晶体GND 与 芯片GND 需不需要隔离 的问题，向大家请教

sandyxc

大家好！
4 T6 K' G) m' C很多芯片都需外接一个石英晶体，我看到大部分的设计都是石英晶体正下方的GND与芯片的GND是隔离开的
( R1 ~3 e5 G& I; I但最近使用的Marvell的一个芯片，在Layout Guide里要求将保持石英晶体的GND与芯片的GND相同，不太理解
! k6 J/ ?! L3 c如下图：


请大家帮忙分析一下，晶体的GND和芯片的GND到低应该是哪种处理方式
; b0 r, `& Y& n# b( n多谢大家了{:soso_e100:}

sandyxc

求高手哦

xegl

不是高手，发表如下看法：
6 R& T5 C9 p8 R1 F9 l- s+ [6 l: O大部分的设计都是石英晶体正下方的GND与芯片的GND是隔离开的----------貌似没听说过要这样处理。
) R$ n3 C4 D6 C我的理解是，晶体的地和芯片GND尽量短，有高频低阻抗路径，利于EMC。 另外是晶体地的接法似乎和晶体负载的寄生电容有关。

sandyxc

xegl 发表于 2011-11-2 20:51
不是高手，发表如下看法：
$ ^; i  K3 j  ?! G$ L( i3 J9 y大部分的设计都是石英晶体正下方的GND与芯片的GND是隔离开的----------貌似没听 ...

有高频低阻抗路径，请问这个是什么意思？烦请解释一下和EMC的关系
5 G6 d1 U( `5 \) N多谢了

lap

sandyxc 发表于 2011-11-3 11:04
, J& {) ^+ b9 F有高频低阻抗路径，请问这个是什么意思？烦请解释一下和EMC的关系
多谢了

在高频信号走线的时候，信号回流是选择低阻抗路径回流的。高频信号线正下方（参考平面）的阻抗为低阻抗，故回流路径是沿着信号线方向的反方向。