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SiC电力电子器件产品国产化进展

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发表于 2022-2-28 14:27 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,具有宽禁带、击穿电场强度高、载流子饱和漂移速度高以及热导率高等优点,可以实现更高电压、更高电流和更高工作温度的新型电力电子器件,是未来电力电子器件发展的一个重要趋势。- H  }. T& P  r7 S* U" X

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发表于 2022-2-28 15:31 | 只看该作者
第三代半导体产业技术创新

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发表于 2022-2-28 15:52 | 只看该作者
未来电子器件发展趋势$ P- ^1 C. r# V- g# `( |7 Q
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