IGBT损坏的原因主要有哪几个？

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IGBT损坏的原因主要有哪几个？

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1.过电流损坏； IGBT有一定抗过电流能力，但必须注意防止过电流损坏。IGBT 复合器件内有一个寄生晶闸管，所以有擎住效应。IGBT 的等效电路，在规定的漏极电流范围内，NPN 的正偏压不足以使NPN 晶体管导通，当漏极电流大到一定程度时，这个正偏压足以使NPN 晶体管开通，进而使NPN 和PNP 晶体管处于饱和状态，于是寄生晶闸管开通，门极失去了控制作用，便发生了擎住效应。IGBT 发生擎住效应后，漏极电流过大造成了过高的功耗，最后导致器件的损坏。 2. 过电压损坏； IGBT在关断时，由于逆变电路中存在电感成分，关断瞬间产生尖峰电压，如果尖峰电压过压则可能造成IGBT 击穿损坏。 3. 桥臂共导损坏； 4. 过热损坏和静电损坏。

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VCE检测电路异常：VCE检测将IGBT官集电极上的脉冲电压通过，电阻分压，此电压的信息变化传到CPU，做出各种相应的指令。当VCE检测电路出现故障的时候，VEC脉冲幅度。超过IGBT管的极限值，从而导致IGBT损坏。
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IGBT管激励电路异常：震荡电路输出的脉冲信号，不能直接控制IGBT饱和，导通和截止，必须通过激励脉冲信号放大来完成。
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