5G电源应用范围广，需要选择优质的国产MOS管替代HYG045N10NS1B场管

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5G作为国家新的核心基建设施，其使用的5G电源需要有更稳定的电子元器件，而MOS管作为电源模块最重要的元器件。在选择可替代国外的MOS管应用时，需要更为谨慎。
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+ s" a7 X* {; j3 D' b4 L3 ?' n实际上在国内有哪些MOS管可以替代HYG045N10NS1B、HYG042N10NS1B、IPB045N10N3G、STI150N10F7四款场效应管使用在5G电源中呢？
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+ ^2 I& Y: s5 U目前5G电源的电子工程师应会经常遇到上述的问题。对于5G电源的MOS管的场景使用中，我们推荐FHP170N1F4A这一款场效应管。
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- B) j5 W9 T: bFHP170N1F4A型号的MOS管是由国内已经专注研发19年的MOS管厂家生产，它是纯国产制造，可以替换HYG045N10NS1B、HYG042N10NS1B、IPB045N10N3G、STI150N10F7等型号参数的场效应管。

5 y  {0 u2 W1 {. ?我们来看看这款优质的FHP170N1F4A国产场效应管为什么说能比较好的代换HYG045N10NS1B型号参数在5G电源中使用？
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最重要是从参数出发，看看飞虹这款FHP170N1F4A的具体产品参数，具有172A、100V的电流、电压， RDS(on) = 3.6mΩ(max) ，最高栅源电压@vgs =±20 V，100%EAS测试，100%Rg测试，100%DVDS热阻测试，优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)，一致性高，高可靠性,高雪崩耐量。

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FHP170N1F4A的封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：172A；BVdss（V）：100V。
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& {  f7 o6 a$ n% D在国产化的场效应管代换使用过程中，飞虹国产型号：FHP170N1F4A型号参数来替代HYG045N10NS1B型号。它采用采用SGT工艺来获得出色的RDSON导通内阻和优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)，可实现快速硬开关和有效提高了转换效率，并拥有优异的抗短路脉冲电流性能。
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) I4 |1 k4 G' m0 L0 xTO-220产品广泛应用于5G电源,12-24V车载逆变器,48V工频逆变器，AC-DC开关电源，DC/DC转换器，UPS，户外储能电源，BLDC电机驱动(72V电动车控制器)等，TO-263产品适配电池管理。其它mos管品牌替代型号：042N10/045N10、HYG045N10NS1B、HYG042N10NS1B、IPB045N10N3G、STI150N10F7、SVG104R0NS、MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、STP150N10F7、SVG104R0NT。
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100V、172A 的MOS管代换使用，选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管已经广泛应用于电源电路、智能家居、新能源电子领域：如汽车电子、电瓶车、智能音响、家用电器、LED照明、充电器、电脑电源等行业，为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹电子”即可

hunterccc

可靠性较高