MOS管主要参数如下

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1.开启电压VT
·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；
% r4 t1 j" ?1 C; ?$ x) y% ~·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
1 Y, _; }: ~9 J! t4 f  O! B2. 直流输入电阻RGS
·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
# A& c, p9 C0 L+ r1 R, g- P; P  {. Z·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
: P0 Y4 H% P( Q: ]( _3. 漏源击穿电压BVDS
·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
" E4 R/ y+ e: K! q$ P/ `1 `/ H·ID剧增的原因有下列两个方面：
8 h( \/ b' W- @7 O6 E' P- G  Y) Q; F+ z（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿
（2）漏源极间的穿通击穿
! n6 X) [( I2 a  q3 E8 C·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID
4. 栅源击穿电压BVGS
·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
3 R6 X5 G/ C6 E0 [: K5. 低频跨导gm
6 ^/ x3 l- M! m- O5 T·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
1 D7 I2 w9 B3 }  r2 K3 W  a6 K·是表征MOS管放大能力的一个重要参数
9 ]0 s2 |9 E, p& X/ V6 c·一般在十分之几至几mA/V的范围内
6. 导通电阻RON
·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间
·由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似
3 X9 W: X/ i. S0 U2 T7 a; l·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内
7. 极间电容
: W" {: d8 d: D) F  o4 P+ N6 `·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS
·CGS和CGD约为1～3pF
·CDS约在0.1～1pF之间
8. 低频噪声系数NF
" B% e9 g1 M  Z# C·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的
* J% m$ k8 D1 X8 @$ e& _6 b* h·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化
6 u) x. K7 Q! j! v0 r( T·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）
·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小
* R* k; G( r7 V3 t" U* d·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小

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参数还是比较完整的
* H; ~; m+ E; p3 T3 V) l% _0 M

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比三极管的双效特性要小

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噪声是由管子内部的载流子不规则引起的