场效应管栅极电压问题

hththt

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本人做了一款电路，栅极接一个电容，工作时通过按键给栅极电容充放电，控制其电压，电容没有其他泄放回路，电路中场效应管的D极电压是7V，栅极电压控制范围是约1-5V，但在工作时这个电容上的电压一直在缓慢上升，比如控制到3V，它会在没有按下按键的情况下一直缓慢上升！使得电路状态偏离设计初衷，实际我需要的是要求不变或缓慢下降。请问大佬们，这种情况是什么原因造成的呢？怎么避免或改善这种情况的发生？谢谢了！

( D, f1 e+ d2 y; z1 f/ V& y+ c$ O

innovation

从楼主描述的现象之一，低压时稳定，想到的一个原因，楼主可以参考下，前提是楼主栅极电容使用的是陶瓷电容，因为陶瓷的介质吸收现象，通常都是讲将陶瓷电容两端短接后放电，一次并不能完全放掉，当我们断开短路回路时，测量电容两端的电压，会缓慢增加，我理解，我们通过开关给陶瓷电容充电，会不会也有这个现象，陶瓷电容介质吸收的文章好多年前看的了，记得也不太准，楼主权当参考吧，你可以查阅一下相关文件。

qunqunqn

MOS 就没有这样的应用

innovation

steelen 发表于 2021-9-22 17:30
好像所有的电容都有介质吸收问题
包陶瓷电容，聚丙烯，聚苯烯...，电解电容也有
据说解决介质吸收问题 ...

是的，您说的很对，我特别强调陶瓷电容不够严谨。
) R4 u. v4 ]7 K2 O" k( h, I; ]我注意到您在11楼提出这个是固体物理学的内部原理，我对这方面没有本质研究，遇到时也基本从宏观（或者说外部）现象去理解一下。但您在11楼没有给出更为详细的讲解。普遍介绍电容介质吸收现象时举的例子就是充好电的电容，如果通过短接快速放电，并不能一次放完。所以看到这个讨论时，我就想会不会对电容充电也会有类似的一个原理，故而提出这样一个思路供楼主参考，但楼主没有更新进一步的试验和分析结果。
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steelen

D G间泄露电流？

hththt

steelen 发表于 2021-8-27 15:06
D G间泄露电流？

有可能，如果mos都有这种现象，该怎么避免呢?
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th2010-gc01

G极加个10K电阻到地试试！
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hththt

th2010-gc01 发表于 2021-8-27 19:46
G极加个10K电阻到地试试！

; W# D1 p+ p7 ?那瞬间电容上的电就放完了！

steelen

加个大电阻。比如100M及以上

cewtf

漏电流导致，这个还是需要一个明确的状态会好使一些。你G极什么都不接，都是悬空，状态不可控。

hththt

qunqunqn 发表于 2021-8-30 18:20
MOS 就没有这样的应用

用最小的成本达到自己的目的！你知道我的电路其他部分和功能吗？其实这个电路成品已经用几年了！就像你我用的手机，都有升级的空间，我在想着能不能改机升级一下。不要轻易否定你没有见过或你不能理解的东西！
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hththt

cewtf 发表于 2021-8-31 09:42
漏电流导致，这个还是需要一个明确的状态会好使一些。你G极什么都不接，都是悬空，状态不可控。

谢谢回复！表面上是漏电导致的，但实际比表面现象要复杂。我观察了G极电容在各种电压下的电压变化情况，表现有点诡异，在G电压低时G极电压很稳定，比如1.5v,30分钟基本无变化，但随G极电压升高，它的稳定性表现就慢慢变差，表现为栅极电压越高，它的电压自发升高的速度就越大，这有点反常识！

steelen

正常，固体物理学内部问题

yangshu5

会不会是这里本身就是个浮空的状态，但是参考的又是板子的地，没有形成回路，测试出的并不是真是电压？只是我的推测

hththt

yangshu5 发表于 2021-9-4 21:49
会不会是这里本身就是个浮空的状态，但是参考的又是板子的地，没有形成回路，测试出的并不是真是电压？只是 ...

当然不是直接测的G极电压，而是测的S极（R7)电压，间隔一段时间测一次，记录变化。
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hththt

innovation 发表于 2021-9-14 01:14
* f9 m4 \1 _& \从楼主描述的现象之一，低压时稳定，想到的一个原因，楼主可以参考下，前提是楼主栅极电容使用的是陶瓷电容 ...

非常感谢回复！这是一个很重要的知识点！但是，从我使用的情况来看应该并不是陶瓷电容的这个特性导致的，比如这个电路很久没有通电，刚上电电容上就是0电压，然后我往上调到一定的电压后静置（也就是没有回调过程），此时电容电压依旧会自发升高。