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1、BGA(ball grid array)+ l5 B7 n3 T5 R3 R8 e4 Q# }
球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不 用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初,BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。现在 也有 一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。 美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。0 [: c* K) J% C& n5 l
2、BQFP(quad flat package with bumper)& ?$ E2 r& I, N* ~5 c3 p7 j9 i
带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中 采用此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84 到196 左右(见QFP)。
3 J7 Z% }" B% U! V 3、碰焊PGA(butt joint pin grid array)
, X/ B9 z& F" O& e5 f) P 表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。
/ g4 U& @! d2 f$ ?, s2 X! E3 u 4、C-(ceramic)
. M" V6 i6 L! ]6 L 表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。2 P6 c& ^; o- D2 p$ T
5、Cerdip
; G0 C/ {: _5 X% S6 N; w5 }* Y 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中 心 距2.54mm,引脚数从8 到42。在日本,此封装表示为DIP-G(G 即玻璃密封的意思)。$ X; X+ O5 {9 J) o# B/ p& c
6、Cerquad1 P5 S" ]1 N0 A5 ]$ U! M( q+ h3 A
表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗 口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好,在自然空冷条件下可容许1. 5~ 2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3~5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多种规格。引脚数从32 到368。& g: r# h5 ~ `, E: A' B
7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)
1 r Q3 `' m1 C0 `. ~ 带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形 。 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ-G(见QFJ)。+ t! x$ M; g. I: f9 v8 f2 ?
8、COB(chip on board)% {4 H w1 `9 A5 N5 H
板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与 基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用 树脂覆 盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB 和 倒片 焊技术。
c& w# Q' {6 l* y* c 9、DFP(dual flat package), A7 R, e$ s4 l% s
双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法,现在已基本上不用。
$ v* J3 f2 o0 V2 H6 _1 L 10、DIC(dual in-line ceramic package)& o, @$ c2 m! Q$ N. S1 f
陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP). b/ h- n8 Z6 a% R. B% O7 L. @
11、DIL(dual in-line)
. w/ s$ a1 L$ l1 W0 v DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。2 {. X" P5 t; A
12、DIP(dual in-line package)
$ ?1 [/ b2 k* } 双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种 。 DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。 引脚中心距2.54mm,引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加 区分, 只简单地统称为DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cerdip(见cerdip)。
+ ~# O. { ~. c6 ~ 13、DSO(dual small out-lint)2 A3 Z' |+ }( g0 b& |
双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
. v& C6 Y$ q% j* z `- `& w$ L" z 14、DICP(dual tape carrier package)
/ p( }) Q+ C. o; N& ` 双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于 利用的是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI,但多数为 定制品。 另外,0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。在日本,按照EIAJ(日本电子机 械工 业)会标准规定,将DICP 命名为DTP。
8 F+ A, a Y0 A: k8 _- i3 @ 15、DIP(dual tape carrier package)! P, x+ ~/ |2 i: |% ]' N& }
同上。日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。
7 f! g: t2 J: L8 J 16、FP(flat package): k& }/ P0 @4 J2 Y* w
扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。部分半导体厂家采 用此名称。
