IGBT的开关作用

on1e · 发表于 2022-4-22 10:34

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IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。

芦根苏木 · 发表于 2022-4-22 13:22

IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点

rergr · 发表于 2022-4-22 13:30

兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点

opipo · 发表于 2022-4-22 14:24

IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系

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