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2019-2025年中国电子元件制造行业市场分析及投资可行性研究报告

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发表于 2021-10-12 11:09 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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* r  y! `3 \1 C/ l1 Z
/ D4 b' g% |  l6 G5 a3 G5 \
失效定义
5 i( r0 i# J6 y7 {3 e1特性剧烈或缓慢变化
7 C/ K6 _/ B' v; }' d( N* I2不能正常工作  Y  k# t* _' B( Y* }8 H
3不能自愈失效种类
1 _9 ]. N! s- i1致命性失效:如过电应力损伤2缓慢退化:如MESFET的IDSS下降
" ^* {9 I4 H) s$ n3间歇失效:如塑封器件随温度变化间歇失效& N; f9 {2 r; W# o; l8 ~" R0 @
' V- V# Y; ]1 `5 j% n
& b5 X; f) H' F! S2 R+ c" N

. t7 [$ C8 y3 k  z/ S, t3 F# H6 G: F6 e% ^

/ m  I. B% e' _1 Y附件: IC电子元器件失效分析.zip (333.7 KB, 下载次数: 0) , c0 q6 B+ c9 O* D9 A" a

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2#
发表于 2021-10-12 11:27 | 只看该作者

0 J/ Z( T6 n! f4 e& {" W( bz 应力-时间模型(反应论模型)
$ g8 G- Z: O8 q, v失效原因:应力的时间累积效应,特性变化超4 b# }- v# i6 B$ q' Z' U+ W0 r
差。如金属电迁移、腐蚀、热疲劳
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