MOS管主要参数如下

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1.开启电压VT
·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
8 g' \# ~' n, J5 D; ^·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；
5 M% C- R8 L0 V* R·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2. 直流输入电阻RGS
# d% h) t/ T) b" |·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
3. 漏源击穿电压BVDS
·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
/ u% m# H2 ]5 M1 G( a3 R2 X·ID剧增的原因有下列两个方面：
  T- F5 l( R4 |6 n（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿
（2）漏源极间的穿通击穿
·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID
4. 栅源击穿电压BVGS
·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
% _; k2 @) {$ H+ U* k) ~5. 低频跨导gm
7 j% }" b6 N7 w% I- i1 h& I: S·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
·是表征MOS管放大能力的一个重要参数
9 `/ O+ N1 {- n$ \" K. |·一般在十分之几至几mA/V的范围内
9 s4 X5 o/ ^; O/ d9 K6. 导通电阻RON
·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
0 q  F% x" e+ ]2 V8 x/ T·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间
6 M5 O$ {% r+ N  L2 e9 ]) L) [·由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似
·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内
7. 极间电容
( }$ s! |( k: R4 F+ J6 u·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS
3 |+ L$ ]6 _! r2 I* F·CGS和CGD约为1～3pF
·CDS约在0.1～1pF之间
1 N/ ?; J4 E, x- A' _" _0 T( @2 M8. 低频噪声系数NF
) Y# h& [) R! k! L* w1 R% X·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的
·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化
·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）
·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小
·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小

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参数还是比较完整的

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比三极管的双效特性要小
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噪声是由管子内部的载流子不规则引起的