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1.开启电压VT5 v% F; F9 l X/ i) O: e
·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;
8 g' \# ~' n, J5 D; ^·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;
5 M% C- R8 L0 V* R·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。& c& E9 F$ y3 j9 c8 m. l
2. 直流输入电阻RGS
# d% h) t/ T) b" |·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比$ j4 V) Q2 ]8 Y6 z* |- V
·这一特性有时以流过栅极的栅流表示* j# F$ b- e+ B. {/ o; n
·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。6 K0 Y8 a) _! b1 D2 @. ^
3. 漏源击穿电压BVDS+ Q' _' ]0 M7 j n7 L3 I0 v
·在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
/ u% m# H2 ]5 M1 G( a3 R2 X·ID剧增的原因有下列两个方面:
T- F5 l( R4 |6 n(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿2 E% ?8 y# j$ {/ Z) j
(2)漏源极间的穿通击穿% ~# L% W6 ~( T; [4 @
·有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后,源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID, n; v; D& K9 A
4. 栅源击穿电压BVGS- y. `1 b8 f s# J- Z# ?; D
·在增加栅源电压过程中,使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS。
% _; k2 @) {$ H+ U* k) ~5. 低频跨导gm
7 j% }" b6 N7 w% I- i1 h& I: S·在VDS为某一固定数值的条件下 ,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导3 W( i5 ~% b3 E
·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力7 ^. [/ X7 _" C5 N( D
·是表征MOS管放大能力的一个重要参数
9 `/ O+ N1 {- n$ \" K. |·一般在十分之几至几mA/V的范围内
9 s4 X5 o/ ^; O/ d9 K6. 导通电阻RON' v9 C9 O: u. @. v& r7 d8 r
·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ,是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
0 q F% x" e+ ]2 V8 x/ T·在饱和区,ID几乎不随VDS改变,RON的数值很大,一般在几十千欧到几百千欧之间
6 M5 O$ {% r+ N L2 e9 ]) L) [·由于在数字电路中 ,MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下,所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似$ ]' Y. ^' Y) M) _) K' L
·对一般的MOS管而言,RON的数值在几百欧以内! @" D% t7 v) s+ W" R1 t$ N
7. 极间电容
( }$ s! |( k: R4 F+ J6 u·三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS
3 |+ L$ ]6 _! r2 I* F·CGS和CGD约为1~3pF! L" J2 Z2 `* Y' S
·CDS约在0.1~1pF之间
1 N/ ?; J4 E, x- A' _" _0 T( @2 M8. 低频噪声系数NF
) Y# h& [) R! k! L* w1 R% X·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的1 @9 N p7 b: ~: w4 n/ T, Y" e
·由于它的存在,就使一个放大器即便在没有信号输人时,在输出端也出现不规则的电压或电流变化7 O" i$ g: l) N: v% d1 o9 M9 c
·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示,它的单位为分贝(dB)9 A) e/ ~( N. l0 P8 v- j
·这个数值越小,代表管子所产生的噪声越小) F- a9 ~$ v* Z# S; q
·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数& h3 `, |! L& k
·场效应管的噪声系数约为几个分贝,它比双极性三极管的要小& m0 H* {7 _8 D+ l$ y2 U! ^
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