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2019-2025年中国电子元件制造行业市场分析及投资可行性研究报告

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发表于 2021-10-12 11:09 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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7 H) z0 y: P1 k/ F! f: l! v
  w6 A# h) N6 [3 g4 b3 `' P失效定义
2 S' \5 f: p' ^# e1 e& @% i2 Z1特性剧烈或缓慢变化
- c7 ~4 ~2 d! I  D$ v3 t2 {2不能正常工作
# I) ?/ K2 [: y- A6 b3不能自愈失效种类
- s* b: e( y! }1致命性失效:如过电应力损伤2缓慢退化:如MESFET的IDSS下降7 Y6 v. R% O8 V' d& ]
3间歇失效:如塑封器件随温度变化间歇失效- E* a2 o! P# l# P1 u$ _

) t. p+ H% v: r3 N9 V8 R% T9 D+ f8 d) Y7 w
5 z0 D. q" L% P, f' o3 p7 d

5 H; \0 N, S( l# ]" k" L, r# \+ ]: Y6 g% J/ r
附件: IC电子元器件失效分析.zip (333.7 KB, 下载次数: 0)
8 {# k3 ~9 E2 Z1 a

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2#
发表于 2021-10-12 11:27 | 只看该作者

& I7 b+ @! U: g# V8 }% Z# \z 应力-时间模型(反应论模型)$ M7 m4 G. y" n# @3 H% C0 X
失效原因:应力的时间累积效应,特性变化超( W: [  h7 Q" T, f+ x" G- i. u
差。如金属电迁移、腐蚀、热疲劳
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