|
EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
1.开启电压VT0 ]. A" y9 X4 F$ S \' ?% o
·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;. v: k A' {% F! @% t& W* g( Z! s
·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;
% r4 t1 j" ?1 C; ?$ x) y% ~·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。
1 Y, _; }: ~9 J! t4 f O! B2. 直流输入电阻RGS0 c* l4 J4 l: S5 S" x
·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比) L4 W6 y8 M2 L5 @" T
·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
# A& c, p9 C0 L+ r1 R, g- P; P {. Z·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
: P0 Y4 H% P( Q: ]( _3. 漏源击穿电压BVDS* g6 K0 D7 z0 Z
·在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
" E4 R/ y+ e: K! q$ P/ `1 `/ H·ID剧增的原因有下列两个方面:
8 h( \/ b' W- @7 O6 E' P- G Y) Q; F+ z(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿) r9 P |. \, H0 o
(2)漏源极间的穿通击穿
! n6 X) [( I2 a q3 E8 C·有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后,源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID+ ]1 T' x. z- z# @+ [' B0 b
4. 栅源击穿电压BVGS# u2 }1 f8 w1 @* r: L+ Q
·在增加栅源电压过程中,使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS。
3 R6 X5 G/ C6 E0 [: K5. 低频跨导gm
6 ^/ x3 l- M! m- O5 T·在VDS为某一固定数值的条件下 ,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导& L1 L2 q9 [4 K& @( O
·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
1 D7 I2 w9 B3 } r2 K3 W a6 K·是表征MOS管放大能力的一个重要参数
9 ]0 s2 |9 E, p& X/ V6 c·一般在十分之几至几mA/V的范围内( D0 `+ {3 C* n" s% w7 p; M$ s
6. 导通电阻RON+ }2 w6 {7 x6 p$ d, U
·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ,是漏极特性某一点切线的斜率的倒数6 R5 h% D7 q) ^$ H' l) g
·在饱和区,ID几乎不随VDS改变,RON的数值很大,一般在几十千欧到几百千欧之间% o, [4 z7 O; @/ O( J
·由于在数字电路中 ,MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下,所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似
3 X9 W: X/ i. S0 U2 T7 a; l·对一般的MOS管而言,RON的数值在几百欧以内' P: ?1 M V" t1 H
7. 极间电容
: W" {: d8 d: D) F o4 P+ N6 `·三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS& {4 B5 H/ W0 T2 N# \
·CGS和CGD约为1~3pF4 v6 x- {' R' M% Q
·CDS约在0.1~1pF之间8 B% O$ J/ ?5 t
8. 低频噪声系数NF
" B% e9 g1 M Z# C·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的
* J% m$ k8 D1 X8 @$ e& _6 b* h·由于它的存在,就使一个放大器即便在没有信号输人时,在输出端也出现不规则的电压或电流变化
6 u) x. K7 Q! j! v0 r( T·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示,它的单位为分贝(dB)3 ?+ V" w4 k4 J
·这个数值越小,代表管子所产生的噪声越小
* R* k; G( r7 V3 t" U* d·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数: K3 n! O% F# h, V* m
·场效应管的噪声系数约为几个分贝,它比双极性三极管的要小5 U# q& Z7 Q; v( I
|
|