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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-4-7 09:18 编辑
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有多少款国产MOS管是适合在锂电池保护板中使用的呢?
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; t' A. t Y$ e8 o0 m我们经常说MOS管作为锂电池保护板中的核心电子元器件,那究竟我们对于MOS管应用在) U$ F7 @/ b7 g
锂电池保护板的作用中会有多少认知呢?
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5 h l: Y4 B, W! X9 D! e" S8 e! \2 S8 A4 i/ E# H- T9 d
其实MOS管在锂电池的应用中是有以下5种功能:3 T: q# V! A4 g% V5 K# t8 d X
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(1)检测过充电/ T. ~5 i, S0 L$ Q
(2)检测过放电 n1 c5 Y8 n3 r, S t! S3 }
(3)检测充电时过电电流5 s6 T8 |/ e9 b9 k5 J
(4)检测放电时过电电流: v9 {0 J& L& n" B$ L- r7 H
(5)检测短路时过电电流
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6 L# B, t6 I! R. t# \通过以上五个功能可以看出MOS管在锂电池保护板的电路中是起着至关重要的作用,那究竟有多少款国产MOS管是适合在锂电池保护板中使用的呢?
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目前国产MOS管中,可替换多款场效应管产品使用的具体型号为:FHS80N07、FHS80N08、FHS100N8F6A、FHS110N8F5B、FHS170N8F3A、FHD100N03D、FHS150N03C,以上7款产品都是可以应用于锂电池保护板中的。
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$ ~% e+ o4 g$ `& ^! u! U {' o# \9 n如何选择当然是一个很大的问题,具体需要看什么?当然是需要详细看产品的核心参数,毕竟不看参数谈MOS管使用的都是耍流氓:4 f+ b# o f$ h0 ?
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1、FHS80N07场效应管# Q; s& }; x+ Y
2 j$ O' E+ U4 Z- ], M* A- f5 a具体产品参数,具有80A、70V的电流、电压, RDS(on) = 8.5mΩ(max) ,最高栅源电压@vgs =±25V,内阻低,耐冲击特性好的特点。
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" @2 U4 s0 l( w { uFHS80N07的封装形式是TO-263。这款产品参数:Vgs(±V):25;VTH(V):2-4;ID(A):80A;BVdss(V):70V。& B: ~2 s9 [9 O9 g
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6 a2 H, d0 p( C( l2、FHS80N08场效应管
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具体产品参数,具有80A、80V的电流、电压, RDS(on) = 8.5mΩ(max) ,最高栅源电压@VGS =±25V,开关速度快,内阻低,耐冲击特性好的特点。
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FHS80N08的封装形式是TO-263。这款产品参数:Vgs(±V):25;VTH(V):2-4;ID(A):80A;BVdss(V):80V。$ ]' X; g4 o5 k X: v! n# A2 v; Y
& `/ @: l3 l4 n; Q
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( O$ T7 Z+ N, @" {! M0 d; U j- O3、FHS100N8F6A场效应管! C# E3 \1 X& z Q8 a$ h1 R9 b0 ?
0 G8 w5 Z5 ]7 `4 ^" u100N8F6A场效应管的最高漏极-源极直流电压为85V,在TC=25℃(Silicon Limited)下,其连续漏极电流为120A,在TC=25℃(Package Limited)下,其连续漏极电流为80A,在TC=125℃下,其连续漏极电流为56A。' M$ h# s* W& t: s- g; @
$ a" W3 G3 p, O1 T最大脉冲漏极电流(IDM ):320(A);静态导通电阻(typ):VGS=10V则为5.3mΩ;反向传输电容:18pF。
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4、FHS110N8F5B场效应管
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[. |! @8 M: O6 G其产品参数:具有147A电流、85V电压, RDS(on) = 5.5mΩ(max),最高栅源电压 @VGS =±20 V,100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS测试,极低的FOM(RDSON*Qg),锂电池用MOS管并拥有极低输入电容的特点。
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4 R, W0 c* S( C" h& R' ^& UFHS110N8F5B的主要封装形式是TO-263。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):147A;BVdss(V):85V。1 [; \* j. F, X. f9 H7 c
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5、FHS170N8F3A场效应管
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最高漏极-源极直流电压为85V,在TC=25℃(Silicon Limited)下,其连续漏极电流为185A,在TC=25℃(Package Limited)下,其连续漏极电流为120A,在TC=100℃下,其连续漏极电流为117.2A。- l3 G( M5 ~+ p7 F4 a/ a) ?
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最大脉冲漏极电流(IDM ):480(A);静态导通电阻(typ):VGS=10V则为2.95mΩ;反向传输电容:97pF。
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3 q5 C/ C! m* J. z/ X S, M4 T9 u; m, B/ A, E7 D+ ?) y3 u2 E1 `
6、FHD100N03D场效应管2 g5 Q8 L) Y- Y. G" d
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作为N 沟道增强型场效应晶体管,其产品参数:其产品参数:具有100A、30V的电流、电压,RDS(on) =7.0mΩmax) ,最高栅源电压@VGS =±20 V,100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS测试,极低的FOM(RDSON*Qg),高雪崩耐量,可靠性高。
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FHD100N03D的封装形式是TO-252。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):1-2.5;ID(A):100A;BVdss(V):30V。最大脉冲漏极电流(IDM ):100(A);静态导通电阻:在(VGS =10V , ID=30A)状态下(typ)= 3.8mΩ、(max)=5.5mΩ,在(VGS =4.5V , ID=20A)状态下(typ)= 5.1mΩ、(max)=7.0mΩ;反向传输电容:195pF。0 {/ d4 |- a& Y3 l9 S% d
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7、FHS150N03C场效应管
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, L1 p9 b" R0 V& |# l具体产品参数,具有150A、30V的电流、电压,RDS(on) =5.0mΩmax) ,最高栅源电压@VGS =±20 V,100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS测试,高雪崩耐量,可靠性高,低Qgd,低RDSon。2 } l2 X7 d, `- ^
" [) C3 U [# R* X" Q( h
FHS150N03C的封装形式是TO-263,这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):0.8-2.5;ID(A):150A;BVdss(V):30V。最大脉冲漏极电流(IDM ):600(A);静态导通电阻:在(VGS =10V , ID=50A)状态下(typ)= 2.2mΩ、(max)=4mΩ,在(VGS =4.5V , ID=30A)状态下(typ)= 2.8mΩ、(max)=5.0mΩ;反向传输电容:405pF。1 q9 Y$ V( P4 h. ?9 |4 n: ^6 j
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; f0 ~1 z0 B' d. o: U9 e9 S! G/ D
依据上述7款产品的型号参数特点,可以知道它们都是适合在锂电池保护板中使用的。
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但在实际使用中还是需要进行测试才能选择最优解,因此建议锂电池保护板开发工程师进一步试样。毕竟不同的性能以及需求对应要选择的MOS管还是会有差异的,
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