|
EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样,先有晶圆作为地基,再层层往上叠的芯片制造流程后,就可产出必要的 IC 芯片(这些会在后面介绍)。然而,没有设计图,拥有再强制造能力都没有用,因此,建筑师的角色相当重要。但是 IC 设计中的建筑师究竟是谁呢?本文接下来要针对 IC 设计做介绍。
- s; _) U: e0 R" W+ W
3 _4 P% `' Z7 B) Q5 w: ^9 D }- O5 X0 O. @6 W3 j; w8 ]) U1 `( T
在 IC 生产流程中,IC 多由专业 IC 设计公司进行规划、设计,像是联发科、高通、Intel 等知名大厂,都自行设计各自的 IC 芯片,提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择。因为 IC 是由各厂自行设计,所以 IC 设计十分仰赖工程师的技术,工程师的素质影响着一间企业的价值。然而,工程师们在设计一颗 IC 芯片时,究竟有那些步骤?设计流程可以简单分成如下。
* w/ v* C: Z0 g* l1 {7 S6 Y9 C- i1 ]* _( X
关于芯片的性能分析和介绍
1 W: {9 ?. B1 E' J
+ ], n8 U9 s# i! N% |% L设计第一步,订定目标
; U' L4 ]# U- R! l6 e8 S/ A% X8 K: U( ?2 f5 ^
在 IC 设计中,最重要的步骤就是规格制定。这个步骤就像是在设计建筑前,先决定要几间房间、浴室,有什么建筑法规需要遵守,在确定好所有的功能之后在进行设计,这样才不用再花额外的时间进行后续修改。IC 设计也需要经过类似的步骤,才能确保设计出来的芯片不会有任何差错。3 N; a E! H5 F6 V. c5 J
- e) V* `% t* P2 I7 \0 j0 l3 y8 ?
规格制定的第一步便是确定 IC 的目的、效能为何,对大方向做设定。接着是察看有哪些协定要符合,像无线网卡的芯片就需要符合 IEEE 802.11 等规范,不然,这芯片将无法和市面上的产品相容,使它无法和其他设备连线。最后则是确立这颗 IC 的实作方法,将不同功能分配成不同的单元,并确立不同单元间连结的方法,如此便完成规格的制定。
! p. c D. U! Z* V
" O+ d' W8 j% K' C4 g3 o设计完规格后,接着就是设计芯片的细节了。这个步骤就像初步记下建筑的规画,将整体轮廓描绘出来,方便后续制图。在 IC 芯片中,便是使用硬体描述语言(HDL)将电路描写出来。常使用的 HDL 有 Verilog、VHDL 等,藉由程式码便可轻易地将一颗 IC 地功能表达出来。接着就是检查程式功能的正确性并持续修改,直到它满足期望的功能为止。
+ n4 T8 ~7 _* I4 ?' p, j, P# a- i9 G' A
关于芯片的性能分析和介绍
7 _8 \. V1 X# A
0 L& p/ I) V- Q7 H7 ?32 bits 加法器的 Verilog 范例+ G+ m3 c8 M6 @, Z; T# N! l. O4 D
- i) Q, Z) n4 p4 u- e
有了电脑,事情都变得容易
9 s, s0 C2 T4 I6 B
, j# M) i; f6 v! V; s有了完整规画后,接下来便是画出平面的设计蓝图。在 IC 设计中,逻辑合成这个步骤便是将确定无误的 HDL code,放入电子设计自动化工具(EDA tool),让电脑将 HDL code 转换成逻辑电路,产生如下的电路图。之后,反覆的确定此逻辑闸设计图是否符合规格并修改,直到功能正确为止。/ [$ k0 L0 q! x$ Z
9 w9 `! G5 M, N$ g7 g8 f2 N
关于芯片的性能分析和介绍1 z, E& P- f% W2 t- ]! B2 d
8 ^. Z/ x: [ L' Z w$ l4 G1 n控制单元合成后的结果3 n6 x5 l$ l, x$ f6 N0 `
. L, q0 n& |1 r/ V6 H, B, H) T! V( q8 I
最后,将合成完的程式码再放入另一套 EDA tool,进行电路布局与绕线(Place And Route)。在经过不断的检测后,便会形成如下的电路图。图中可以看到蓝、红、绿、黄等不同颜色,每种不同的颜色就代表着一张光罩。至于光罩究竟要如何运用呢?
