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有多少款国产MOS管是适合在锂电池保护板中使用的呢?

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发表于 2022-4-6 23:39 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-4-7 09:18 编辑 : {3 g& p: k- n, M7 M. s% S
+ {' {7 V' |& y; w9 Y
有多少款国产MOS管是适合在锂电池保护板中使用的呢?8 J  e8 q2 t+ T% R
8 \0 ?, H* R8 S
我们经常说MOS管作为锂电池保护板中的核心电子元器件,那究竟我们对于MOS管应用在
5 \0 J3 ]$ ^4 w/ ~锂电池保护板的作用中会有多少认知呢?
+ ]8 `% C7 c! {/ p% w; D: k
) D# c* c3 z+ R' L1 x 3 I% q) {/ m5 O, E4 E$ j
# I( h  L6 T3 [3 @  G$ Y$ \
其实MOS管在锂电池的应用中是有以下5种功能:* P9 Y0 |- j$ C, x1 ?1 h

, Z2 r/ L; T2 ?2 k  d; E9 I(1)检测过充电% ^7 d$ L' Q! H; L, @" {1 ^8 q
(2)检测过放电8 S! e7 Q9 k  p0 Q! Z# V
(3)检测充电时过电电流
4 e: ^7 e- z$ w- r3 g/ u(4)检测放电时过电电流
5 l4 Y5 ]4 E1 O! s" w8 j(5)检测短路时过电电流
+ m9 i, k$ u1 X: K
) \# L# x0 ^( r6 h& d  |通过以上五个功能可以看出MOS管在锂电池保护板的电路中是起着至关重要的作用,那究竟有多少款国产MOS管是适合在锂电池保护板中使用的呢?+ j( B$ B/ A: j* d/ o

/ ^' o3 P1 M* E) i7 Q. P 1 n$ i6 p. n. Q9 M0 p

, ]; T% k# f' f5 s8 ]9 X目前国产MOS管中,可替换多款场效应管产品使用的具体型号为:FHS80N07、FHS80N08、FHS100N8F6A、FHS110N8F5B、FHS170N8F3A、FHD100N03D、FHS150N03C,以上7款产品都是可以应用于锂电池保护板中的。
' Z' s5 I2 @9 z4 ~& e2 X
8 {0 [4 e5 c+ d$ j如何选择当然是一个很大的问题,具体需要看什么?当然是需要详细看产品的核心参数,毕竟不看参数谈MOS管使用的都是耍流氓:& T: Z4 A  e8 E4 g9 m2 R! z

3 y' X" V9 k9 d  U) u1、FHS80N07场效应管8 \- c# |* b* U1 c9 T. Y  N
& i/ F6 i8 S% P% E' u* k$ ~+ K
具体产品参数,具有80A、70V的电流、电压, RDS(on) = 8.5mΩ(max) ,最高栅源电压@vgs =±25V,内阻低,耐冲击特性好的特点。( }. I" B2 Q7 v5 x

/ ~5 X; p) D! l  [) gFHS80N07的封装形式是TO-263。这款产品参数:Vgs(±V):25;VTH(V):2-4;ID(A):80A;BVdss(V):70V。6 ?/ s1 t, ]5 l* g; J( B

1 r1 w  y7 {7 J6 K' }) m' z& n* O
' v* N4 k3 |6 F: |
2 Q3 L* a3 h8 ?, k" M5 ]& I" O2、FHS80N08场效应管
3 X+ U# t; b" D- E' x3 g$ r/ v0 T" R) M$ A! C5 {6 i7 |1 I
具体产品参数,具有80A、80V的电流、电压, RDS(on) = 8.5mΩ(max) ,最高栅源电压@VGS =±25V,开关速度快,内阻低,耐冲击特性好的特点。
- x. y. A% Z% u! q" Z; Z  M1 K8 |. y$ @
FHS80N08的封装形式是TO-263。这款产品参数:Vgs(±V):25;VTH(V):2-4;ID(A):80A;BVdss(V):80V。) f$ ?! z. J0 H0 A1 ~- x
2 c8 ~2 v+ C) ]$ w9 }& ]" P) N* L
3 \: K6 z0 f8 [/ G

# t. B9 g/ R7 r1 r7 T7 W- l5 Y3、FHS100N8F6A场效应管
+ ]3 u" H; F/ q& t$ I5 b. z1 ?. y  X. k. `# M! i& @- e# o7 |$ I
100N8F6A场效应管的最高漏极-源极直流电压为85V,在TC=25℃(Silicon Limited)下,其连续漏极电流为120A,在TC=25℃(Package Limited)下,其连续漏极电流为80A,在TC=125℃下,其连续漏极电流为56A。
' m4 I5 l- q$ A: z" N: P
3 A2 {# `+ @# U+ ~+ C  Z最大脉冲漏极电流(IDM ):320(A);静态导通电阻(typ):VGS=10V则为5.3mΩ;反向传输电容:18pF。
6 Y0 r( k) K. M2 n
6 F: E/ C. D( a4 K   l2 b6 C8 V/ m% L5 s: g

