单片机开发实现抗干扰措施

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单片机开发中形成干扰单片机芯片的基本要素有三个： ; d$ T/ N: Y( [# O8 _- N3 k  ^(1)干扰源。指产生干扰的元件、设备或信号，用数学语言描述如下：du/dt， di/dt大的地方就是干扰源。如：雷电、继电器、可控硅、电机、高频时钟等都可能成为干扰源。 (2)传播路径。指干扰从干扰源传播到敏感器件的通路或媒介。典型的干扰传播路径是通过导线的传导和空间的辐射。 ! C5 P( S' V, z$ u: k+ Z1 Q% d (3)敏感器件。指容易被干扰的对象。如：A/D、D/A变换器，单片机，数字IC， 弱信号放大器等。 & x& h0 y4 L! l2 y 5 d- F5 r/ P. v0 q5 q# B) ?# `2 H针对形成干扰单片机芯片的三要素，采取的抗干扰主要有以下手段。 ( Q% z: K3 c2 k4 z  O - c' a% @6 T/ `& s2 `7 R 1 抑制干扰源 $ {: S0 I3 v5 e) i ) `$ l, \1 j& G$ C, M抑制干扰源就是尽可能的减小干扰源的du/dt，di/dt。这是抗干扰设计中最优先考虑和最重要的原则，常常会起到事半功倍的效果。 减小干扰源的du/dt主要是通过在干扰源两端并联电容来实现。减小干扰源的di/dt则是在干扰源回路串联电感或电阻以及增加续流二极管来实现。 9 K' n* E' a! {  d5 F. f& ^' o抑制干扰源的常用措施如下： : J& P1 ^8 ?0 q6 U/ ](1)继电器线圈增加续流二极管，消除断开线圈时产生的反电动势干扰。仅加续流二极管会使继电器的断开时间滞后，增加稳压二极管后继电器在单位时间内可动作更多的次数。 * J2 g7 T" P6 J- C- U(2)在继电器接点两端并接火花抑制电路(一般是RC串联电路，电阻一般选几K 到几十K，电容选0.01uF)，减小电火花影响。   m  w, M5 l/ G- R0 y(3)给电机加滤波电路，注意电容、电感引线要尽量短。 # O7 l4 m" w8 _' {/ X; \(4)电路板上每个IC要并接一个0.01μF～0.1μF高频电容，以减小IC对电源的影响。注意高频电容的布线，连线应靠近电源端并尽量粗短，否则，等于增大了电 容的等效串联电阻，会影响滤波效果。 (5)布线时避免90度折线，减少高频噪声发射。 (6)可控硅两端并接RC抑制电路，减小可控硅产生的噪声(这个噪声严重时可能会把可控硅击穿的)。 - R7 J) b9 C$ B 7 g" A1 M! h6 j2 k2 切断干扰传播路径 - C; [2 s9 k2 _) s' T ' @9 e4 P) ]1 s! M+ [' Q/ z按干扰的传播路径可分为传导干扰和辐射干扰两类。 % n6 Q; I* s' h( z! K& E ( F. Z4 {, R7 N$ x' y' g% t! V2 J# ~所谓传导干扰是指通过导线传播到敏感器件的干扰。高频干扰噪声和有用信号的频带不同，可以通过在导线上增加滤波器的方法切断高频干扰噪声的传播，有时也可加隔离光耦来解决。电源噪声的危害最大，要特别注意处理。 所谓辐射干扰是指通过空间辐射传播到敏感器件的干扰。一般的解决方法是增加干扰源与敏感器件的距，用地线把它们隔离和在敏感器件上加蔽罩。 1 P8 M* O% l4 Y6 B/ K3 提高敏感器件的抗干扰性能 % i% Q) G! D/ G0 c; A. l2 D, H提高敏感器件的抗干扰性能是指从敏感器件这边考虑尽量减少对干扰噪声 的拾取，以及从不正常状态尽快恢复的方法。 4 其它常用单片机芯片干扰措施 ' s" q% s6 f/ x% X+ V9 c* A; e9 G% p交流端用电感电容滤波：去掉高频低频干扰脉冲。 0 w* V$ Z' q4 Y: M; l 变压器双隔离措施：变压器初级输入端串接电容，初、次级线圈间屏蔽层与初级间电容中心接点接大地，次级外屏蔽层接印制板地，这是硬件抗干扰的关键手段。次级加低通滤波器：吸收变压器产生的浪涌电压。

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高频时钟可能成为干扰源

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抑制干扰源是最优先考虑和最重要的原则

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继电器线圈增加续流二极管，消除断开线圈时产生的反电动势干扰

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滤波电路的电容、电感引线要尽量短

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去掉高频低频干扰脉冲