$ @0 j/ x3 w! a ^3 ~/ h% h
& g: M3 N8 S+ a2 O' ?$ a3 ^关于芯片的性能分析和介绍
% R: _+ X2 m& w# `& @7 P1 [ f
" f( Y! f$ x7 d/ D& L7 r常用的演算芯片- FFT 芯片,完成电路布局与绕线的结果
! S" J, i6 {" H3 `
! Z M3 z9 Q) q n4 a! Q' p层层光罩,叠起一颗芯片7 x1 |8 X1 V) \' x; K! }
# K, V* E' }% n0 m1 ~& t/ a" z
首先,目前已经知道一颗 IC 会产生多张的光罩,这些光罩有上下层的分别,每层有各自的任务。下图为简单的光罩例子,以积体电路中最基本的元件 CMOS 为范例,CMOS 全名为互补式金属氧化物半导体(Complementary metal–oxide–semiconductor),也就是将 NMOS 和 PMOS 两者做结合,形成 CMOS。至于什么是金属氧化物半导体(MOS)?这种在芯片中广泛使用的元件比较难说明,一般读者也较难弄清,在这里就不多加细究。
- T& \+ i1 E& v# B7 R9 w# ^# e- P' i1 d& Z; V3 t5 r: R
下图中,左边就是经过电路布局与绕线后形成的电路图,在前面已经知道每种颜色便代表一张光罩。右边则是将每张光罩摊开的样子。制作是,便由底层开始,依循上一篇 IC 芯片的制造中所提的方法,逐层制作,最后便会产生期望的芯片了。
0 U$ d! d+ a A1 e) Y% l* Z0 k3 t' P* _! a G' p9 D& y
关于芯片的性能分析和介绍
& V, ^6 x, v% b3 Z' R6 X2 T7 s! [: \( a, Y6 h
至此,对于 IC 设计应该有初步的了解,整体看来就很清楚 IC 设计是一门非常复杂的专业,也多亏了电脑辅助软体的成熟,让 IC 设计得以加速。IC 设计厂十分依赖工程师的智慧,这里所述的每个步骤都有其专门的知识,皆可独立成多门专业的课程,像是撰写硬体描述语言就不单纯的只需要熟悉程式语言,还需要了解逻辑电路是如何运作、如何将所需的演算法转换成程式、合成软体是如何将程式转换成逻辑闸等问题。- ^5 o% s" }: j! W# }+ ]* }
# m: b W2 W( q, `+ v6 y2 g其中主要半导体设计公司有英特尔、高通、博通、英伟达、美满、赛灵思、Altera、联发科、海思、展讯、中兴微电子、华大、大唐、智芯、敦泰、士兰、中星、格科等。+ k- E/ O. U& q) y; b, t% m5 p" [% p; Q1 K* S
: ~' z( b- ]% q0 S, q
二、什么是晶圆?
- S% y4 z% `) k" d$ [
2 L+ @ m7 r6 E. Y' g. |在半导体的新闻中,总是会提到以尺寸标示的晶圆厂,如 8 寸或是 12 寸晶圆厂,然而,所谓的晶圆到底是什么东西?其中 8 寸指的是什么部分?要产出大尺寸的晶圆制造又有什么难度呢?以下将逐步介绍半导体最重要的基础——「晶圆」到底是什么。
7 Q4 h1 N6 V, d. M1 L5 {
) K; z5 _9 e# S1 e1 ?* P' r晶圆(wafer),是制造各式电脑芯片的基础。我们可以将芯片制造比拟成用乐高积木盖房子,藉由一层又一层的堆叠,完成自己期望的造型(也就是各式芯片)。然而,如果没有良好的地基,盖出来的房子就会歪来歪去,不合自己所意,为了做出完美的房子,便需要一个平稳的基板。对芯片制造来说,这个基板就是接下来将描述的晶圆。
