走线层分割问题

icelucent

我做的一个AD,想把数字与模拟分开，可是要分开的是两个bga的AD芯片，请问在top层用anti_etch线分割的时候这条线能穿过过孔和etch连线吗？
$ v* }& X! X( q) j1 C, d  i* Z       我在书上看到分割电源、地平面的时候anti_etch不要破坏焊盘和过孔，是不是不能经过过孔和焊盘，那可以经过连线吗？

旅客

anti_etch只是对负片才起作用。你TOP层用anti_etch干什么？作标记吗？用手工铺铜会好一点！

icelucent

原帖由 旅客 于 2008-6-12 15:24 发表
! |/ g# ^+ L1 N: I# Eanti_etch只是对负片才起作用。你TOP层用anti_etch干什么？作标记吗？用手工铺铜会好一点！

如果像你这样说那top层要想分数字和模拟用什么线来分呀？

numbdemon

原帖由 旅客 于 2008-6-12 15:24 发表
anti_etch只是对负片才起作用。你TOP层用anti_etch干什么？作标记吗？用手工铺铜会好一点！

我的正片可都是用anti_etch来割的

deargds

原帖由 numbdemon 于 2008-6-12 15:34 发表
( U5 E4 W, `5 Y# j  z1 }3 C+ M
2 t9 ^9 @8 I) r9 [我的正片可都是用anti_etch来割的

' o8 |3 w: C* @3 K9 g- E/ z正片用anti_etch有时会出现问题。

icelucent

原帖由 deargds 于 2008-6-12 16:41 发表

. M& H1 u- w5 Z8 N2 v正片用anti_etch有时会出现问题。

) R! g5 p) j3 |1 _! B  Z- J
正片不用anti_etch那用什么呀？

numbdemon

原帖由 deargds 于 2008-6-12 16:41 发表
5 I: f8 R0 X" ^# @6 w
正片用anti_etch有时会出现问题。

% O+ y' g7 s8 ?7 R* e4 v) q3 l啊？
会出什么问题？介绍一下看看
我还没注意到过呢，得学习学习

madin

个人观点认为,楼主所说的TOP层走ANTI ETCH 是为了能看清楚线的走向,这样可以尽量避免跨分割问题.还有在分割的时候尽量要把AD分开,当实在空间有限的时候要避免线顺着分割线走,我认为还是采用负片比较好,这样当以后分割线有改动的时候就只需要更改ANTI ETCH 然后重新生成就可以,这样就避免了在重新铺铜的麻烦.
  R5 k0 `3 _8 |1 j# `3 a3 W 以上是个人见解有不对的地方还请指教,另外在初期布局的时候尽量考虑好AD划分 就应该可以避免AD信号线混淆的情况.