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去内卷的MOS管,TO-220封装管代换IRF1404用于DC-AC逆变器

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发表于 2022-5-27 20:56 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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内卷这个词已经遍布在国内职场上面,在小编看来在对于产品研发实际也是存在着不同程度的内卷。比如说随着逆全球化的影响中,国内企业如何寻找国产替代国外MOS管能更好应用于逆变器等电子产品中呢?2 w! I' Y4 `( a! W5 y
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200A、40V、封装TO-220的参数MOS管有比较好的替换型号吗?如何为之前使用IRF1404、IPP041N04NG两款场效应管寻求供应替换呢?- Z$ v: I4 A/ }* |: B* Z2 s9 ]1 ^
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这些问题都是存在于内卷化时代的DC-AC逆变器厂家遇到的问题。对于DC-AC逆变器MOS管的场景使用中,我们推荐FHP200N4F3A这一款场效应管。
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% i9 n) ~: @3 G! dFHP200N4F3A型号的MOS管是由国内已经专注研发20年的MOS管厂家生产,它是纯国产制造,可以替换IRF1404、IPP041N04NG等型号参数的场效应管。' `0 ~- Q$ F& O( Y# r+ p
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我们来看看这款优质的FHP200N4F3A国产场效应管为什么说能比较好的代换IRF1404型号参数在DC-AC逆变器中使用?
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, s5 s* ?5 u6 j' H% y- w! Y. U先在最重要的参数着手,飞虹这款FHP200N4F3A的具体产品参数,具有200A、40V的电流、电压, RDS(on) = 3.1mΩ(max) ,最高栅源电压@vgs =±20 V。6 \* b5 o2 L; `* M" t
8 N* z1 V- y+ {& w$ A) t8 H3 g/ W
100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS测试,极低的FOM(RDSON*Qg),极低的输入电容的特点。! `8 K  y7 D/ M) x/ ]
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% Q0 s; u: V4 F0 N3 V2 S$ nFHP200N4F3A的封装形式是TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):200A;BVdss(V):40V。' A  p' }9 C! v4 L% w2 N" I
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在国产化去内卷的选择中,场效应管代换建议用飞虹国产型号:FHP200N4F3A型号参数来替代IRF1404型号。它采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻,飞虹产品具有宽泛的BV电压,快速的开关能力和优异的抗短路性能。
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TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源转换器、DC-AC逆变器、AC-DC开关电源、UPS、储能电源、BLDC电机驱动等,其它mos管品牌替代型号:IRF1404、IPP041N04NG。# [& J, z2 d, S( Q

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40V、200A 的MOS管代换使用,选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管已经广泛应用于电源电路、智能家居、新能源电子领域:如汽车电子、电瓶车、智能音响、家用电器、LED照明、充电器、电脑电源等行业,为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹电子”即可找到我们' M& v" j9 _0 p: p. J

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