8 P f6 a8 I( v
$ `$ h8 q _6 x& w. ?9 w/ y(Souse:Flickr/Jonathan Stewart CC BY 2.0)+ N4 s" D7 w9 K5 q4 d2 W6 `0 \
* B2 w5 o/ B) R首先,先回想一下小时候在玩乐高积木时,积木的表面都会有一个一个小小圆型的凸出物,藉由这个构造,我们可将两块积木稳固的叠在一起,且不需使用胶水。芯片制造,也是以类似这样的方式,将后续添加的原子和基板固定在一起。因此,我们需要寻找表面整齐的基板,以满足后续制造所需的条件。; ~! ^( `4 A- \' i8 }
) P% x$ D3 P+ `# A. H
在固体材料中,有一种特殊的晶体结构──单晶(Monocrystalline)。它具有原子一个接着一个紧密排列在一起的特性,可以形成一个平整的原子表层。因此,采用单晶做成晶圆,便可以满足以上的需求。然而,该如何产生这样的材料呢,主要有二个步骤,分别为纯化以及拉晶,之后便能完成这样的材料。5 c- \2 m. }) H' x
$ w5 E, x) N* `2 L如何制造单晶的晶圆
) p/ r% ~ @* e& R
0 ~' X3 h) g, D3 T# n! t纯化分成两个阶段,第一步是冶金级纯化,此一过程主要是加入碳,以氧化还原的方式,将氧化硅转换成 98% 以上纯度的硅。大部份的金属提炼,像是铁或铜等金属,皆是采用这样的方式获得足够纯度的金属。但是,98% 对于芯片制造来说依旧不够,仍需要进一步提升。因此,将再进一步采用西门子制程(Siemens process)作纯化,如此,将获得半导体制程所需的高纯度多晶硅。
# x1 T& c1 Z6 O0 b2 B2 q. J; z% W6 P1 x/ A4 a) r4 D- c k
关于芯片的性能分析和介绍5 X" p/ [# X: J9 ]; M
4 O% N, v. f& a5 }接着,就是拉晶的步骤。首先,将前面所获得的高纯度多晶硅融化,形成液态的硅。之后,以单晶的硅种(seed)和液体表面接触,一边旋转一边缓慢的向上拉起。至于为何需要单晶的硅种,是因为硅原子排列就和人排队一样,会需要排头让后来的人该如何正确的排列,硅种便是重要的排头,让后来的原子知道该如何排队。最后,待离开液面的硅原子凝固后,排列整齐的单晶硅柱便完成了。& R( W1 U5 w- ^' \( r$ }
5 f( H: b3 o. ^7 y; t+ c- c9 d
然而,8寸、12寸又代表什么东西呢?他指的是我们产生的晶柱,长得像铅笔笔桿的部分,表面经过处理并切成薄圆片后的直径。至于制造大尺寸晶圆又有什么难度呢?如前面所说,晶柱的制作过程就像是在做棉花糖一样,一边旋转一边成型。有制作过棉花糖的话,应该都知道要做出大而且扎实的棉花糖是相当困难的,而拉晶的过程也是一样,旋转拉起的速度以及温度的控制都会影响到晶柱的品质。也因此,尺寸愈大时,拉晶对速度与温度的要求就更高,因此要做出高品质 12 寸晶圆的难度就比 8 寸晶圆还来得高。
9 w* g; b- w/ p" a: @1 c! Q* Q) h r/ w3 b. k& N2 `
只是,一整条的硅柱并无法做成芯片制造的基板,为了产生一片一片的硅晶圆,接着需要以钻石刀将硅晶柱横向切成圆片,圆片再经由抛光便可形成芯片制造所需的硅晶圆。经过这么多步骤,芯片基板的制造便大功告成,下一步便是堆叠房子的步骤,也就是芯片制造。至于该如何制作芯片呢?
