晶体GND 与 芯片GND 需不需要隔离 的问题，向大家请教

sandyxc

大家好！
很多芯片都需外接一个石英晶体，我看到大部分的设计都是石英晶体正下方的GND与芯片的GND是隔离开的
* p9 @) A$ I5 M但最近使用的Marvell的一个芯片，在Layout Guide里要求将保持石英晶体的GND与芯片的GND相同，不太理解
8 S  a9 V- ]) R" B# F如下图：


请大家帮忙分析一下，晶体的GND和芯片的GND到低应该是哪种处理方式
多谢大家了{:soso_e100:}

sandyxc

求高手哦

xegl

不是高手，发表如下看法：
大部分的设计都是石英晶体正下方的GND与芯片的GND是隔离开的----------貌似没听说过要这样处理。
我的理解是，晶体的地和芯片GND尽量短，有高频低阻抗路径，利于EMC。 另外是晶体地的接法似乎和晶体负载的寄生电容有关。

sandyxc

xegl 发表于 2011-11-2 20:51
/ e4 {" m% M! y) f3 x* ^. u不是高手，发表如下看法：
5 O  n: a, }  i大部分的设计都是石英晶体正下方的GND与芯片的GND是隔离开的----------貌似没听 ...

有高频低阻抗路径，请问这个是什么意思？烦请解释一下和EMC的关系
多谢了

lap

sandyxc 发表于 2011-11-3 11:04
1 ^( X2 k9 B8 T  p* L2 v; `有高频低阻抗路径，请问这个是什么意思？烦请解释一下和EMC的关系
多谢了

9 G8 d7 R2 H+ J+ s0 A在高频信号走线的时候，信号回流是选择低阻抗路径回流的。高频信号线正下方（参考平面）的阻抗为低阻抗，故回流路径是沿着信号线方向的反方向。