) W: }! q3 h8 a& H4 a. t 17、flip-chip' P% y& |. ~6 A7 @; {# T- t
倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸 点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有 封装技 术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可 靠 性。因此必须用树脂来加固LSI 芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
) A8 [5 A5 k: s* p: g. o 18、FQFP(fine pitch quad flat package)
J2 G$ L0 g, N" [ 小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采 用此名称。& i( H. B# z6 k. e! T
19、CPAC(globe top pad array carrier)
; P& K: U" j3 o/ i! U6 ]+ Z7 Y: e 美国Motorola 公司对BGA 的别称(见BGA)。
, k+ L: e7 O+ w% p* x4 T p 20、CQFP(quad fiat package with guard ring)
5 Q- f4 o5 v* e- t# ~ 带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP 之一,引脚用树脂保护环掩蔽,以防止弯曲变 形。 在把LSI 组装在印刷基板上之前,从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。 这种封装 在美国Motorola 公司已批量生产。引脚中心距0.5mm,引脚数最多为208 左右。
4 X8 X# P" A* l$ c8 } 21、H-(with heat sink)
. z; X% @/ J3 C( \ 表示带散热器的标记。例如,HSOP 表示带散热器的SOP。
; j5 u1 d# s# w- i 22、pin grid array(suRFace mount type)) [1 Y! l, ]; w% Y; g
表面贴装型PGA。通常PGA 为插装型封装,引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA 在封装的 底面有陈列状的引脚,其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而 也称 为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm,比插装型PGA 小一半,所以封装本体可制作得 不 怎么大,而引脚数比插装型多(250~528),是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有 多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。9 S' _4 }* Y; d+ s6 L$ y
23、JLCC(J-leaded chip carrier)# k9 P L8 z- }3 V& n; D% V3 x
J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。
: N9 U. a$ D3 I3 ? [! ?3 t 24、LCC(Leadless chip carrier)
4 q% c8 a" r0 ^: f 无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是 高 速和高频IC 用封装,也称为陶瓷QFN 或QFN-C(见QFN)。
$ F2 X" b7 {2 O) }! R# \3 D 25、LGA(land grid array)+ e4 D! i0 x( r* x0 g( Z. h
触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现 已 实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA,应用于高速 逻辑 LSI 电路。 LGA 与QFP 相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外,由于引线的阻 抗 小,对于高速LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用 。预计 今后对其需求会有所增加。
+ G# w5 v, |) N# ?/ {. P 26、LOC(lead on chip) m6 I8 |8 k' W, t+ K$ R8 K
芯片上引线封装。LSI 封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片 的中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面 附近的 结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。
. O1 I" d% `* S4 ]0 U0 l+ m/ Q# ] 27、LQFP(low profile quad flat package)% c6 R( S# w3 a" ]; I6 {7 }
薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP,是日本电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称。( C. r, U2 t% u: r8 R2 ]
28、L-QUAD$ w5 W6 T- _3 O
陶瓷QFP 之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8 倍,具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑LSI 开发的一种 封装,在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚 (0.65mm 中心距)的LSI 逻辑用封装,并于1993 年10 月开始投入批量生产。4 x# w Z' H# v6 C \1 @5 j
29、MCM(multi-chip module)
& _5 J4 z1 j, E# Y& S: U3 R 多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可 分 为MCM-L,MCM-C 和MCM-D 三大类。 MCM-L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高,成本较低 。 MCM-C 是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使 用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM-L。
- k# D. N# c/ g9 @" U7 e& x MCM-D 是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组 件。布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高。
