩散 Semiconductor 半导体
. l4 z' t# t; V5 pSemiconductor-controlled rectifier 可控硅 Sendsitivity 灵敏度
+ q7 F1 I0 W) n5 I4 }/ |$ vSerial 串行/串联 Series inductance 串联电感- R5 T0 l; [+ K0 P- t: K
Settle time 建立时间 Sheet resistance 薄层电阻
# T; o* t4 c+ y. L: T3 KShield 屏蔽 Short circuit 短路& q6 ]- U+ x5 Y' {
Shot noise 散粒噪声 Shunt 分流
8 e' a' m: s$ B! h$ K# q' I/ p' WSidewall capacitance 边墙电容 Signal 信号
" j2 z* C. g- G6 O9 J, ZSilica glass 石英玻璃 Silicon 硅
% E! A8 j; p/ lSilicon carbide 碳化硅 Silicon dioxide (SiO2) 二氧化硅% a8 T( T5 ]# F/ y7 `% D6 {
Silicon Nitride(Si3N4) 氮化硅 Silicon On Insulator 绝缘硅
2 `8 y) h F' F a- iSiliver whiskers 银须 Simple cubic 简立方
% k( s# N( P) J6 rSingle crystal 单晶 Sink 沉
5 Y/ E/ l N! p+ n6 nSkin effect 趋肤效应 Snap time 急变时间
: |/ g: O; i$ f$ lSneak path 潜行通路 Sulethreshold 亚阈的' f$ u! J# D& k
Solar battery/cell 太阳能电池 Solid circuit 固体电路
3 P; m- ?, j2 ~, K( p# @Solid Solubility 固溶度 Sonband 子带
+ Y+ T- N4 v/ l2 R5 ^Source 源极 Source follower 源随器
/ W( ?2 n8 ~( ? {7 Y9 y/ rSpace charge 空间电荷 Specific heat(PT) 热% t& A* Q) v& B0 L( i
Speed-power product 速度功耗乘积 Spherical 球面的 * e8 T% R% s6 l7 g! b* ~; \3 ?
Spin 自旋 Split 分裂! ]. q$ T. h9 `$ r p
Spontaneous emission 自发发射 Spreading resistance 扩展电阻6 `: P( l6 a5 f( `; [
Sputter 溅射 Stacking fault 层错" G+ G6 Z% I) L8 W- I
Static characteristic 静态特性 Stimulated emission 受激发射
9 G D: Y4 a qStimulated recombination 受激复合 Storage time 存储时间
+ ^# g1 i, d8 k% W/ [Stress 应力 Straggle 偏差
+ R* B1 I8 W# BSublimation 升华 Substrate 衬底
6 F; k9 a' a+ G$ G. `. H3 D7 z1 WSubstitutional 替位式的 Superlattice 超晶格 ( N' Z) Y) C+ c& c1 @9 b! U
Supply 电源 Surface 表面
$ ^$ J. [2 K3 }+ WSurge capacity 浪涌能力 Subscript 下标, c1 A. B3 m2 m4 R, X8 Z# H" R
Switching time 开关时间 Switch 开关
4 O% P( d% l, S& o3 Z- J& m - 8 - Created by rainman微电子专业词汇, f' \) T- @5 v+ Z1 H$ N, F% z5 A* m
Tailing 扩展 Terminal 终端
& r: Z$ p% ]- C% PTensor 张量 Tensorial 张量的7 \& e/ _, r" N0 h3 Y
Thermal activation 热激发 Thermal conductivity 热导率% C) k% ?4 }5 n; M. D ?' J
Thermal equilibrium 热平衡 Thermal Oxidation 热氧化
/ z; p) p. _0 z; k4 }Thermal resistance 热阻 Thermal sink 热沉9 e8 J' F( z3 r1 f \
Thermal velocity 热运动 Thermoelectricpovoer 温差电动势率0 I8 s5 i% g9 Z( g$ N
Thick-film technique 厚膜技术 Thin-film hybrid IC 薄膜混合集成电路' E7 S, R8 g/ X
Thin-Film Transistor(TFT) 薄膜晶体 Threshlod 阈值 , j% \* G6 q, U0 W
Thyistor 晶闸管 Transconductance 跨导 1 {6 b6 \. @* z1 y
Transfer characteristic 转移特性 Transfer electron 转移电子3 w7 g$ @3 @% F
Transfer function 传输函数 Transient 瞬态的 , {4 W1 o9 G1 B9 Q
Transistor aging(stress) 晶体管老化 Transit time 渡越时间
8 Z( ^# x M: N" s! q: DTransition 跃迁 Transition-metal silica 过度金属硅化物. l$ J8 F7 b P# `# V
Transition probability 跃迁几率 Transition region 过渡区
' R5 w% @; T7 Q( g, s- ~Transport 输运 Transverse 横向的
, O2 `- ^1 [$ {) |; X4 o) wTrap 陷阱 Trapping 俘获
1 B" q3 Z7 ]$ D4 U0 s3 ITrapped charge 陷阱电荷 Triangle generator 三角波发生器2 K% l M+ T9 |6 E* f
Triboelectricity 摩擦电 Trigger 触发
' n( { T: R% T- J2 L; @$ P& c0 K( bTrim 调配 调整 Triple diffusion 三重扩散 1 f2 m# W3 E& Q- G/ ~# \% J
Truth table 真值表 Tolerahce 容差
' w* t x8 z9 f5 d( `Tunnel(ing) 隧道（穿） Tunnel current 隧道电流0 f8 h" W) v! o; \- V2 s# P0 P
Turn over 转折 Turn - off time 关断时间
, Y# u Z) e' W+ Q! P& [1 iUltraviolet 紫外的 Unijunction 单结的
' O* p! \+ ?8 LUnipolar 单极的 Unit cell 原（元）胞: n7 T0 z% w! r
Unity-gain frequency 单位增益频率 Unilateral-switch单向开关. X8 a1 d% c ^0 J) Z" R* f
Vacancy 空位 Vacuum 真空& Y" n6 K; U4 |
Valence(value) band 价带 Value band edge 价带顶
# |% h8 B. s' G1 Q( x0 X. _Valence bond 价键 Vapour phase 汽相2 X Q& }* t5 l& b2 g3 @
Varactor 变容管 Varistor 变阻器* z ]' }( w, H6 V
Vibration 振动 Voltage 电压
, g' Y4 N) I% h- h/ UWafer 晶片 Wave equation 波动方程
O, [: S, _8 z MWave guide 波导 Wave number 波数
+ [- f' l0 q# a8 i2 K- LWave-particle duality 波粒二相性 Wear-out 烧毁# n$ ~, Q0 I# X: d
Wire routing 布线 Work function 功函数 % J3 V$ R P, f- n5 |
Worst-case device 最坏情况器件
! O) G) u3 ? U' H1 ?7 r g7 uYield 成品率
/ L7 s; V) T1 U+ V+ u6 NZener breakdown 齐纳击穿4 u; E- p: i: M7 F$ R
Zone melting 区熔法
4 G0 [: b- f7 ~' U$ }5 ~* X - 9 - Created by rainman
! h1 l7 k1 C c5 c# d: N
. P: ?8 Q* p) v2 n* @* l; K |
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发表于 2022-8-2 10:29
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