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FP5207 是非同步升压控制 IC,透过 EXT Pin 控制外部 NMOS,输入低启动电压 2.8V 与宽工作电压 5V~24V,& [! Y; Y" E1 f! ]& P8 q2 @
单节锂电池 3V~4.2V 应用,将 Vout 接到 HVDD Pin;精准的反馈电压 1.2V,内置软启动,工作频率由外部电阻调整;过电流保护,检测电感峰值电流,检测电阻 Rcs 接在开关 NMOS Source 端与地之间。) O, z6 K$ q. f3 |0 M- F! D& V4 ]
FP5207规格书.pdf
(3.51 MB, 下载次数: 1)
FP5207中文应用手册.pdf
(3.43 MB, 下载次数: 1)
8 L0 O8 ^& g3 _8 T
特色4 A; ]' O6 w5 a8 W0 T1 I, Z# M; \
➢ 启动电压 2.8V
2 E$ d" R3 A/ F2 ~➢ 工作电压范围 5V~24V8 w# U) x% h0 Z2 v3 ?6 [# g
➢ 反馈电压 1.2V (±2%)
( ^4 I" f. C" ^& b+ E# ~! _➢ 关机耗电流小于 3μA
0 e* m' N$ e2 \- S F R( Z➢ 可调工作频率 100kHz~1000kHz. W+ R% V( X1 l& W: @2 T
➢ 内置软启动( d3 P, t( X' N
➢ 输入低电压保护(UVP)
& w9 K9 I* Q" x) _& m7 V/ ?- S0 m8 B➢ 可调过电流保护(OCP)
% @2 w. A* @6 {6 R0 b➢ 过温保护(OTP)( Q' K! V' r" J) j% [ R
➢ 封装 SOP-8L(EP)
- a# E/ O# h* F- u; s' D* _% ^) p7 @. E5 f4 x6 O( a4 z
应用范围8 }( r) U+ a. a7 t, n6 K; C
➢ 蓝牙音响
! _8 n* B+ L0 [' a* H➢ 充电器
7 v8 ]* Y0 X# ^- z) C* i➢ 移动电源
% @0 p" D# N3 u1 L( I7 }➢ 携带式产品
8 i( u9 n; a# Y( g# j. |( {6 E# g# c3 [5 P
IC 内部方块图6 C+ L- C. G) _: f0 H3 S3 |
6 E! E d: a d# R) e( i
( G, o. |6 D8 |1 Y( c( qPIN 脚描述$ |( Q# m- N( q4 K( z3 n
SOP-8L (EP)' b' g+ z: l: U# \4 n
+ c5 j+ n$ A0 Y$ x) _$ O ^
* _' `" e; j: c0 g' F
特性曲线
& [7 h7 {% }$ \3 f(环境温度 25°C)应用电路图4 i& {! Y# q h$ l& L3 D3 T! U
应用电路图) M7 s( P# u& U4 d8 W
应用元件 ➢ C1、C7:输入与输出稳压电容。
1 n" ~4 l9 {9 r* \7 W/ p1 i
5 f7 Y7 h" d- p K( z. r➢ C2、C6、C8:高频噪声滤波电容。$ W0 | j: ^: A5 K
➢ C3:输入电源接 HVDD 经过内部稳压管到 VDS 产生 8V,此电压会提供内部电路与 EXT Pin驱动外部 Q2 的闸极,需要加稳压电容。
* p+ \% a1 j& c$ w➢ C4、C5、C13、R1、R5:系统的补偿回路,关系到系统的稳定度。
& Z- O9 l* [2 H- T% N' B# k6 {' a/ S➢ L1:电感具有储能与滤波功用,感值越大电感涟波越小,相对感值越小涟波越大。选用电感
2 |# O7 h M& b/ V3 V$ W6 p需注意电感是否适合高频操作,及电感额定饱和电流值。
: V5 u3 o5 A( \/ I6 {➢ D1:当 Q2 截止时,D1 萧特基管导通提供电感放电回路。 w g! ^/ m$ V$ F1 P
➢ Q2:使用内阻低的 NMOS,Drain 端高电压等于输出 19V,耐压选用 19V 的 1.5 倍。0 m# ^ G9 L2 j, ^$ `! q9 z* m
➢ R3:Vin 与 EN 之间接 200kΩ,自动启动 IC。" ~/ q2 L9 Y8 ~
➢ R6:调整工作频率电阻。
0 P& c6 p. |1 ?1 I➢ R11、R12:分压电阻设定输出电压。; s& J P( T5 T' o% O
➢ R8:预留作为 EMI 对策。
4 E! W9 F8 N7 W# i4 ]➢ Rcs:电感峰值电流检测与过电流保护电阻。, B$ I1 z( N: @8 t3 k5 F1 m
C% y% S% |! o
功能说明
" |; V8 f& {8 a- x7 A* q3 q; p! E4 Ea. 软启动1 {) L+ J! m3 n: j( |/ N5 P
IC 启动时,利用软启动限制 PWM 占空比,让占空比慢慢打开,避免瞬间输入涌浪电流过大。