( t0 Y! U8 q+ ]" l; z# s, m3 a/ e 30、MFP(mini flat package)
0 E5 a6 P4 w8 E. u' C 小形扁平封装。塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。/ M' [+ A3 W8 m+ @
31、MQFP(metric quad flat package)
! J/ H" s# i, T3 V$ v: M/ V 按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP 进行的一种分类。指引脚中心距为 0.65mm、本体厚度为3.8mm~2.0mm 的标准QFP(见QFP)。
5 q0 m" d% p" h( @ 32、MQUAD(metal quad)
" n* F9 k4 e# x L 美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。基板与封盖均采用铝材,用粘合剂密封。在自然空 冷 条件下可容许2.5W~2.8W 的功率。日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产 。
2 G- I7 q2 d$ ^" R3 E, D 33、MSP(mini square package)
& c0 a8 L! R% D6 D# [ QFI 的别称(见QFI),在开发初期多称为MSP。QFI 是日本电子机械工业会规定的名称。/ J+ o5 E m; D0 _7 O
34、OPMAC(over molded pad array carrier)
; l; ^" V2 H, N. S 模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola 公司对模压树脂密封BGA 采用的名称(见 BGA)。
- A0 K5 r6 T% [% ^7 `6 \ 35、P-(plastic)3 Q8 K5 j. A7 p+ d8 d9 y4 `
表示塑料封装的记号。如PDIP 表示塑料DIP。
/ p* [2 k! w1 m% k- l 36、PAC(pad array carrier)3 H5 ]8 b9 \1 b- `3 v1 v# C; B: V
凸点陈列载体,BGA 的别称(见BGA)。
% D! _' d& S4 F 37、PCLP(printed circuit board leadless package)
) P% j- c5 `1 L0 g* \6 I' p1 @9 i 印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。引! b8 z- J. V$ `& K
脚中心距有0.55mm 和0.4mm 两种规格。目前正处于开发阶段。$ r5 w F5 h( l7 [; i
38、PFPF(plastic flat package)
0 }$ |: k+ X, w0 P' I 塑料扁平封装。塑料QFP 的别称(见QFP)。部分LSI 厂家采用的名称。
5 x }6 |7 ~! j5 D9 ]9 j$ { 39、PGA(pin grid array)
- Y/ L# P% a* q/ J1 a 陈列引脚封装。插装型封装之一,其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都 采用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下,多数为陶瓷PGA,用于高速大规模 逻辑 LSI 电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从64 到447 左右。了为降低成本,封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64~256 引脚的塑料PG A。 另外,还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA)。(见表面贴装 型PGA)。- L! t0 B9 M) ?% c/ B
40、piggy back
; K1 w) J# U$ l5 j$ \; L/ t. X3 O# F' L 驮载封装。指配有插座的陶瓷封装,形关与DIP、QFP、QFN 相似。在开发带有微机的设备时用于评价程序确认操作。例如,将EPROM 插入插座进行调试。这种封装基本上都是 定制 品,市场上不怎么流通。
G( B/ Q7 U. H7 J( b 41、PLCC(plastic leaded chip carrier)* z' N, Y' J8 v; ?2 `
带引线的塑料芯片载体。表面贴装型封装之一。引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形 , 是塑料制品。美国德克萨斯仪器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用,现在已经 普及用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电路。引脚中心距1.27mm,引脚数从18 到84。 J 形引脚不易变形,比QFP 容易操作,但焊接后的外观检查较为困难。 PLCC 与LCC(也称QFN)相似。以前,两者的区别仅在于前者用塑料,后者用陶瓷。但现在已经出现用陶瓷制作的J 形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装(标记为塑料LCC、PC LP、P -LCC 等),已经无法分辨。为此,日本电子机械工业会于1988 年决定,把从四侧引出 J 形引脚的封装称为QFJ,把在四侧带有电极凸点的封装称为QFN(见QFJ 和QFN)。
" c# d/ ?- A' H( g 42、P-LCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)
3 `* b* I) P3 c# D7 s1 `; F) _$ g 有时候是塑料QFJ 的别称,有时候是QFN(塑料LCC)的别称(见QFJ 和QFN)。部分# e: q: r2 @: `& z
LSI 厂家用PLCC 表示带引线封装,用P-LCC 表示无引线封装,以示区别。- Q# o& E* q( |# W) Z I% X1 A
43、QFH(quad flat high package)
2 @$ h2 v; D' m$ u- D 四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP 的一种,为了防止封装本体断裂,QFP 本体制作得较厚(见QFP)。部分半导体厂家采用的名称。
& N. F T. G9 t) ] K, I 44、QFI(quad flat I-leaded packgac)- T% S- R) O' e! J& C% h
四侧I 形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出,向下呈I 字 。也称为MSP(见MSP)。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分,贴装占有面 积小 于QFP。 日立制作所为视频模拟IC 开发并使用了这种封装。此外,日本的Motorola 公司的PLL IC 也采用了此种封装。引脚中心距1.27mm,引脚数从18 于68。; f z7 U" Z- q5 M. y$ j- |& V: K
