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静电二极管都有哪些参数？

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someone
  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-29 15:05

    • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到
    跳转到指定楼层
    1#
    发表于 2021-11-26 09:14 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    EDA365微信号及QQ群号！
    dream123
  • TA的每日心情
    慵懒
    2022-1-21 15:20

    • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到
    2#
    发表于 2021-11-26 10:00 | 只看该作者
    VRWM：反向截止电压、通俗地讲，就是ESD允许施加的最大工作电压，在该电压下ESD处于截止状态，此时ESD的漏电流很小，为几微安甚至更低。: W' Z3 J  b, r0 K# a  b4 ~1 u9 Z

    ' ?. o# c! X$ z1 L6 g, z" Q   VBR：击穿电压，击穿电压是ESD要开始动作（雪崩击穿）的电压，一般在规定的电流下测量，通常在大小为1mA的 电流下测量。
      {- G, t( |3 I" v  S+ [

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    lrene

    该用户从未签到
    3#
    发表于 2021-11-26 10:42 | 只看该作者
      IR：反向漏电流，即在ESD器件两端施加VRWM电压下测得ESD的漏电流。
      O7 a  j& H2 W, e+ ?& O
    5 q0 F  b! \4 l2 l" ^   IPP：峰值脉冲电流，一般采用8/20μs的波形测量。7 i- f: [) W7 D1 b) h# Q
    % z, f8 Z4 _! u; L0 @
       VC： 钳位电压，在给定大小的IPP下测得ESD两端的电压。大部分ESD产品VC与VBR及IPP成正比关系。6 K" S9 a- d* o# X' l! k7 P. M
    6 B  L2 g7 T3 M& k( H
       C J：结电容，ESD的结电容与ESD的芯片面积、工作电压有关系。对于相同电压ESD产品，芯片面积越大结电容越大；对于相同芯片面积的ESD，工作电压越高结电容就越低。
    8 {/ v9 V) x! n, N3 D( l

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