彻底搞懂MOSFET

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管子的开通对另一个管子产生影响，造成误导通。怎么解决这个问题呢？

9 g0 a8 h/ ?( f3 E- L从干扰的几个因素来考虑：
1、首先从布局上，控制回路要特别小，Id回路也不能太大。
2、地线的干扰影响
; H* f# P8 M* w6 @/ `3、GS阻抗的影响
4、MOSFET本身的特性的影响
那么，从原理图设计方面讲，可以在GS阻抗上改善。
; _8 a6 D( Z% }' L4 U

比如，当下管关闭，上管开通瞬间，会在下管的G端产生一个干扰，让G端的电位上升。我们可以让R4阻值变小，分到更多的电流，直到干扰的电位远低于4.5V导通阈值。但这也会带来一个问题，下管的开通期间会一直有一个较大电流流过R4，而这不是我们所希望的。这种情况在低压时，会好很多，但是高压就不好做了。
/ G# t1 X7 C7 n; D6 G9 w
, ^3 r1 l2 e3 D- ~4 o' S$ B' R开关损耗
在每一次开关过程中，产生的开通损耗和关断损耗。
控制信号的载频越高，则开关损耗越大。
将平台时间尽可能地缩短，当然前提是GD波形尽可能的不发生震荡。
/ p. C" z& d4 ^! F8 H
控制信号的幅值大小，也会影响到Rdson的阻值。
最好大于12V，至少大于8V。

% G  E) p, k& R- G$ @: L  p体二极管的续流损耗
3 X1 s0 t$ g& ~- x: t6 r
7 Y: J2 w3 \6 q6 h- \; F4 \. @& Q这里以三相逆变桥电路举例

通过上面的三相六个桥臂的导通时序，来控制右边电机绕组的导通相序。上管斩波，下管恒通的方式进行速度控制。比如在某一时刻，M1 M2导通，其它4个管子截止，那么导通回路如下图所示：

, |% W6 g) p) e1 h

; P0 q* h4 x+ S2 f, }* Y5 S! l( {3 G' \对于电机绕组来说，U相和W相导通，V相悬空。
( `1 I+ f9 M1 LON期间（上桥）：M1斩波，M2恒通
! K( u0 @. A4 s6 K; E源 ----  310V
4 x6 _/ J! e" ]  [1 x9 z, u5 N1 d回路 --- 经过M1 --> U --> W --> M2 --> 310V的地
OFF期间（上桥）：M1斩波，M2恒通
3 Q0 g: j0 c, R. u: r' B电机的U V作为电感，是一个电流源，电流是不能激变的，并且要维持原来的电流方向不能突变。那么电流会经过M4的体二极管流过。
: N. I5 f* n) w( A( \6 Y+ r  H) q源：UW电感
8 N3 ^- V, P  ^. Z$ V回路：W --> M2 --> M4体二极管 --> 回到U端
# i2 Q. f5 U: c+ N电流源电感两端的压降被钳位在了0.7V---慢续流。慢续流的好处，因为电机一直有电流，所以平均输出功率就大。

  s7 F/ p* {  Y# @2 C) U续流期间是站在地上的。
5 N  i6 {6 z8 A8 I' F; D& a3 M7 |) C

9 ]9 ~8 O: q* r0 k: i

8 }1 K4 ^3 L6 ]# BON期间（下桥）：M2斩波，M1恒通
7 y1 D; _2 _0 j8 `; c  Y源：310V
回路：经过M1 --> U --> W --> M2 --> 310V的地

% m3 B; Z, b2 f0 N! d/ |1 s8 ^( VOFF期间（下桥）：M2斩波，M1恒通
源：UW电感
* b: W; g  P6 u/ {) C( d" E: s) c回路：W --> M5 --> M1 --> U

* i& J7 p( d' c" O, f$ J' y; X续流期间是站在310V上的。

8 v1 `$ `8 J. z( X0 Y3 a, P这种单桥臂斩波的管子，哪个管子发热会大呢？

! P6 `4 a4 y3 ]8 u) ^3 @
2 j7 @/ w. N" D1 G
! d  B0 e8 J7 Z! M  i( T- @
* I  X& H* L( N/ Y6 z( c

% b$ b7 Z$ U. Y6 n/ [1 Q3 G  @

ssdgh

干扰的几个因素来考虑首先从布局上，控制回路要特别小，Id回路也不能太大

CLBuu

当下管关闭，上管开通瞬间，会在下管的G端产生一个干扰，让G端的电位上升

xiananUZI

上管斩波，下管恒通的方式进行速度控制