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一、静电击穿分析 }, {: u1 ?2 X- P! ~, |0 U. x
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MOS管一个ESD灵敏器材,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又十分小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少数电荷就或许在极间电容上形成适当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏),又因在静电较强的场合难于泄放电荷,简单引起静电击穿。静电击穿有两种方法:一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,使栅极和源极间短路,或许使栅极和漏极间短路;二是功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,形成栅极开路或许是源极开路。JFET管和MOS管相同,有很高的输入电阻,只是MOS管的输入电阻更高。0 m* C% \7 D; i7 g
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反偏pn结比正偏pn结更简单发生热致失效,在反偏条件下使结损坏所需求的能量只有正偏条件下的十分之一左右。这是由于反偏时,大部分功率消耗在结区中心,而正偏时,则多消耗在结区外的体电阻上。对于双极器材,通常发射结的面积比其它结的面积都小,并且结面也比其它结更靠近表面,所以常常观察到的是发射结的退化。此外,击穿电压高于100V或漏电流小于1nA的pn结(如JFET的栅结),比相似尺度的常规pn结对静电放电愈加灵敏。0 T0 w5 T& Z- p4 U0 s" z
( i4 n- r- |6 r, Z 所有的东西是相对的,不是肯定的,MOS管只是相对其它的器材要灵敏些,ESD有一个很大的特点便是随机性,并不是没有碰到MOS管都能够把它击穿。另外,就算是发生ESD,也不一定会把管子击穿。静电的根本物理特征为:(1)有吸引或排斥的力气;(2)有电场存在,与大地有电位差;(3)会发生放电电流。这三种景象即ESD一般会对电子元件形成以下三种景象的影响:(1)元件吸附尘埃,改动线路间的阻抗,影响元件的功能和寿数;(2)因电场或电流损坏元件绝缘层和导体,使元件不能工作(彻底损坏);(3)因瞬间的电场软击穿或电流发生过热,使元件受伤,虽然仍能工作,可是寿数受损。所以ESD对MOS管的损坏或许是一,三两种情况,并不一定每次都是第二种情况。上述这三种情况中,假如元件彻底损坏,必能在出产及质量测验中被察觉而排除,影响较少。假如元件轻微受损,在正常测验中不易被发现,在这种景象下,常会因经过屡次加工,乃至已在使用时,才被发现损坏,不但查看不易,并且丢失亦难以预测。静电对电子元件发生的损害不亚于严峻火灾和爆破事故的丢失。
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9 X% j9 D/ Y! ]1 |" V. j5 T 二、静电的预防
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" H& |' V+ r7 ~+ S, } PCBA板在什么情况下会遭受静电损坏?可以这么说:电子产品从出产到使用的全过程都遭受静电损坏的要挟。从器材制作到插件装焊、整机装联、包装运送直至产品应用,都在静电的要挟之下。在整个电子产品出产过程中,每一个阶段中的每一个小步骤,静电灵敏元件都或许遭受静电的影响或受到损坏,而实际上最主要而又简单忽略的一点却是在元件的传送与运送的过程。在这个过程中,运送因移动简单暴露在外界电场(如经过高压设备附近、工人移动频繁、车辆迅速移动等)发生静电而受到损坏,所以传送与运送过程需求特别注意,以减少丢失,避免无所谓的胶葛。防护的话加齐纳稳压管维护。. u3 }- h1 G' l, `! L E
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现在的mos管没有那么简单被击穿,尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二极管维护。vmos栅极电容大,感应不出高压。与枯燥的北方不同,南方潮湿不易发生静电。还有便是现在大多数CMOS器材内部已经增加了IO口维护。但用手直接触摸CMOS器材管脚不是好习惯。至少使管脚可焊性变差。5 k6 d0 }4 X: P/ p M$ M+ D% @, m
& @/ E3 g$ u3 x0 L& f 榜首、MOS管本身的输入电阻很高,而栅源极间电容又十分小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少数电荷就可在极间电容上形成适当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。虽然MOS输入端有抗静电的维护措施,但仍需小心对待,在存储和运送中最好用金属容器或许导电材料包装,不要放在易发生静电高压的化工材料或化纤织物中。组装、调试时,东西、仪表、工作台等均应良好接地。要避免操作人员的静电干扰形成的损坏,如不宜穿尼龙、化纤衣服,手或东西在触摸集成块前最好先接一下地。对器材引线矫直曲折或人工焊接时,使用的设备有必要良好接地。
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2 }9 \: S/ i& z4 V 第二、MOS电路输入端的维护二极管,其导通时电流容限一般为1mA,在或许呈现过大瞬态输入电流(超过10mA)时,应串接输入维护电阻。因此应用时可选择一个内部有维护电阻的MOS管应。还有由于维护电路吸收的瞬间能量有限,太大的瞬间信号和过高的静电电压将使维护电路失去作用。所以焊接时电烙铁有必要可靠接地,以防漏电击穿器材输入端,一般使用时,可断电后使用电烙铁的余热进行焊接,并先焊其接地管脚。
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