功率半导体，大涨价下的国产替代之路

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功率半导体器件可以用来控制电路通断，从而实现电力的整流、逆变、变频等变换。一般将额定电流超过 1A 的半导体器件归类为功率半导体器件，这类器件的阻断电压分布在几伏到上万伏。常 见 的 功 率 半 导 体 器 件 有 金 属 氧 化 物 半 导 体 场 效 应 管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管芯片（IGBT）及模块等。

! i6 j/ ]+ _2 w' k2 a# S半导体功率器件广泛应用于汽车、家电、光伏、风电、轨交等领域，渗透进了人们生活的方方面面。从 2016 年下半年开始，功率半导体器件行情回暖，需求持续旺盛，但是受限于产能，原厂交货周期开始延长。一般来说 MOSFET、整流管和晶闸管的交货周期是 8 周左右，但现在部分 MOSFET、整流管和晶闸管交期已被延长到 24 至 30 周。
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0 L1 Q/ ^2 _. I2 u% w1 d2 n我国的功率半导体器件的起步虽然较晚，但是市场规模增长迅速。从 2011 年的 1386 亿元增长到 2016 年的 2088 亿元，年均复合增速达 8.53%， 已经成为全球最大的功率半导体市场之一。但是我国的功率半导体生产厂商与国际巨头相比还有较大差距。 目前全球主要的功率半导体厂商均为英飞凌、德仪、 STM、恩智浦等国外企业。国内功率半导体器件需要大量进口，如 IGBT 有 90%依赖进口，因此进口替代空间巨大。

0 J3 d  b9 g7 Y) o8 _9 Y9 S2 f为推动我国半导体产业的发展， 2014 年国家成立了千亿规模的国家集成电路产业投资基金（简称“大基金”）。由于从本质上讲，功率半导体器件与集成电路（IC）芯片非常类似，它们都由 PN结、双极型晶体管、 MOS 结构构成，因此两者的理论基础相同，大多数工艺也相同。 因此大基金的设立也有利于功率半导体器件的发展。 2016 年， 大基金以 6 亿元入股士兰微，投资 8 英寸芯片生产线，用于生产 IGBT。

) z# ~7 S/ K/ P/ V. P: {国内的企业也在积极追赶，并取得了不错的成果。如捷捷微电已经具备自主设计和制造晶闸管的能力， 研发并生产 200 多种型号和规格的标准产品。 扬杰科技的产品涵盖了整流桥、二极管、MOSFET 模块等产品，并积极布局 SiC 宽禁带半导体。 士兰微的产品在全球中等尺寸（芯片尺寸小于等于 150mm）的芯片生产企业中位居第五位， 8 英寸芯片生产线也在 2017 年上半年已经进入试生产阶段。华微电子已经成功研发第六代 IGBT 产品，并且在新能源汽车、充电桩、变频家电等领域取得了良好的应用反馈。
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功率半导体器件可以用来控制电路通断，从而实现电力的整流、逆变、变频等变换

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国内的企业也在积极追赶，并取得了不错的成果

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半导体功率器件广泛应用于汽车、家电、光伏、风电、轨交等领域，渗透进了人们生活的方方面面
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