1 o  E- X$ s0 K6 n  j3 a4、FHS110N8F5B场效应管2 t# _" y1 k. i
1 R: x4 }0 f& W, b: U
其产品参数:具有147A电流、85V电压, RDS(on) = 5.5mΩ(max),最高栅源电压 @VGS =±20 V,100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS测试,极低的FOM(RDSON*Qg),锂电池用MOS管并拥有极低输入电容的特点。0 Z4 H# K, m1 `0 d, Q4 W0 T
# h. B. M6 ^8 y
FHS110N8F5B的主要封装形式是TO-263。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):147A;BVdss(V):85V。
( w% L6 c+ C3 N' B  _
. F: p. {  K3 G5 H
: W% z9 `" X. i/ D) N4 f9 I! a3 {
" }$ w! g& ^; s$ _5、FHS170N8F3A场效应管
& D% c- c2 D9 ~9 ~: Q: g% P" A  {( p( g
最高漏极-源极直流电压为85V,在TC=25℃(Silicon Limited)下,其连续漏极电流为185A,在TC=25℃(Package Limited)下,其连续漏极电流为120A,在TC=100℃下,其连续漏极电流为117.2A。
+ l; k2 {0 P* f" y( ~/ Y: j% t: o! A7 i: y, T# S3 P
最大脉冲漏极电流(IDM ):480(A);静态导通电阻(typ):VGS=10V则为2.95mΩ;反向传输电容:97pF。5 [: H9 f7 _4 h1 }3 S

/ J+ i8 n: b/ S. Z# V1 h
6 r3 G) C; e" }1 U2 G4 ^$ H: }7 ^$ j- Z, h+ x4 N& {
6、FHD100N03D场效应管$ O2 h- A) l+ `; o: @

/ b' w/ v2 q) o! Y0 V3 b- F作为N 沟道增强型场效应晶体管,其产品参数:其产品参数:具有100A、30V的电流、电压,RDS(on) =7.0mΩmax) ,最高栅源电压@VGS =±20 V,100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS测试,极低的FOM(RDSON*Qg),高雪崩耐量,可靠性高。
* p0 O# ]7 C& d: t+ u. n$ t, S, V, T2 o+ P4 X
FHD100N03D的封装形式是TO-252。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):1-2.5;ID(A):100A;BVdss(V):30V。最大脉冲漏极电流(IDM ):100(A);静态导通电阻:在(VGS =10V , ID=30A)状态下(typ)= 3.8mΩ、(max)=5.5mΩ,在(VGS =4.5V , ID=20A)状态下(typ)= 5.1mΩ、(max)=7.0mΩ;反向传输电容:195pF。
' A5 o  M) s% F  j! f9 F5 k: v1 ?6 D" r, r# k" P$ z+ T

  ^) `" ~8 d1 }/ F8 J6 J4 n1 M0 r* {& ^  X! B$ L
7、FHS150N03C场效应管0 B0 I1 ]/ V8 {* ?9 B5 j  ~, a+ v

8 w9 l" {$ e" o2 `  A" v具体产品参数,具有150A、30V的电流、电压,RDS(on) =5.0mΩmax) ,最高栅源电压@VGS =±20 V,100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS测试,高雪崩耐量,可靠性高,低Qgd,低RDSon。
: G5 i% h( c* K- @% M; L; U1 [, z! }( R  W2 S, m1 F2 [" P0 E
FHS150N03C的封装形式是TO-263,这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):0.8-2.5;ID(A):150A;BVdss(V):30V。最大脉冲漏极电流(IDM ):600(A);静态导通电阻:在(VGS =10V , ID=50A)状态下(typ)= 2.2mΩ、(max)=4mΩ,在(VGS =4.5V , ID=30A)状态下(typ)= 2.8mΩ、(max)=5.0mΩ;反向传输电容:405pF。8 v4 b' r1 P6 Q0 r$ E; `/ T

" b) m5 C& I9 P; r4 i5 C4 z
" H3 i; O) s' r' ^9 _  t  t- ?7 {) h
依据上述7款产品的型号参数特点,可以知道它们都是适合在锂电池保护板中使用的。  s. p5 Y/ a- ~( R

. A8 e3 g9 h  j7 J- K7 {  z但在实际使用中还是需要进行测试才能选择最优解,因此建议锂电池保护板开发工程师进一步试样。毕竟不同的性能以及需求对应要选择的MOS管还是会有差异的,
; C. h, ^5 T7 f, n6 m/ _* a; p7 B4 A' Q% k
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    2#
    发表于 2022-4-7 09:21 | 只看该作者
    锂电池应用这么广,对应的电源芯片也是必需品
    5 J2 T0 [' S8 x& h/ r1 C  q

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    3#
    发表于 2022-4-10 14:11 | 只看该作者

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    4#
    发表于 2022-4-10 14:13 | 只看该作者
    充放电保护板

    “来自电巢APP”

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    5#
    发表于 2022-4-10 22:16 | 只看该作者
    写的挺好

    “来自电巢APP”

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    6#
    发表于 2022-4-10 22:27 | 只看该作者
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