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静电二极管都有哪些参数？

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someone
  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-29 15:05

    • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到
    跳转到指定楼层
    1#
    发表于 2021-11-26 09:14 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    EDA365微信号及QQ群号！
    dream123
  • TA的每日心情
    慵懒
    2022-1-21 15:20

    • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到
    2#
    发表于 2021-11-26 10:00 | 只看该作者
    VRWM：反向截止电压、通俗地讲，就是ESD允许施加的最大工作电压，在该电压下ESD处于截止状态，此时ESD的漏电流很小，为几微安甚至更低。
    * q& H2 K) n" `0 |! h0 p% r( p. a7 [7 U# b9 E% }4 ~
       VBR：击穿电压，击穿电压是ESD要开始动作（雪崩击穿）的电压，一般在规定的电流下测量，通常在大小为1mA的 电流下测量。$ ?: c" ~; i3 f

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    lrene

    该用户从未签到
    3#
    发表于 2021-11-26 10:42 | 只看该作者
      IR：反向漏电流，即在ESD器件两端施加VRWM电压下测得ESD的漏电流。
    8 o6 ]! y& @. k  h* Z, u6 `8 m/ T/ E3 {/ W
       IPP：峰值脉冲电流，一般采用8/20μs的波形测量。
    0 A+ ?9 A+ X) k- p* T: G- ]. D8 n9 R8 V: d6 }
       VC： 钳位电压，在给定大小的IPP下测得ESD两端的电压。大部分ESD产品VC与VBR及IPP成正比关系。
    0 J: ~' H& G8 c* `1 A; J$ I' {% F) F8 [1 r7 h0 V3 O5 O7 ]$ w( p+ ^
       C J：结电容，ESD的结电容与ESD的芯片面积、工作电压有关系。对于相同电压ESD产品，芯片面积越大结电容越大；对于相同芯片面积的ESD，工作电压越高结电容就越低。
    $ m6 t0 \/ |# a! j( k. s" f

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