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三极管和MOS管做开关用时的区别

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    2022-1-21 15:21
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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2022-2-11 09:15 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    本帖最后由 replace 于 2022-2-11 09:49 编辑 " @4 y- B% e' C' v5 R
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    我们在做电路设计时,三极管和MOS管做开关用时有什么区别?

      工作性质:

      、三极管用电流控制,MOS管属于电压控制。

      、成本问题:三极管便宜,MOS管贵。

      、功耗问题:三极管损耗大。

      、驱动能力:MOS管常用于电源开关,以及大电流开关电路。

      实际上就是三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。

      管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。

      一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话再考虑MOS管。

      实际上说电流控制慢,电压控制快这种理解是不对的。要真正理解双极晶体管和MOS晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的,以NPN管射极跟随器为例,当基极加不加电压时,基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴,发射区为电子)的扩散运动,在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场),当基极外加正电压的指向为基区指向发射区,基极外加电压产生的电场大于内建电场时,基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区,此电压的很小值即pn结的正向导通电压(工程上一般认为0.7v)。

      但此时每个PN结的两侧都会有电荷存在,此时如果集电极-发射极加正电压,在电场作用下,发射区的电子往基区运动(实际上都是电子的反方向运动),由于基区宽度很小,电子很容易越过基区到达集电区,并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极),为维持平衡,在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动,而空穴则于PN结处运动,此过程类似一个雪崩过程。

      集电极的电子通过电源回到发射极,这就是晶体管的工作原理。三极管工作时,两个PN结都会感应出电荷,当做开关管处于导通状态时,三极管处于饱和状态,如果这时三极管截止,PN结感应的电荷要恢复到平衡状态,这个过程需要时间。而MOS三极管工作方式不同,没有这个恢复时间,因此可以用作高速开关管。

      (1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。

      (2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是既有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称为双极型器件。

      (3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。

      (4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

      (5)场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管作整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。

      (6)场效应管分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的。


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    2022-1-21 15:22
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    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2022-2-11 09:50 | 只看该作者
    总结的很到位
  • TA的每日心情
    慵懒
    2022-1-21 15:20
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    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2022-2-11 13:35 | 只看该作者
    MOS管和三极管作用不一样

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2022-2-14 16:58 | 只看该作者
    三极管根本不能用作大功率分立器件,IGBT也更接近MOS
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