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静电二极管都有哪些参数?

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  • TA的每日心情
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    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2021-11-26 09:14 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    静电二极管都有哪些参数?
  • TA的每日心情
    慵懒
    2022-1-21 15:20
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2021-11-26 10:00 | 只看该作者
    VRWM:反向截止电压、通俗地讲,就是ESD允许施加的最大工作电压,在该电压下ESD处于截止状态,此时ESD的漏电流很小,为几微安甚至更低。) w: o+ P. Q1 o! ~! G; U6 U4 o1 i! q
    8 X  m3 X7 H% k
       VBR:击穿电压,击穿电压是ESD要开始动作(雪崩击穿)的电压,一般在规定的电流下测量,通常在大小为1mA的 电流下测量。4 P6 n: b  ]* \4 e- b! N' N% k/ v

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2021-11-26 10:42 | 只看该作者
      IR:反向漏电流,即在ESD器件两端施加VRWM电压下测得ESD的漏电流。( A. _9 Q, x+ C9 s  u
    4 H4 p$ _" y, k' Q' H( k( E
       IPP:峰值脉冲电流,一般采用8/20μs的波形测量。4 V6 B5 l3 V0 \2 f( \8 g' d! B! a
    + S) E( ], P5 g
       VC: 钳位电压,在给定大小的IPP下测得ESD两端的电压。大部分ESD产品VC与VBR及IPP成正比关系。
    5 \8 D1 U4 T' E9 Z6 k1 s
    % ^2 L: _. q$ O+ }% ~; K3 Q( |   C J:结电容,ESD的结电容与ESD的芯片面积、工作电压有关系。对于相同电压ESD产品,芯片面积越大结电容越大;对于相同芯片面积的ESD,工作电压越高结电容就越低。
    . M/ }0 v5 c9 ^. l
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