! @, s5 H/ p' k- n$ w0 y- G" |
: @6 ~4 K# {+ }9 L) `4 h r; l9 xb. EN 开关控制
7 B4 [) a, X! G* ?& P6 a- F3 L5 D2 c如下分压电阻 R3、R4 连接 Vin 与 EN,可以调整 FP5207 开启与关闭电压,当 EN 超过 1.5V 开启,EN 低于 1.3V 关闭,迟滞电压 0.2V 可以避免 IC 反覆开关;EN 低于 1.3V 时 EXT PWM 讯号、VDS 电压都会被关闭,HVDD 耗电流小于 3μA;不设定开启与关闭电压,R3 接 200kΩ、 R4 不接,EN 内部拑位电路限制VEN<5.5V,此外 EN Pin 不能空接(悬空)。HVDD 电压低于 5V, 不能使用 R3、R4 控制 EN 开关,例如单节锂电池3V~4.2V,输出端接到 HVDD,当 Vin 降低 EN 关闭,输出不升压,HVDD 趋近 Vin,就会低于 5V。
& z3 A. g% \9 ^' d1 z, v3 h/ i
7 }% j( z* f, |6 U0 f" e6 n, h! a+ G2 e9 H" z; D
c. 工作频率$ l+ I" }0 P- j& N/ k/ ^
RT Pin 与地之间接电阻调整工作频率,频率范围 100kHz ~ 1000kHz,对应电阻 220kΩ ~ 17kΩ;当 RT Pin
( |* x% G, j3 A6 T' P; Z, r不接电阻(悬空),FP5207 内部预设频率 150kHz,以下是电阻值对应工作频率图与计算公式。
4 `; x- F1 F5 W
0 c3 q. c' p1 e1 g
/ o( y# H- i: p1 vd. 过电流保护; R _3 ~/ Y( X1 K+ A: h3 y4 @0 K1 o
过电流检测电阻 RCS 连接 Q2 Source 端与地之间,Q2 打开电感电流通过 RCS 产生 VCS,CS检测 VCS 峰值电压,以下公式计算 RCS,0.085V 是 CS 检测电压下限值,ILP 是电感峰值电流,常数 1.3 是提供 30%的误差范围,避免 RCS,电感,频率误差,而误触发过电流保护。当触发过电流保护,EXT 占空比会缩小,限制电感电流,避免 Q2 损伤。3 a# @5 ]! I) u; K1 J
7 O+ Y# w& U6 q9 Y" E9 X: }
/ X3 {9 d6 E' B/ s电感平均电流(输入电流)9 {! }4 ?$ I% K" [, O- H. L! Y
% s: Y: B8 K, s0 ]) y! o: d1 s* e
9 c) I3 v- f# q- l. J# |e. 过温保护
$ S, c j/ e, V当 IC 内部芯片温度达到 150℃时,会将 IC 关闭,等温度降低到 120℃再恢复升压。
3 Y: {! s, e8 r7 X$ h" J+ L1 N
1 j0 I( |0 a9 B. \0 A) |应用说明0 z/ D2 }. U+ F, f0 x+ a
a. 输入低电压应用1 g7 C3 M! x2 D. n
输入电压低于 5V,象是单节锂电池应用,将 HVDD Pin 接到 Vout,如果 Vout=5V~8.5V,可以将 VDS Pin接 Vout;双节锂电池 6V~8.4V,HVDD 接输入,也可以将 VDS 接输入,提高 EXT 驱动 MOS Gate 电压,会提升转换效率;输入高于 8.5V,HVDD 接输入,VDS 不接输入。4 x, F4 P+ S7 ?8 F
& I# U$ f- a" U: Q+ O- D Tb. 电感计算
6 ~' p; }1 a3 I! _& ?' ~- M, C7 _5 B# T1 Z
/ b: M* i8 m$ K+ ^ l5 B
c. 电容与萧特基选用! o' Q K: [' F' V) G
MLCC 陶瓷电容选用 X5R,X7R 材质,不建议使用 Y5V 材质(内阻高,电容值随温度变化大);萧特基选用低导通电压,平均电流大于输入与电感峰值电流,耐压大于输出电压的 1.5 倍。9 K9 w; @0 F5 q: [) ?6 S7 E* h* T! D
: ]0 ~7 m3 m9 P# M9 @d. 输出电压设定3 E9 Z( O# n9 U( x
输出端到 FB 接 R11,FB 到地接 R12,输出电压计算公式如下,1.2V 是 FB 反馈电压。
7 y! {! b/ s, V6 X% g6 I6 z1 F5 D1 }& E) J: R
e. 布板说明( e( M) Z* Z. _0 u/ ~
" `+ i' \+ [ ]2 ]& r0 A1 v/ c4 e# {( d* y
➢ 大电流路径走线要粗,铺铜走线最佳。; Z$ I" Q6 {& S8 |; D4 m
➢ 开关切换连接点 L1、Q2 的 Drain 端与 D1,走线要短与粗,铺铜走线最佳。, y2 X/ u7 h' n$ q& S! g( Z
➢ 输入电容 C6 靠近 HVDD 与 GND Pin,达到稳压与滤波功效。
