这个STM32F103RBT6的晶体倒底是多少？

kikkgl

#if defined (STM32F10X_LD_VL) || (defined STM32F10X_MD_VL) || (defined STM32F10X_HD_VL)
4 Q' A( J1 v( _3 q  t/ F /* #define SYSCLK_FREQ_HSE    HSE_VALUE */
#define SYSCLK_FREQ_24MHz  24000000
#else
" Z6 l  g* J/ B: w' h& l /* #define SYSCLK_FREQ_HSE    HSE_VALUE */
/* #define SYSCLK_FREQ_24MHz  24000000 */
/ d. Y1 ?' D. j1 o4 I /* #define SYSCLK_FREQ_36MHz  36000000 */
/* #define SYSCLK_FREQ_48MHz  48000000 */
/ U( g) _1 U% U1 N/ M7 [ /* #define SYSCLK_FREQ_56MHz  56000000 */
% n' l" U! ?* W4 Y! z #define SYSCLK_FREQ_72MHz  72000000
#endif
) a5 Q' f% _8 X7 A) U7 m上面的LD,MD,HD不过是FLASH密度，怎么和晶体有关系了？

ninik342

这是为了兼容性考虑的，STM32F10X包括101、102、103、107等型号LD,MD,HD确实是FLASH容量，但很多型号最高主频为24兆赫(比如STM32F100C8T6)，这时候MDK里面C/C++选项卡就定义宏STM32F10X_xx_VL以匹配最高主频及其它配置

Heaven_1

是的，为了兼容性考虑的，

埋头拉线ing

这是宏定义，把几个程序放在一起，用宏定义决定用哪个程序