45、QFJ(quad flat J-leaded package)
?* D3 ?( V2 i" _ l& r5 }1 D 四侧J 形引脚扁平封装。表面贴装封装之一。引脚从封装四个侧面引出,向下呈J 字形 。是日本电子机械工业会规定的名称。引脚中心距1.27mm。
1 P5 ?( [2 d3 h0 c B2 { N/ \ 材料有塑料和陶瓷两种。塑料QFJ 多数情况称为PLCC(见PLCC),用于微机、门陈列、 DRAM、ASSP、OTP 等电路。引脚数从18 至84。
' E2 C8 j9 Q' E K 陶瓷QFJ 也称为CLCC、JLCC(见CLCC)。带窗口的封装用于紫外线擦除型EPROM 以及 带有EPROM 的微机芯片电路。引脚数从32 至84。
) k+ r& k. H+ M( ?# p 46、QFN(quad flat non-leaded package)) y; u, {- b# f9 d2 ^4 E5 z
四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。QFN 是日本电子机械工业会规定的名称。封装四侧配置有电极触点,由于无引脚,贴装占有面积比QFP 小,高度 比QFP 低。但是,当印刷基板与封装之间产生应力时,在电极接触处就不能得到缓解。因此电 极触点 难于作到QFP 的引脚那样多,一般从14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC 标记时基本上都是陶瓷QFN。电极触点中心距1.27mm。) R; N8 \& |) U
塑料QFN 是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距除1.27mm 外, 还有0.65mm 和0.5mm 两种。这种封装也称为塑料LCC、PCLC、P-LCC 等。- h) e% `. v/ _' Z6 i7 q
47、QFP(quad flat package)3 }8 u/ G: D. U' z
四侧引脚扁平封装。表面贴装型封装之一,引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型。基材有 陶瓷、金属和塑料三种。从数量上看,塑料封装占绝大部分。当没有特别表示出材料时, 多数情 况为塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引脚LSI 封装。不仅用于微处理器,门陈列等数字 逻辑LSI 电路,而且也用于VTR 信号处理、音响信号处理等模拟LSI 电路。引脚中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多种规格。0.65mm 中心距规格中最多引脚数为304。 日本将引脚中心距小于0.65mm 的QFP 称为QFP(FP)。但现在日本电子机械工业会对QFP 的外形规格进行了重新评价。在引脚中心距上不加区别,而是根据封装本体厚度分为 QFP(2.0mm~3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三种。
7 j( Q# w8 n# } 另外,有的LSI 厂家把引脚中心距为0.5mm 的QFP 专门称为收缩型QFP 或SQFP、VQFP。但有的厂家把引脚中心距为0.65mm 及0.4mm 的QFP 也称为SQFP,至使名称稍有一些混乱 。 QFP 的缺点是,当引脚中心距小于0.65mm 时,引脚容易弯曲。为了防止引脚变形,现已 出现了几种改进的QFP 品种。如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP(见BQFP);带树脂 保护环覆盖引脚前端的GQFP(见GQFP);在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专 用夹具里就可进行测试的TPQFP(见TPQFP)。 在逻辑LSI 方面,不少开发品和高可靠品都封装在多层陶瓷QFP 里。引脚中心距最小为 0.4mm、引脚数最多为348 的产品也已问世。此外,也有用玻璃密封的陶瓷QFP(见Gerqa d)。
/ C# P6 x1 l+ | 48、QFP(FP)(QFP fine pitch)
/ l0 {, R/ |4 y2 _ 小中心距QFP。日本电子机械工业会标准所规定的名称。指引脚中心距为0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(见QFP)。
6 t" g: v2 {* H0 r& n 49、QIC(quad in-line ceramic package)5 o' _9 G( B# g' I
陶瓷QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP、Cerquad)。
+ c4 _: Y, N2 ~$ i% Q# D$ n8 f 50、QIP(quad in-line plastic package)
) ?/ T+ {; f- K& d `# H 塑料QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP)。
5 L6 L$ [& D8 _ 51、QTCP(quad tape carrier package)
5 z5 m; S$ I% r! N* @ 四侧引脚带载封装。TCP 封装之一,在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利 用 TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。
. D2 O; h6 c8 ~& k 52、QTP(quad tape carrier package)
) ]: T/ h: k9 h1 l: d 四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993 年4 月对QTCP 所制定的外形规格所用 的 名称(见TCP)。9 |0 j9 g0 f2 z& t: M3 _: i& S
53、QUIL(quad in-line)
) p |, J! l6 K5 K( n7 b QUIP 的别称(见QUIP)。4 h+ h6 P8 I. B0 l9 W' D+ l9 k
54、QUIP(quad in-line package)4 x2 }. ^8 y7 P0 m) U9 o+ ?* R. X H; g
四列引脚直插式封装。引脚从封装两个侧面引出,每隔一根交错向下弯曲成四列。引脚 中心距1.27mm,当插入印刷基板时,插入中心距就变成2.5mm。因此可用于标准印刷线路板 。是 比标准DIP 更小的一种封装。日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采 用了些 种封装。材料有陶瓷和塑料两种。引脚数64。' t& L2 [) Y0 D; e V& O8 K
55、SDIP (shrink dual in-line package)
7 t6 n- O2 j- p/ b! t* K# b, W6 c 收缩型DIP。插装型封装之一,形状与DIP 相同,但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54 mm),& o6 y. l! @. g" l* p9 D" ^# G
因而得此称呼。引脚数从14 到90。也有称为SH-DIP 的。材料有陶瓷和塑料两种。
