有多少款国产MOS管是适合在锂电池保护板中使用的呢？

阿杜斯斯

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4 s$ \" f: N3 O$ t$ L有多少款国产MOS管是适合在锂电池保护板中使用的呢？
8 ~8 p. g0 U+ Q% s% y( L5 `
$ R/ ]: _; a8 @$ U% q我们经常说MOS管作为锂电池保护板中的核心电子元器件，那究竟我们对于MOS管应用在
  _& U, n. K( N* \; z& g+ M+ L6 |锂电池保护板的作用中会有多少认知呢？
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" w+ |+ \/ x3 j2 J  u其实MOS管在锂电池的应用中是有以下5种功能：
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（1）检测过充电
6 q! a, O( U% Q; v) Q/ l（2）检测过放电
- s8 F; M1 Q$ w3 M+ l1 t/ X（3）检测充电时过电电流
/ [  K- E/ W: u$ R5 |, v/ a（4）检测放电时过电电流
（5）检测短路时过电电流

通过以上五个功能可以看出MOS管在锂电池保护板的电路中是起着至关重要的作用，那究竟有多少款国产MOS管是适合在锂电池保护板中使用的呢？

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8 G6 }* C! `+ {6 F5 x! F1 A目前国产MOS管中，可替换多款场效应管产品使用的具体型号为：FHS80N07、FHS80N08、FHS100N8F6A、FHS110N8F5B、FHS170N8F3A、FHD100N03D、FHS150N03C，以上7款产品都是可以应用于锂电池保护板中的。

( x. W( r! Z+ X  u. G  j( ]" d如何选择当然是一个很大的问题，具体需要看什么？当然是需要详细看产品的核心参数，毕竟不看参数谈MOS管使用的都是耍流氓：

6 M3 @6 Z; O$ b6 P; J2 G1、FHS80N07场效应管
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具体产品参数，具有80A、70V的电流、电压， RDS(on) = 8.5mΩ(max) ，最高栅源电压@vgs =±25V，内阻低，耐冲击特性好的特点。

4 j8 ]0 D5 G9 X0 ^0 T6 EFHS80N07的封装形式是TO-263。这款产品参数：Vgs（±V）：25；VTH（V）：2-4；ID（A）：80A；BVdss（V）：70V。
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" y, m- C& g2 M' f/ K  W2、FHS80N08场效应管

具体产品参数，具有80A、80V的电流、电压， RDS(on) = 8.5mΩ(max) ，最高栅源电压@VGS =±25V，开关速度快，内阻低，耐冲击特性好的特点。
5 T/ d. d0 e+ T4 Q4 s7 l* ?6 l8 y$ h
: c, }. {2 {* L  PFHS80N08的封装形式是TO-263。这款产品参数：Vgs（±V）：25；VTH（V）：2-4；ID（A）：80A；BVdss（V）：80V。

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* [( G7 }+ x6 c# ^% L
. d, j- a, t% q  B/ r  ]- B+ q3、FHS100N8F6A场效应管
1 r: b) X4 ]2 v# z  l. _
100N8F6A场效应管的最高漏极－源极直流电压为85V，在TC=25℃（Silicon Limited）下，其连续漏极电流为120A，在TC=25℃（Package Limited）下，其连续漏极电流为80A，在TC=125℃下，其连续漏极电流为56A。

5 ]0 J$ d7 \0 k最大脉冲漏极电流（IDM ）：320（A）；静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为5.3mΩ；反向传输电容：18pF。
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: M( Y. E7 W2 P/ j1 ]7 I% t# c/ M, ]

7 G9 M2 x# G8 P% V% K0 e- Q4、FHS110N8F5B场效应管
2 ?; P: c9 U. l  c7 W
, g! x# z1 q/ V, B5 u& J& e# I; S$ u其产品参数：具有147A电流、85V电压， RDS(on) = 5.5mΩ(max)，最高栅源电压 @VGS =±20 V，100% EAS测试，100% Rg测试，100% DVDS测试，极低的FOM(RDSON*Qg)，锂电池用MOS管并拥有极低输入电容的特点。

" p+ U% Y' Q6 E# A. h4 ^0 SFHS110N8F5B的主要封装形式是TO-263。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：147A；BVdss（V）：85V。
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5、FHS170N8F3A场效应管
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6 F% \; v( Z; k最高漏极－源极直流电压为85V，在TC=25℃（Silicon Limited）下，其连续漏极电流为185A，在TC=25℃（Package Limited）下，其连续漏极电流为120A，在TC=100℃下，其连续漏极电流为117.2A。
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最大脉冲漏极电流（IDM ）：480（A）；静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为2.95mΩ；反向传输电容：97pF。

5 l/ R9 n. u2 O' {+ z, p! t; i

$ e( C" ?0 l2 K" v6、FHD100N03D场效应管
; @, [7 X- B: ~# p: n, q
) Z4 B& J- k0 {  ]3 n作为N 沟道增强型场效应晶体管，其产品参数：其产品参数：具有100A、30V的电流、电压，RDS(on) =7.0mΩmax) ，最高栅源电压@VGS =±20 V，100% EAS测试，100% Rg测试，100% DVDS测试，极低的FOM(RDSON*Qg)，高雪崩耐量，可靠性高。

' x) {3 @& P1 B& p6 [$ B8 mFHD100N03D的封装形式是TO-252。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：1-2.5；ID（A）：100A；BVdss（V）：30V。最大脉冲漏极电流（IDM ）：100（A）；静态导通电阻：在（VGS =10V , ID=30A）状态下（typ）= 3.8mΩ、（max）=5.5mΩ，在（VGS =4.5V , ID=20A）状态下（typ）= 5.1mΩ、（max）=7.0mΩ；反向传输电容：195pF。

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7、FHS150N03C场效应管

. ^) e5 a' u' o! l* s8 O5 f具体产品参数，具有150A、30V的电流、电压，RDS(on) =5.0mΩmax) ，最高栅源电压@VGS =±20 V，100% EAS测试，100% Rg测试，100% DVDS测试，高雪崩耐量，可靠性高，低Qgd，低RDSon。

" s0 W  }: \2 mFHS150N03C的封装形式是TO-263，这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：0.8-2.5；ID（A）：150A；BVdss（V）：30V。最大脉冲漏极电流（IDM ）：600（A）；静态导通电阻：在（VGS =10V , ID=50A）状态下（typ）= 2.2mΩ、（max）=4mΩ，在（VGS =4.5V , ID=30A）状态下（typ）= 2.8mΩ、（max）=5.0mΩ；反向传输电容：405pF。


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4 }: H4 i2 l/ C5 T# F依据上述7款产品的型号参数特点，可以知道它们都是适合在锂电池保护板中使用的。
+ v$ _- s% r1 b$ p7 l" B" I2 ?
) O2 n; I* f4 o) \: `1 ^但在实际使用中还是需要进行测试才能选择最优解，因此建议锂电池保护板开发工程师进一步试样。毕竟不同的性能以及需求对应要选择的MOS管还是会有差异的，
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锂电池应用这么广，对应的电源芯片也是必需品
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recklxzy

BQ76940

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充放电保护板

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写的挺好

recklxzy

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