/ H/ M U, S5 `, l7 ?" P. [- m; L9 J) E, [* |& }
三、层层堆叠打造的芯片. t0 L0 L4 `( B) R9 f. n
: S9 R- U1 q( A+ L, i/ d: u在介绍过硅晶圆是什么东西后,同时,也知道制造 IC 芯片就像是用乐高积木盖房子一样,藉由一层又一层的堆叠,创造自己所期望的造型。然而,盖房子有相当多的步骤,IC 制造也是一样,制造 IC 究竟有哪些步骤?本文将将就 IC 芯片制造的流程做介绍。5 \ M9 ?5 r8 k3 G; U
$ o1 l! M' P3 `* Q# r$ U
在开始前,我们要先认识 IC 芯片是什么。IC,全名积体电路(Integrated Circuit),由它的命名可知它是将设计好的电路,以堆叠的方式组合起来。藉由这个方法,我们可以减少连接电路时所需耗费的面积。下图为 IC 电路的 3D 图,从图中可以看出它的结构就像房子的樑和柱,一层一层堆叠,这也就是为何会将 IC 制造比拟成盖房子。" z0 ]" t6 {1 }2 R# [- N
' Y& A4 j; _" C8 k( K% t9 | L) n
从上图中 IC 芯片的 3D 剖面图来看,底部深蓝色的部分就是上一篇介绍的晶圆,从这张图可以更明确的知道,晶圆基板在芯片中扮演的角色是何等重要。至于红色以及土黄色的部分,则是于 IC 制作时要完成的地方。
( r5 E$ Q2 ?$ k+ ^( c$ |& _- Y* R9 {& @1 h5 \8 U( l: a0 B
首先,在这里可以将红色的部分比拟成高楼中的一楼大厅。一楼大厅,是一栋房子的门户,出入都由这裡,在掌握交通下通常会有较多的机能性。因此,和其他楼层相比,在兴建时会比较复杂,需要较多的步骤。在 IC 电路中,这个大厅就是逻辑闸层,它是整颗 IC 中最重要的部分,藉由将多种逻辑闸组合在一起,完成功能齐全的 IC 芯片。 k2 J/ I+ G3 l/ M' _+ J9 c
+ _; K! q0 s* }# f' F
黄色的部分,则像是一般的楼层。和一楼相比,不会有太复杂的构造,而且每层楼在兴建时也不会有太多变化。这一层的目的,是将红色部分的逻辑闸相连在一起。之所以需要这么多层,是因为有太多线路要连结在一起,在单层无法容纳所有的线路下,就要多叠几层来达成这个目标了。在这之中,不同层的线路会上下相连以满足接线的需求。) {3 @6 f1 {3 T1 M) z2 G
) s$ m# R6 Q2 f
分层施工,逐层架构, [- F) i6 n8 B& R4 l
$ N8 j6 e! M3 O知道 IC 的构造后,接下来要介绍该如何制作。试想一下,如果要以油漆喷罐做精细作图时,我们需先割出图形的遮盖板,盖在纸上。接着再将油漆均匀地喷在纸上,待油漆乾后,再将遮板拿开。不断的重复这个步骤后,便可完成整齐且复杂的图形。制造 IC 就是以类似的方式,藉由遮盖的方式一层一层的堆叠起来。: ], i9 {4 P! P9 H6 f9 U
* ?3 h; M/ U, F; _3 {; a7 e2 a0 H关于芯片的性能分析和介绍$ ?; T s: n: t. [* K
9 G5 L H! H9 H0 x; s2 F; S制作 IC 时,可以简单分成以上 4 种步骤。虽然实际制造时,制造的步骤会有差异,使用的材料也有所不同,但是大体上皆采用类似的原理。这个流程和油漆作画有些许不同,IC 制造是先涂料再加做遮盖,油漆作画则是先遮盖再作画。以下将介绍各流程。0 W. ]3 v% k1 o& X* p, J
5 ~% `8 ?' S7 R" s- ]金属溅镀:将欲使用的金属材料均匀洒在晶圆片上,形成一薄膜。) K. e9 D, n$ w/ D2 }" A3 s0 B
, X5 ]3 I3 C& D涂布光阻:先将光阻材料放在晶圆片上,透过光罩(光罩原理留待下次说明),将光束打在不要的部分上,破坏光阻材料结构。接着,再以化学药剂将被破坏的材料洗去。
6 T; r" X x: N
3 a" Z2 B- L0 }蚀刻技术:将没有受光阻保护的硅晶圆,以离子束蚀刻。- d! _% U0 a" V% `# {7 [6 j
H. ^" {3 @) E1 z" G( m, {光阻去除:使用去光阻液皆剩下的光阻溶解掉,如此便完成一次流程。
+ b. q1 C3 k7 N) T, U) F7 I" \) o! W. T$ `2 q! N# a- R
最后便会在一整片晶圆上完成很多 IC 芯片,接下来只要将完成的方形 IC 芯片剪下,便可送到封装厂做封装,至于封装厂是什么东西?就要待之后再做说明啰。$ [( k$ U& j3 u- \
4 u; P8 T; O3 U# i$ U
其中,主要晶圆代工厂有格罗方德、三星电子、Tower Jazz、Dongbu、美格纳、IBM、富士通、英特尔、海力士、台积电、联电、中芯国际、力晶、华虹、德茂、武汉新芯、华微、华立、力芯。" Q. [. g. \+ j( } G4 {* V
+ Z; S5 r7 A9 k
四、纳米制程是什么?
