彻底搞懂MOSFET

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管子的开通对另一个管子产生影响，造成误导通。怎么解决这个问题呢？

从干扰的几个因素来考虑：
1、首先从布局上，控制回路要特别小，Id回路也不能太大。
- G+ C5 e2 b, f) E6 a; Q* n) ?' }2、地线的干扰影响
3 y+ t+ |! t0 l; N0 P2 D; a  V3 Z( e3、GS阻抗的影响
4、MOSFET本身的特性的影响
( e' Z! {" ^) |% g8 L8 n那么，从原理图设计方面讲，可以在GS阻抗上改善。

& B, O* F& S! T9 f& t1 \
比如，当下管关闭，上管开通瞬间，会在下管的G端产生一个干扰，让G端的电位上升。我们可以让R4阻值变小，分到更多的电流，直到干扰的电位远低于4.5V导通阈值。但这也会带来一个问题，下管的开通期间会一直有一个较大电流流过R4，而这不是我们所希望的。这种情况在低压时，会好很多，但是高压就不好做了。

开关损耗
在每一次开关过程中，产生的开通损耗和关断损耗。
控制信号的载频越高，则开关损耗越大。
$ P0 I6 ~: @3 O, X将平台时间尽可能地缩短，当然前提是GD波形尽可能的不发生震荡。

控制信号的幅值大小，也会影响到Rdson的阻值。
最好大于12V，至少大于8V。
4 L2 G9 }7 k0 H6 @
' F- O* B" E. ~3 r$ e! a% H8 a体二极管的续流损耗

2 ?4 q) `) n* x5 W8 o: p6 ^4 |这里以三相逆变桥电路举例

% S1 O/ B5 U0 N4 F- v  i

通过上面的三相六个桥臂的导通时序，来控制右边电机绕组的导通相序。上管斩波，下管恒通的方式进行速度控制。比如在某一时刻，M1 M2导通，其它4个管子截止，那么导通回路如下图所示：

+ @  z- v* f+ _! @7 r

对于电机绕组来说，U相和W相导通，V相悬空。
ON期间（上桥）：M1斩波，M2恒通
5 s! ~7 E5 q% Z. u% N! S* R源 ----  310V
回路 --- 经过M1 --> U --> W --> M2 --> 310V的地
! w' O: a( Y6 R* i, v7 z, J/ iOFF期间（上桥）：M1斩波，M2恒通
- F! S, P) b( q& h' R电机的U V作为电感，是一个电流源，电流是不能激变的，并且要维持原来的电流方向不能突变。那么电流会经过M4的体二极管流过。
' ], t/ E, i- d7 @. U, \2 V源：UW电感
回路：W --> M2 --> M4体二极管 --> 回到U端
/ T9 j  T& ~, b6 H: f# x; {3 E, K电流源电感两端的压降被钳位在了0.7V---慢续流。慢续流的好处，因为电机一直有电流，所以平均输出功率就大。
6 o, |: ?4 U; s$ D0 [) Y
续流期间是站在地上的。

! R/ y1 Z" I, b! S2 Y, _

/ P% c: C2 x' n2 [! ^/ [4 dON期间（下桥）：M2斩波，M1恒通
源：310V
回路：经过M1 --> U --> W --> M2 --> 310V的地

OFF期间（下桥）：M2斩波，M1恒通
7 P- D; W. l0 f1 r$ r& u) c6 b源：UW电感
4 P, z$ R* x) r6 P1 W4 n8 L回路：W --> M5 --> M1 --> U

续流期间是站在310V上的。

这种单桥臂斩波的管子，哪个管子发热会大呢？




3 U3 R6 c/ |5 r7 S


& Y4 c3 J# }4 j* _! C/ s

ssdgh

干扰的几个因素来考虑首先从布局上，控制回路要特别小，Id回路也不能太大

CLBuu

当下管关闭，上管开通瞬间，会在下管的G端产生一个干扰，让G端的电位上升

xiananUZI

上管斩波，下管恒通的方式进行速度控制