cypress代理4Mbit铁电存储器CY15B104QSN

英尚微电子

cypress Excelon-Ultra CY15B104QSN采用了高级铁电工艺的高性能4Mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（即FRAM）与RAM相同，是执行读和写操作的易失性存储器。它提供151年的可靠数据保留时间，并解决了由串行闪存和其他非易失性存储器造成的复杂性、开销和系统级可靠性的问题。
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与串行闪存不同的是，CY15B104QSN以总线速度执行写操作。并且不引起写操作的延迟。在每个字节成功传输到器件后，数据立即被写入到存储器阵列内。这时可以开始执行下一个总线周期而不需要轮询数据。与其他非易失性存储器相比，该产品提供了更多的擦写次数。CY15B104QSN能够提供1014次的读/写周期，或支持比EEPROM多1亿次的写周期。由于具有这些特性，因此CY15B104QSN非常适用于需要频繁或快速写操作的非易失性存储器应用。示例的范围包括从数据收集（其中写周期数量是非常重要的）到满足工业级控制（其中串行Flash的较长写时间会使数据丢失）。
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CY15B104QSN将4Mbit FRAM与高速度四线SPI（QPI）SDR和DDR接口相结合，从而增强铁电存储器技术的非易失性写入功能。该器件包含一个只读的器件ID和唯一ID特性，通过它们，SPI总线主设备可以确定器件的制造商、产品容量、产品版本和唯一ID。该器件包含一个唯一只读序列号，可用来识别某个电路板或系统。

7 q( f3 p- L7 Y/ ^  X该器件支持片上ECC逻辑，可以在每个8字节数据单元内检测和纠正单比特错误。该器件还包含在8字节数据单元中提供双比特错误报告的扩展功能。CY15B104QSN还支持循环冗余校验（CRC），可用来校验存储器阵列中所存储数据的完整性。代理商英尚微支持提供产品技术支持。

性能
■4Mbit铁电性随机存取存储器（FRAM）的逻辑组织方式为512Kx8
. c0 b. O" d: E❐提供了一百万亿次（1014）的读/写周期，几乎为无限次数的耐久性。
3 a: C) j( x8 E# B3 k❐151年数据保留时间
❐NoDelay™写操作
❐高级高可靠性的铁电工艺
■单线和多线I/O串行外设接口（SPI）
& w! b. h7 o% J6 o/ T❐串行总线接口SPI协议
❐支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1），适用于所有SDR模式转换
4 F: O  E: f1 E0 P5 E) y$ D& n5 J❐支持SPI模式0（0，0），适用于所有DDR模式转换
❐扩展型I/OSPI协议
" w/ H4 K2 C0 ]1 M❐双线SPI（DPI）协议
) d  _9 P3 m/ B( F9 X: |2 a& k& ~❐四线SPI（QPI）协议
' g: j3 [8 F& V, m■SPI时钟频率
" @/ G. L8 S* w❐最高108MHz频率SPI的单倍数据速率（SDR）
3 q; Q) x) r/ ~# }+ S* W❐最高54MHz频率SPI的双倍数据速率（DDR）
■芯片内执行（XIP）模式下的存储器读/写操作
■写入保护，数据安全性，数据完整性
■使用写保护（WP）引脚提供硬件保护
6 ~7 y* u0 b" g1 H0 j* F) S■软件模块保护
$ g# L- ^+ x* S2 J  M■提高数据完整性的纠错码（ECC）和循环冗余校验（CRC）
; o, R4 T& ?4 F9 e$ \7 o  k❐检测并纠正但比特错误的ECC。在发生双比特错误时，它将不纠正错误，但将通过ECC状态寄存器进行错误报告
❐CRC将检测原始数据的任意意外更改
. e9 p$ X  o1 u+ ?( u■扩展的电子签名
9 ]8 H- `0 H! L6 [; F❐器件ID包含制造商ID和产品ID
❐唯一ID
8 f5 j4 O/ G* v- E% g, e❐用户可编程序列号。
■专用256字节特殊扇区FRAM
❐专用特殊扇区写和读操作
❐内容可以在最多3个标准回流焊周期内保持不变
■高速度，低功耗
❐SPISDR频率为108MHz时，有效电流为10mA（典型值）
❐QSPISDR频率为108MHz并且QSPIDDR频率为54MHz时，有效电流为16mA（典型值）
# C8 W% z2 o" |8 E/ K$ D5 `❐待机电流为110μA（典型值）
❐深度掉电模式电流为0.80μA（典型值）
8 J* b8 D  k3 m. F5 Z& |❐休眠模式电流为0.1μA（典型值）
2 U! j# K1 S+ {, E■低电压操作：
: O. G2 |# `( B❐CY15B104QSN：VDD=1.8V到3.6V
■工作温度范围：–40℃到+85℃
■封装
❐8pin小型塑封集成电路（SOIC）封装
' i2 a5 o2 Y, A# Z❐8pin网格阵列四方扁平无引线（GQFN）封装
' h5 U" f8 S( V. \7 i; A■符合有害物质限制标准（RoHS）

CY15B104QSN是一个串行FRAM存储器。该存储器阵列被逻辑组织为 524,288 ×8 位。通过使用工业标准的串行外设接口（SPI）总线可以访问该存储器阵列。FRAM 的功能操作与单线SPI EEPROM或单线/双线/四线SPI闪存的功能操作相同。CY15B104QSN与具有相同引脚分布的串行闪存之间的主要区别在于FRAM具有更好的写性能、高的耐久性和较低的功耗。
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在每个字节成功传输到器件后，数据立即被写入到存储器阵列内。这时可以开始执行下一个总线周期而不需要轮询数据。