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5G电源应用范围广,需要选择优质的国产MOS管替代HYG045N10NS1B场管

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发表于 2021-12-30 16:47 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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5G作为国家新的核心基建设施,其使用的5G电源需要有更稳定的电子元器件,而MOS管作为电源模块最重要的元器件。在选择可替代国外的MOS管应用时,需要更为谨慎。
; q. M* r3 G) D0 N2 B- |& M
3 c, U4 o8 }( o1 @0 E; _( r实际上在国内有哪些MOS管可以替代HYG045N10NS1B、HYG042N10NS1B、IPB045N10N3G、STI150N10F7四款场效应管使用在5G电源中呢?9 e( O+ h* V/ s8 Y
, J' E* r$ R$ \1 u+ ~
目前5G电源的电子工程师应会经常遇到上述的问题。对于5G电源的MOS管的场景使用中,我们推荐FHP170N1F4A这一款场效应管。9 l- j% |0 p: r6 o% x- \" [
* J7 L; Y+ ~" u/ x  Z
FHP170N1F4A型号的MOS管是由国内已经专注研发19年的MOS管厂家生产,它是纯国产制造,可以替换HYG045N10NS1B、HYG042N10NS1B、IPB045N10N3G、STI150N10F7等型号参数的场效应管。
+ X' U1 \$ D$ s+ ?# u" Q6 G2 ~
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2 j1 T8 z8 u3 \4 G( h我们来看看这款优质的FHP170N1F4A国产场效应管为什么说能比较好的代换HYG045N10NS1B型号参数在5G电源中使用?/ h# a4 B# e$ E( i# Z* K

* S2 w) A7 a$ R0 g最重要是从参数出发,看看飞虹这款FHP170N1F4A的具体产品参数,具有172A、100V的电流、电压, RDS(on) = 3.6mΩ(max) ,最高栅源电压@vgs =±20 V,100%EAS测试,100%Rg测试,100%DVDS热阻测试,优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg),一致性高,高可靠性,高雪崩耐量。
7 k; ^7 y0 J. y( @1 L2 v1 U4 |( [3 h' x/ F4 P3 @+ `
, l7 x% X. Q' r" T+ @( r* H1 d- D
FHP170N1F4A的封装形式是TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):172A;BVdss(V):100V。. K) M0 k% d6 d- v, i$ g8 D

& h' P% f3 M" c2 c' S8 I在国产化的场效应管代换使用过程中,飞虹国产型号:FHP170N1F4A型号参数来替代HYG045N10NS1B型号。它采用采用SGT工艺来获得出色的RDSON导通内阻和优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg),可实现快速硬开关和有效提高了转换效率,并拥有优异的抗短路脉冲电流性能。' t& E! m3 C- B6 ^

+ l) ~+ ?3 P7 {( @" @- q, H* p9 jTO-220产品广泛应用于5G电源,12-24V车载逆变器,48V工频逆变器,AC-DC开关电源,DC/DC转换器,UPS,户外储能电源,BLDC电机驱动(72V电动车控制器)等,TO-263产品适配电池管理。其它mos管品牌替代型号:042N10/045N10、HYG045N10NS1B、HYG042N10NS1B、IPB045N10N3G、STI150N10F7、SVG104R0NS、MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、STP150N10F7、SVG104R0NT。
, [4 y# _4 w) J9 ?. P* l: w4 n8 w0 D8 Q1 M; m

. s4 P( v2 h  c, w4 N1 C100V、172A 的MOS管代换使用,选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管已经广泛应用于电源电路、智能家居、新能源电子领域:如汽车电子、电瓶车、智能音响、家用电器、LED照明、充电器、电脑电源等行业,为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹电子”即可9 B- q7 U. z' i5 u5 G1 o9 H* z

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发表于 2021-12-30 18:29 | 只看该作者
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