( h3 z4 K+ T" K: J, Y! U% g4 n8 t( n5 i( Z
三星以及台积电在先进半导体制程打得相当火热,彼此都想要在晶圆代工中抢得先机以争取订单,几乎成了 14 纳米与 16 纳米之争,然而 14 纳米与 16 纳米这两个数字的究竟意义为何,指的又是哪个部位?而在缩小制程后又将来带来什么好处与难题?以下我们将就纳米制程做简单的说明。3 J, l% b) C* s/ D. G; h7 n
5 i6 S6 l0 w, G
纳米到底有多细微?$ k ?+ W o! L/ o4 O5 [( ?
4 O4 o2 w8 L6 w" T2 ?. N" j在开始之前,要先了解纳米究竟是什么意思。在数学上,纳米是 0.000000001 公尺,但这是个相当差的例子,毕竟我们只看得到小数点后有很多个零,却没有实际的感觉。如果以指甲厚度做比较的话,或许会比较明显。2 n! w# ^. b: L) _
$ n0 k6 j5 q+ H7 t
用尺规实际测量的话可以得知指甲的厚度约为 0.0001 公尺(0.1 毫米),也就是说试着把一片指甲的侧面切成 10 万条线,每条线就约等同于 1 纳米,由此可略为想像得到 1 纳米是何等的微小了。
1 M/ V3 \& u C2 W: h
+ ]$ i3 K' B$ k' R1 {- P知道纳米有多小之后,还要理解缩小制程的用意,缩小电晶体的最主要目的,就是可以在更小的芯片中塞入更多的电晶体,让芯片不会因技术提升而变得更大;其次,可以增加处理器的运算效率;再者,减少体积也可以降低耗电量;最后,芯片体积缩小后,更容易塞入行动装置中,满足未来轻薄化的需求。
* v {4 A% {$ S# @' o1 t
k5 Z2 Q, Z( |# j1 N6 q/ u) P再回来探究纳米制程是什么,以 14 纳米为例,其制程是指在芯片中,线最小可以做到 14 纳米的尺寸,下图为传统电晶体的长相,以此作为例子。缩小电晶体的最主要目的就是为了要减少耗电量,然而要缩小哪个部分才能达到这个目的?左下图中的 L 就是我们期望缩小的部分。藉由缩小闸极长度,电流可以用更短的路径从 Drain 端到 Source 端(有兴趣的话可以利用 Google 以 MOSFET 搜寻,会有更详细的解释)。
3 `: q- H" I+ C! p5 ?$ q, `( f/ ]" ^+ g5 {& Z; b Y6 Z) D
关于芯片的性能分析和介绍% h) S- p" H* b+ j4 z+ J$ @* ]
# _8 M% j) s( O, Z4 X" l
此外,电脑是以 0 和 1 作运算,要如何以电晶体满足这个目的呢?做法就是判断电晶体是否有电流流通。当在 Gate 端(绿色的方块)做电压供给,电流就会从 Drain 端到 Source 端,如果没有供给电压,电流就不会流动,这样就可以表示 1 和 0。(至于为什么要用 0 和 1 作判断,有兴趣的话可以去查布林代数,我们是使用这个方法作成电脑的)3 o+ X7 p. G! a
* n; k$ W9 _2 l0 C0 m尺寸缩小有其物理限制8 h3 x. r* b, p3 ?# L
2 H" \# P: Y2 f2 w
不过,制程并不能无限制的缩小,当我们将电晶体缩小到 20 纳米左右时,就会遇到量子物理中的问题,让电晶体有漏电的现象,抵销缩小 L 时获得的效益。作为改善方式,就是导入 FinFET(Tri-Gate)这个概念,如右上图。在 Intel 以前所做的解释中,可以知道藉由导入这个技术,能减少因物理现象所导致的漏电现象。
9 \- I9 J6 C& z; z0 U( c) O7 O+ y$ G1 W% Q* G, f& ~+ ]
关于芯片的性能分析和介绍5 g0 n& o p3 G# q& I, b! b
/ {9 N- G1 D5 E
更重要的是,藉由这个方法可以增加 Gate 端和下层的接触面积。在传统的做法中(左上图),接触面只有一个平面,但是采用 FinFET(Tri-Gate)这个技术后,接触面将变成立体,可以轻易的增加接触面积,这样就可以在保持一样的接触面积下让 Source-Drain 端变得更小,对缩小尺寸有相当大的帮助。2 N: N# V% Y- l
