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SiC功率元器件的开发背景和优点

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发表于 2021-11-23 10:01 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。1 f$ ]. {4 E7 `" ?
SiC功率元器件的开发背景% h( i, L) Y& J* m3 P5 M, G
之前谈到,通过将SiC应用到功率元器件上,实现以往Si功率元器件无法实现的低损耗功率转换。不难发现这是SiC使用到功率元器件上的一大理由。其背景是为了促进解决全球节能课题。
$ G6 T/ J1 |. E5 f以低功率DC/DC转换器为例,随着移动技术的发展,超过90 %的转换效率是很正常的,然而高电压、大电流的AC/DC转换器的效率还存在改善空间。众所周知,以EU为主的相关节能指令强烈要求电气/电子设备实现包括消减待机功耗在内的节能目标。0 J! a8 d! |, M; h' J  ]* l) x
在这种背景下,削减功率转换时产生的能耗是当务之急。不用说,必须将超过Si极限的物质应用于功率元器件。
0 x7 t7 \& N9 D) y& i3 w# [例如,利用SiC功率元器件可以比IGBT的开关损耗降低85%。如该例所示,毫无疑问,SiC功率元器件将成为能源问题的一大解决方案。( {- {4 @, G/ H. c+ r
2 r) H2 z" \8 Y$ G2 u2 t
SiC的优点: @  `9 d5 ], |9 k8 B% A
如前文所述,利用SiC可以大幅度降低能量损耗。当然,这是SiC很大的优点,接下来希望再了解一下低阻值、高速工作、高温工作等SiC的特征所带来的优势。
) l1 Y9 d! l" {( l8 f0 Y- g通过与Si的比较来进行介绍。”低阻值”可以单纯解释为减少损耗,但阻值相同的话就可以缩小元件(芯片)的面积。应对大功率时,有时会使用将多个晶体管和二极管一体化的功率模块。例如,SiC功率模块的尺寸可达到仅为Si的1/10左右。
/ c$ o$ H6 S4 T! _/ ]  f% ^关于“高速工作”,通过提高开关频率,变压器、线圈、电容器等周边元件的体积可以更小。实际上有能做到原有1/10左右的例子。
# _& c- X3 [1 A+ J8 Y“高温工作”是指容许在更高温度下的工作,可以简化散热器等冷却机构。
7 K# m1 r3 e% A9 c5 V1 h如上所述,可使用SiC来改进效率或应对更大功率。而以现状的电力情况来说,通过使用SiC可实现显著小型化也是SiC的一大优点。不仅直接节能,与放置场所和运输等间接节能相关的小型化也是重要课题之一。

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发表于 2021-11-23 10:18 | 只看该作者
SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作& d; u2 O! S, j2 ~% {  T6 r1 `( Q

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发表于 2021-11-23 10:30 | 只看该作者
通过将SiC应用到功率元器件上,实现以往Si功率元器件无法实现的低损耗功率转换
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发表于 2021-11-23 10:55 | 只看该作者
通过与Si的比较来进行介绍。”低阻值”可以单纯解释为减少损耗,但阻值相同的话就可以缩小元件(芯片)的面积。应对大功率时,有时会使用将多个晶体管和二极管一体化的功率模块
1 V2 }. n5 t% i% G5 j: @  X3 \

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发表于 2022-2-14 16:34 | 只看该作者
碳化硅MOS的开关频率高,工作电压+18-20V,-3V(小功率不用负压关断)

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碳化硅产品手册.pdf

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