RF SOI较RF MEMS的优点是什么？

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RF SOI较RF MEMS的优点是什么？

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RF SOI工艺可工作频率很高，Ft/Fmax满足毫米波工作频率3至5倍的要求。

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RF SOI可以实现器件堆叠，从而同时提高了功率与能效比。

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RF SOI工艺采用的衬底降低了寄生效应，这样制造出来的射频芯片品质因数更高、损耗更低、噪声系数更好，同时这种衬底也提高了产品的绝缘水平与线性度。

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RF SOI可以集成逻辑与控制功能，这是GaAs工艺无法做到的，所以GaAs器件在应用当中需要再搭配一颗控制芯片，采用RF SOI工艺就可以把PA和控制功能集成到一颗芯片上，在降低成本的同时又节省了宝贵的PCB面积。

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后RF-SOI具备后栅偏压可调功能，利用该功能可微调毫米波射频线路以适应使用需求。