J* N. i4 F4 U2 c( k最后,则是为什么会有人说各大厂进入 10 纳米制程将面临相当严峻的挑战,主因是 1 颗原子的大小大约为 0.1 纳米,在 10 纳米的情况下,一条线只有不到 100 颗原子,在制作上相当困难,而且只要有一个原子的缺陷,像是在制作过程中有原子掉出或是有杂质,就会产生不知名的现象,影响产品的良率。" [: N5 F0 m. F! E
! S2 F# Y# x: k: {% R, ~1 b' G0 {
如果无法想像这个难度,可以做个小实验。在桌上用 100 个小珠子排成一个 10×10 的正方形,并且剪裁一张纸盖在珠子上,接着用小刷子把旁边的的珠子刷掉,最后使他形成一个 10×5 的长方形。这样就可以知道各大厂所面临到的困境,以及达成这个目标究竟是多么艰巨。
0 y$ a. h2 {$ O- r* N& ^2 [4 j6 E# y$ o' K1 U
随着三星以及台积电在近期将完成 14 纳米、16 纳米 FinFET 的量产,两者都想争夺 Apple 下一代的 iPhone 芯片代工,我们将看到相当精彩的商业竞争,同时也将获得更加省电、轻薄的手机,要感谢摩尔定律所带来的好处呢。
! z9 @* X6 {6 r ]2 M
0 l* i% N4 y# x1 f9 \五、告诉你什么是封装
( t2 W9 E1 b& I3 e6 f$ R
$ p$ h+ c( L5 y v, b( \经过漫长的流程,从设计到制造,终于获得一颗 IC 芯片了。然而一颗芯片相当小且薄,如果不在外施加保护,会被轻易的刮伤损坏。此外,因为芯片的尺寸微小,如果不用一个较大尺寸的外壳,将不易以人工安置在电路板上。因此,本文接下来要针对封装加以描述介绍。
6 Z! h* t, ]$ `+ @7 t- v6 V# q, p# ~, o5 Q
目前常见的封装有两种,一种是电动玩具内常见的,黑色长得像蜈蚣的 DIP 封装,另一为购买盒装 CPU 时常见的 BGA 封装。至于其他的封装法,还有早期 CPU 使用的 PGA(Pin Grid Array;Pin Grid Array)或是 DIP 的改良版 QFP(塑料方形扁平封装)等。因为有太多种封装法,以下将对 DIP 以及 BGA 封装做介绍。
3 x. d. ?4 `: o6 f) r7 O9 }3 a7 N
2 {% ^' ?1 [& ~$ D传统封装,历久不衰
u i: u: U& g3 P* l! O7 m9 E0 d' N8 C* M4 C; T
首先要介绍的是双排直立式封装(Dual Inline Package;DIP),从下图可以看到采用此封装的 IC 芯片在双排接脚下,看起来会像条黑色蜈蚣,让人印象深刻,此封装法为最早采用的 IC 封装技术,具有成本低廉的优势,适合小型且不需接太多线的芯片。但是,因为大多采用的是塑料,散热效果较差,无法满足现行高速芯片的要求。因此,使用此封装的,大多是历久不衰的芯片,如下图中的 OP741,或是对运作速度没那么要求且芯片较小、接孔较少的 IC 芯片。
. F$ [5 h, G: K+ G: ^! Y( o9 R) U' ^, ?, L a$ S
至于球格阵列(Ball Grid Array,BGA)封装,和 DIP 相比封装体积较小,可轻易的放入体积较小的装置中。此外,因为接脚位在芯片下方,和 DIP 相比,可容纳更多的金属接脚
, |% \% U# r2 K1 ]. S. l O9 h4 h6 {6 t1 R, Q# k) z4 J7 U' @( t
相当适合需要较多接点的芯片。然而,采用这种封装法成本较高且连接的方法较复杂,因此大多用在高单价的产品上。* e, z. L1 W! ~$ d! g
+ ~! {- i1 }0 M2 p* F. D B8 s K行动装置兴起,新技术跃上舞台
