请教这个STM32F103RBT6的晶体倒底是多少？

unix16785

#if defined (STM32F10X_LD_VL) || (defined STM32F10X_MD_VL) || (defined STM32F10X_HD_VL)
+ P7 I+ l5 f2 J3 d/ W. \/* #define SYSCLK_FREQ_HSE    HSE_VALUE */
7 ~0 ~0 U, F. P8 F  N- y#define SYSCLK_FREQ_24MHz  24000000
" ]! p  F1 W* h#else
/* #define SYSCLK_FREQ_HSE    HSE_VALUE */
) g) ~/ \/ X' X/* #define SYSCLK_FREQ_24MHz  24000000 */
0 U% t9 U+ k, J% Z/ R/* #define SYSCLK_FREQ_36MHz  36000000 */
: z5 _5 N- m+ H* M" Y# G+ D/* #define SYSCLK_FREQ_48MHz  48000000 */
! O3 v7 D5 o, @8 r( i/* #define SYSCLK_FREQ_56MHz  56000000 */
#define SYSCLK_FREQ_72MHz  72000000
* x3 Y# c; v3 U8 ?7 c#endif
2 C7 @( `2 K2 [) I! h+ c2 f0 o上面的LD,MD,HD不过是FLASH密度，怎么和晶体有关系了？

ononsiiii197

1 |6 q2 J% t, h" }LD,MD,HD默认最佳应用频率不同，倍频自然不一样，你可以随便改。

cscscwwwrte

这是为了兼容性考虑的，STM32F10X包括101、102、103、107等型号LD,MD,HD确实是FLASH容量，但很多型号最高主频为24兆赫(比如STM32F100C8T6)，这时候MDK里面C/C++选项卡就定义宏STM32F10X_xx_VL以匹配最高主频及其它配置

mqerew

应该是可以更改的
, X0 F) @, y& e! M! {1 \