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一、引言 随着电路设计高速高密的发展趋势,QFN封装已经有0.5mm pitch甚至更小pitch的应用。由小间距QFN封装的器件引入的PCB走线扇出区域的串扰问题也随着传输速率的升高而越来越突出。对于8Gbps及以上的高速应用更应该注意避免此类问题,为高速数字传输链路提供更多裕量。本文针对PCB设计中由小间距QFN封装引入串扰的抑制方法进行了仿真分析,为此类设计提供参考。 那么,什么是小间距QFN封装PCB设计串扰抑制呢? 二、问题分析
6 Q2 m; g/ Z2 i( t8 p4 U& T在PCB设计中,QFN封装的器件通常使用微带线从TOP或者BOTTOM层扇出。对于小间距的QFN封装,需要在扇出区域注意微带线之间的距离以及并行走线的长度。图1是一个0.5 pitch QFN封装的尺寸标注图。
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7 g/ B5 T6 }* v3 B9 S图1、0.5 pitch QFN封装尺寸标注图! C5 o% D6 x/ U. e% R! H
图2是一个使用0.5mm pitch QFN封装的典型的1.6mm 板厚的6层板PCB设计:; `3 a# V, c8 i
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图2、QFN封装PCB设计TOP层走线
% O S1 F( I! i2 ]* v! D2 K差分线走线线宽/线距为:8/10, 走线距离参考层7mil,板材为FR4.
( A" {$ h+ h7 W% q图3、PCB差分走线间距与叠层
/ i1 W' O+ O6 x从上述设计我们可以看出,在扇出区域差分对间间距和差分对内的线间距相当,会使差分 对间的串扰增大。
9 P- f) t) B! z& d图4是上述设计的差分模式的近端串扰和远端串扰的仿真结果,图中D1~D6是差分端口。
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9 E5 C# u( i* q. r0 S! t! |图4、差分模式端口定义及串扰仿真结果1 F# k2 O; `, a0 Y t6 Y( k
从仿真结果可以看出,即使在并行走线较短的情况下,差分端口D1对D2的近端串扰在5GHz超过了-40dB,在10GHz达到了-32dB,远端串扰在15GHz达到了-40dB。对于10Gbps及以上的应用而言,需要对此处的串扰进行优化,将串扰控制到-40dB以下。
& g: `# z# B+ I/ O+ \三、优化方案分析
^1 q' m: m. g* }对于PCB设计来说,比较直接的优化方法是采用紧耦合的差分走线,增加差分对间的走线间距,并减小差分对之间的并行走线距离。: q% e7 Y. l1 r/ n& D+ v U+ b
图5是针对上述设计使用紧耦合差分线进行串扰优化的一个实例:7 `/ z( s8 a# H, Y7 i! s
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图5、紧耦合差分布线图
9 G0 m- N: E, ]3 p3 k$ T" A a图6是上述设计的差分模式的近端串扰和远端串扰的仿真结果:
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图6、紧耦合差分端口定义及串扰仿真结果9 u8 z7 z+ B# [) P
从优化后的仿真结果可以看出,使用紧耦合并增加差分对之间的间距可以使差分对间的近端串扰在0~20G的频率范围内减小4.8~6.95dB。远端串扰在5G~20G的频率范围内减小约1.7~5.9dB。
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