: ?5 \" }* ^/ P- E2 A( Y
; s! N; {! {3 P0 J7 ]然而,使用以上这些封装法,会耗费掉相当大的体积。像现在的行动装置、穿戴装置等,需要相当多种元件,如果各个元件都独立封装,组合起来将耗费非常大的空间,因此目前有两种方法,可满足缩小体积的要求,分别为 SoC(System On Chip)以及 SiP(System In Packet)。# T M) n/ X' W8 b5 W
& u, ], r6 p( \
在智慧型手机刚兴起时,在各大财经杂志上皆可发现 SoC 这个名词,然而 SoC 究竟是什么东西?简单来说,就是将原本不同功能的 IC,整合在一颗芯片中。藉由这个方法,不单可以缩小体积,还可以缩小不同 IC 间的距离,提升芯片的计算速度。至于制作方法,便是在 IC 设计阶段时,将各个不同的 IC 放在一起,再透过先前介绍的设计流程,制作成一张光罩。
+ I8 @# R- c3 X& L
4 S, }7 a8 I7 @( Y/ P. X然而,SoC 并非只有优点,要设计一颗 SoC 需要相当多的技术配合。IC 芯片各自封装时,各有封装外部保护,且 IC 与 IC 间的距离较远,比较不会发生交互干扰的情形。但是,当将所有 IC 都包装在一起时,就是噩梦的开始。IC 设计厂要从原先的单纯设计 IC,变成了解并整合各个功能的 IC,增加工程师的工作量。此外,也会遇到很多的状况,像是通讯芯片的高频讯号可能会影响其他功能的 IC 等情形。, e7 ^: X0 f+ M: q7 B
, @* D: S# B. r, N1 R( Y
此外,SoC 还需要获得其他厂商的 IP(intellectual property)授权,才能将别人设计好的元件放到 SoC 中。因为制作 SoC 需要获得整颗 IC 的设计细节,才能做成完整的光罩,这同时也增加了 SoC 的设计成本。或许会有人质疑何不自己设计一颗就好了呢?因为设计各种 IC 需要大量和该 IC 相关的知识,只有像 Apple 这样多金的企业,才有预算能从各知名企业挖角顶尖工程师,以设计一颗全新的 IC,透过合作授权还是比自行研发划算多了。
* Q! S% }" J8 @
$ C L9 |, _" p2 a; R$ s$ R折衷方案,SiP 现身5 [+ i5 q& m- r2 [) v6 V! O" g# z
3 v" {/ N# K, y" h作为替代方案,SiP 跃上整合芯片的舞台。和 SoC 不同,它是购买各家的 IC,在最后一次封装这些 IC,如此便少了 IP 授权这一步,大幅减少设计成本。此外,因为它们是各自独立的 IC,彼此的干扰程度大幅下降。/ E- E/ c5 x# {1 b! z) g0 m
& e& Y a) Y* M Q采用 SiP 技术的产品,最着名的非 Apple Watch 莫属。因为 Watch 的内部空间太小,它无法采用传统的技术,SoC 的设计成本又太高,SiP 成了首要之选。藉由 SiP 技术,不单可缩小体积,还可拉近各个 IC 间的距离,成为可行的折衷方案。下图便是 Apple Watch 芯片的结构图,可以看到相当多的 IC 包含在其中。+ u" x: N; Z/ x5 B! J
, {8 `3 U* i$ F& E c, h! S关于芯片的性能分析和介绍
% L8 @* [/ J0 x8 c* }8 n2 s, ?' b* e2 E$ }" a; x! J' l: v
完成封装后,便要进入测试的阶段,在这个阶段便要确认封装完的 IC 是否有正常的运作,正确无误之后便可出货给组装厂,做成我们所见的电子产品。其中主要的半导体封装与测试企业有安靠、星科金朋、J-devices、Unisem、Nepes、日月光、力成、南茂、颀邦、京元电子、福懋、菱生精密、矽品、长电、优特。
( z4 n0 m; ^2 _) M+ P* h2 x, S7 t: G2 Y; |5 X4 ?
至此,半导体产业便完成了整个生产的任务。" J0 R! A1 c) s$ H2 W
|
|