TA的每日心情 | 奋斗 2022-9-20 15:45 |
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TVS管和ESD管的区别是:工作原理是一样的,但功率和封装是不一样的;ESD主要是用来防静电,防静电就要求电容值低;TVS泄放功率大,具有很快的响应能力和强大的浪涌吸收能力,主要用在电源,TVS的电容值也比较高。ESD简介
4 k! K& K# ~' ~1 i" ^: [7 ^ @一说到静电,就谈到了ESD管、TVS管、二极管、压敏电阻、电容……很多可以用于防静电的。但是实际对于这些用途和区别,还是不容易区分。或许适当的场合选择对应的器件,才是王道。但是,实际的设计中,应该没有考虑这么全面的。
( Z, V3 z; t% `7 I8 _首先说下几个概念:ESD静电放电(Electro-Staticdischarge)和TVS瞬变电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressors)。
% I/ ^& u1 ] W3 A实际根据行业记载ESD是指具有不同静电电位的物体互相靠近或直接接触引起的电荷转移。国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD(即TVS管也属于ESD)。但是现在很多有ESD管和TVS管的描述。那么ESD管和TVS管有什么区别呢?
- K5 ?6 z: D/ u8 U实际ESD管和TVS管工作原理是一样的,但是
! K6 I& z" T v7 RTVS是一种二极管形式的高效能保护器件。当出现浪涌、ESD等电压从几伏到几十千伏甚至更高时,TVS管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10的负12次方秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低回阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受浪涌脉冲的损坏,起到了TVS瞬态电压抑制。
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v4 W7 b$ T% d0 k1 y3 m% oESD管与TVS管
1 K# Z8 D3 q) a) j; X8 z9 m- _TVS管和ESD管的对比:
' ]: L6 v8 {; V1 h7 ^ O8 |>>ESD二极管应用板级防静电,然而防静电要求电容值低,一般在1--3.5PF之间最好;
9 u+ r/ B! k j- p! S>>TVS管用于初/次级保护,TVS管的电容值却比较高。0 E6 q/ N) y2 w& v
>> ESD二极管看的是ESD二极管抗静电等级LEVEL,高速的USB和I/O非常重视ESD二极管的C(负载电容);
& C" K7 Q8 `2 F; s3 i3 Q$ _>> TVS管看的是功率和封装形式;& N0 Z5 q9 s2 _# G) I
>>TVS管是瞬态抑制二极管,具有很快的响应能力和强大的浪涌吸收能力,主要用在电源输入端用来吸收浪涌的;: Z! O' T0 B3 G( x' X
>>ESD是静电放电管,主要用在关键引脚上起到静电保护作用。" w( ~. D! a5 c1 [* y
>>TVS管有两个引脚,是两脚器件;TVS主要用在电源输入端起到防浪涌的作用,瞬间吸收浪涌电流对后级电路起到保护作用。
, @/ \. u/ O5 H; Q+ E% c>>ESD有三个引脚,是三脚器件。ESD管两个三极管串起来后,引出三根引脚。ESD二极管的正负接在电源引脚,公共端接在被保护引脚上起到释放静电的作用。! C+ n7 I, O8 z
" u! |* D" S g' BTVS管与其它器件/ S# n. e- p6 a- f" {3 y3 E
优点:
* j- G6 R! f; ~ H# W0 `5 `>>TVS管具有反应迅速、截止电压比较低等特点。/ o% h4 C2 [9 K9 L m2 @$ f
>>TVS 与齐纳二极管相比,TVS具有更强的高压承受能力,同时也降低了电压截止率。
' \ O& k/ d4 j6 P" o* _( w" u& S>>TVS 与陶瓷电容相比更可靠,陶瓷电容对高压的承受力却比较弱,ESD会造成陶瓷电容的失效风险。而TVS 可以承受15kV 电压,可靠性高。. H0 @0 q* b; W& K* ]
>>TVS和压敏电阻相比,与陶瓷电容类似,压敏电阻采用物理吸收原理,每经过一次ESD事件,材料就会受到一定物理损伤,形成永久性的漏电通道,而TVS对器件本身并无影响.: _% E8 r X0 z7 V! z' o& a; j: }
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TVS管参数# E8 Y8 ~( m& s2 y! y1 j8 S; Y
>>最小击穿电压VBR 和击穿电流IR。7 ^8 I) U" ~0 Z$ l/ `) X
>>最大反向漏电流ID 和额定反向关断电压VWM。+ A& N; U z1 q& Z1 M
>>最大箝位电压VC 和最大峰值脉冲电流IPP。
. L2 u _, p4 @$ Z: [) M>>Pppm 额定脉冲功率,这是基于最大截止电压和此时的峰值脉冲电流。
0 O. Z+ F8 G* j, D, ^$ P9 m/ |>>电容量C。电容对于数据/信号频率越高的回路,二极管的电容对电路的干扰越大,形成噪声或衰减信号强度,因此需要根据回路的特性来决定所选器件的电容范围。
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8 ]+ _( V( m z! xESD保护$ [( }( _) `4 Q, M: Q7 t
ESD 保护应当针对不同的保护对象来选用器件,同时还要进行合理的PCB 布局。对暴露在外的端口都要求进行防静电保护。现在比较通用的ESD 标准是IEC61000-4-2。
; Y5 t0 Y! S$ l4 n5 O9 R1 q- J8 o应用人体静电模式,测试电压的范围为2kV~15kV(空气放电),峰值电流最高为20A/ns,整个脉冲持续时间不超过60ns。在这样的脉冲下所产生的能量总共不超过几百个微焦尔,但却足以损坏敏感元器件。 # _* f- b% x$ D, _
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