6 d, Y: J5 z) }' ?" W: M" Z 56、SH-DIP(shrink dual in-line package)
, t- d. X( Z0 I8 u0 ] 同SDIP。部分半导体厂家采用的名称。
5 Z& D* O' l5 B$ d) H% s 57、SIL(single in-line)
/ z# W' ]5 ?; A& f% v; N SIP 的别称(见SIP)。欧洲半导体厂家多采用SIL 这个名称。
& y, i- E, K7 a- z. j 58、SIMM(single in-line memory module)9 l5 P/ T" s& @" X& O
单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插 座 的组件。标准SIMM 有中心距为2.54mm 的30 电极和中心距为1.27mm 的72 电极两种规格 。 在印刷基板的单面或双面装有用SOJ 封装的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已经在个人 计算机、工作站等设备中获得广泛应用。至少有30~40%的DRAM 都装配在SIMM 里。
8 J; y6 I) v. V: \1 S+ R* M 59、SIP(single in-line package) O/ v. d# Z. t9 W# o
单列直插式封装。引脚从封装一个侧面引出,排列成一条直线。当装配到印刷基板上时 封装呈侧立状。引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从2 至23,多数为定制产品。封装的形 状各 异。也有的把形状与ZIP 相同的封装称为SIP。! ?* p5 G3 ` K$ x* p* x
60、SK-DIP(skinny dual in-line package) {+ G; t, I3 x) Y
DIP 的一种。指宽度为7.62mm、引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP(见 DIP)。' ~% i; j6 L9 \# f, a" N
61、SL-DIP(slim dual in-line package)7 Z- n, T( K2 I! A
DIP 的一种。指宽度为10.16mm,引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP。$ H7 I9 C0 M# O$ T
62、SMD(surface mount devices)
4 O$ t4 b- t: C9 ^5 ~ e7 r 表面贴装器件。偶尔,有的半导体厂家把SOP 归为SMD(见SOP)。
! ^& f( B9 S0 N 63、SO(small out-line)
" S5 [( m$ A' M& j1 D* j SOP 的别称(引脚间距1.27mm)(SSOP引脚间距小于1.27mm)。世界上很多半导体厂家都采用此别称。(见SOP)。5 A$ R* i/ l- r( ^9 c& g
64、SOI(small out-line I-leaded package)
/ ]; f }5 d7 B y0 y/ U I 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I 字形,中心 距 1.27mm。贴装占有面积小于SOP。日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。引 脚数 26。7 w' O" ?' P- ^9 q j
65、SOIC(small out-line integrated circuit)0 R- i8 |9 K0 ?4 C& ~1 d, L6 }5 C
SOP 的别称(见SOP)。国外有许多半导体厂家采用此名称。5 f4 n7 U6 `) C* @& O$ p
66、SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)% G8 v( N: `* S( p/ I
J 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈J 字形,故此 得名。 通常为塑料制品,多数用于DRAM 和SRAM 等存储器LSI 电路,但绝大部分是DRAM。用SO J 封装的DRAM 器件很多都装配在SIMM 上。引脚中心距1.27mm,引脚数从20 至40(见SIMM )。# C0 k( c' P7 b7 X& r
67、SQL(Small Out-Line L-leaded package)
0 ]3 c# e4 P, v: y" ^# R 按照JEDEC(美国联合电子设备工程委员会)标准对SOP 所采用的名称(见SOP)。5 ^6 }* m4 G8 g; F
68、SONF(Small Out-Line Non-Fin)2 Y( P! g+ V$ U9 s' T
无散热片的SOP。与通常的SOP 相同。为了在功率IC 封装中表示无散热片的区别,有意增添了NF(non-fin)标记。部分半导体厂家采用的名称(见SOP)。' L% V+ b8 T0 C( B8 b6 w& B4 ~! }
69、SOF(small Out-Line package)6 Y. s# v/ t4 `6 Z+ ?6 ]6 d" t
小外形封装。表面贴装型封装之一,引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。材料有 塑料 和陶瓷两种。另外也叫SOL 和DFP。
2 b6 g/ `( b: n% v6 x SOP 除了用于存储器LSI 外,也广泛用于规模不太大的ASSP 等电路。在输入输出端子不 超过10~40 的领域,SOP 是普及最广的表面贴装封装。引脚中心距1.27mm,引脚数从8 ~44。& z: w0 }5 b% C8 m' F
另外,引脚中心距小于1.27mm 的SOP 也称为SSOP;装配高度不到1.27mm 的SOP 也称为 TSOP(见SSOP、TSOP)。还有一种带有散热片的SOP。
% z( i% Q9 L E+ l, K8 ] 70、SOW (Small Outline Package(Wide-Jype))
; D7 t4 e2 U4 k: K x 宽体SOP。部分半导体厂家采用的名称。5 y, i* }( h8 c4 G4 A
71、COB(Chip On Board)" z( l: P7 S- m' H: Y% L) j- a: y
通过bonding 将IC裸片固定于印刷线路板上。也就是是将芯片直接粘在PCB上用引线键合达到芯片与PCB的电气联结然后用黑胶包封。COB的关键技术在于Wire Bonding(俗称打线)及Molding(封胶成型),是指对裸露的机体电路晶片(IC Chip),进行封装,形成电子元件的制程,其中IC藉由焊线(Wire Bonding)、覆晶接合(Flip Chip)、或卷带接合(Tape Automatic Bonding;简称(TAB)等技术,将其I/O经封装体的线路延伸出来。2 ~# X) O. _# K* {
72、COG(Chip on Glass)7 q. l4 o; H* r4 u7 L t4 ?8 Q
国际上正日趋实用的COG(Chip on Glass)封装技术。对液晶显示(LCD)技术发展大有影响的封装技术。" Q" r( |; R' k7 \. \( ^
- C5 \) k/ D X8 u9 n, M" s
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