. O6 i# n Q( @# H3 w! _8 a, o9 O➢ 分压电阻 R11/R12 靠近 FB 与 GND Pin。* L3 H0 l& Z( Z; W
➢ FB Pin 远离开关切换点 L1、Q2 的 Drain 与 D1,避免受到干扰。
$ K; f) k6 d% g; w) a➢ 输入电容 C1/C2 的地、输出电容 C7/C8 与 Rcs 的地,铺铜走线,上下层地多打洞连接。
4 a N3 n$ }2 Q9 K+ }; M➢ 输出电容 C7/C8 的地一定要靠近 Rcs 的地,可以降低开关切换突波,降低输出高频噪声。
. ]9 }$ _. q) u, O8 ~2 @, z1 D➢ Rcs 靠近 CS 与 GND pin。( B% v0 K) H. t9 k
➢ 板子多余空间建议铺地。) J w- v) X) ?2 A7 a
K+ w. S* g4 r: `/ mf. EMI 对策
0 {/ n% v8 V) C# t& d5 p! fR8 磁珠规格如下,R9 与 C9 两者靠近,且要靠近 Q2 的 Drain 与 Source;R10 与 C10 两者靠近,且要靠近D1;输出 L2 磁珠规格如下;输出电容 C8 的地靠近 Rcs 地。测试条件 Vin=9V、Vout=19V、Iout=3A,如下测试结果垂直低标 7.33dB、水平低标 15.33dB。
& H& X9 B5 O$ l. ^, q5 x9 a9 j( P6 f. K$ ~
- f3 p% T& f+ i5 @* B$ u/ G磁珠 FI321611U601
1 Y# V! ^3 M( F# J6 s* g9 P; h$ o' S/ Z' r |; ~0 Z5 p6 Z6 M
; p8 l" W" `2 r9 j3 s$ `3 u3 C. z常见问题# T- w: l7 s5 @, f! q5 |, v* E
a. 输出电压不准确
/ k9 N! p- u3 B# c% s/ G输出电压设定值与应用板测试值差异大,分压电阻 R11,R12 要靠近 FP5207 的 FB 与 GND Pin,
' t `* `7 \$ g5 r/ I$ hGND Pin 在底部散热片,单层板走线需要特别注意,且要远离 L1,Q2 的 Drain 与 D1 开关切换点。
5 q, }# i- q; T6 R1 h w+ A
' T& f. H: t" o. ~' U p4 Q/ {4 @% i: J% z
b. 过电流保护误动作. C$ R4 g- h+ D
设定过电流保护值与应用板测试值差异大,侦测电阻 RCS 要靠近 FP5207 的 CS 与 GND Pin,GND Pin 在5 |$ H* g: a# ^. @. p# m
底部散热片,单层板走线需要特别注意。
+ O0 R/ V# ^* n, E7 c
A o* R1 J( c* ]+ ~! ^' m$ }
# P9 j! E* k2 |8 @. Uc. HVDD 电压低于 5V,不能使用 R3、R4 控制 EN 开关6 j2 D- J0 u$ O- i5 m6 r
HVDD 电压低于 5V,不能使用 R3、R4 分压电阻连接 Vin 与 EN,设定 EN 开启与关闭电压,例如单节锂电池输入 3V~4.2V,HVDD 是接输出电压,当 Vin 降低 EN 关闭,输出不升压,HVDD趋近 Vin,就会低于 5V。8 v8 q! R- E1 R
! _ w" ?' ~0 p1 D8 [
- L+ ]4 Y l' L# w' o3 A! u/ K
大瓦数应用范例1 A4 Y+ G2 |& i- ~# \* O
a. 应用板! [, L% Y& g0 H7 B% B- d
5 Y$ G* z3 _3 k8 ^ r
. }6 Q9 d( C+ @; a1 @ e- K6 m: Yb. 应用电路
+ d( n+ _9 }7 \, O2 N n% ?' R5 ^- v
- W; Z" P4 D0 S: B' u
c. 量测数值
. N! r! S) `5 i! V6 bVin=12V、Vout=33V、Iout=6.1A、输出功率 200W (环温 25℃)0 M- j2 E5 y& l
工作频率 :115kHz* F( \# B$ y+ r% m/ B& I8 x
转换效率 :95.8%
/ ?- z9 y5 t! q6 e! n) x& S0 u输出纹波 :250mV
) R4 C$ e; Q0 b) O元件温度 1=71℃、Q1=69℃、Q2=75℃、D1=82℃、D2=78℃、Rcs/Rcs1=81℃& m, o6 w" { s0 a! d5 J
% y$ `8 D9 E" f7 V ?/ c
d. PCB Layout/ ?1 a; e, T2 R. {
1 ]1 n: Z2 |) y1 a0 B" q
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% K, q# d H& w( ]4 v
; Y; C) C4 p7 I. j' k( h |
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