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P沟道MOS管工作原理以及参数？

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elephant_
  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-29 15:07

    • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到
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    1#
    发表于 2022-4-26 10:36 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    purpose_857
  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-29 15:04

    • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到
    2#
    发表于 2022-4-26 11:08 | 只看该作者
    P沟道MOS管工作原理：金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，栅极上加有足够的正电压(源极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为衔接源极和漏极的沟道。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。

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    unfaithful2021
  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-29 15:04

    • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到
    3#
    发表于 2022-4-26 13:34 | 只看该作者
    MOS晶体管，也就是绝缘栅场效应晶体管，又叫金属-氧化物-半导体场效应晶体管，利用半导体的场效应，进行信号放大。就是利用栅极控制电压形成的电场，来控制沟道里感应电荷的多少，进而改变导电沟道的状态，达到控制漏极电流的效果。

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