为什么mos管的源极与衬底极都是连着的？

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为什么mos管的源极与衬底极都是连着的？

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防止有电流从衬底流向流向源极和导电沟道，这里是防止衬底与源极的PN结导通，导通了的话，就会有电流从衬底的低掺杂的P型硅片流向源极的高掺杂N+区。
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当NMOS直接做在P型衬底上时，为了防止衬底与源漏的PN结正偏导通，衬底要接最低电位，对单个MOS而言，衬底和源可以直接相连；但如果是在集成电路里面，所有MOS管的衬底都接了最低电位，但源端可能不是接最低电位，这时源和衬底就是不连一起的，这时就会出现衬偏效应，导致阈值电压飘移，变得比衬源相连时更大，所以其实我们是希望衬源相连的，只是有时候没法这么做。
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在现在双阱CMOS工艺中，NMOS做在P型阱里面，阱就相当于NMOS的衬底，由于阱与阱之间是隔离的，所以电位可以不相同，这时，所有NMOS的衬源就可以直接相接了
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