请教一个关于上电瞬间浪涌电流的抑制电路设计

ljyxzz

如下图，尝试使用负温度系数热敏电阻NTC与NMOS并联，上电瞬间NMOS不导通，通过NTC抑制浪涌电流。与此同时C67通过R2充电，NMOS栅极电压逐渐上升，NMOS导通，相当于短路掉NTC，避免NTC上的功率损耗。
请问这个设计合理吗，如果不合理，在哪些地方可以改进？

0 E0 c1 ?0 Z4 O: ^% t另外，如果采用NTC和PMOS并联，电路图如下，请问能达到同样的功能吗，与上面的设计相比哪个更可靠呢？
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' ^2 B% d6 L1 t8 ^5 r$ x* B

huo_xing

nmos怎么能实现你的功能。就算nmos完全导通，也是Vg=Vs=Vcc啊。怎么保证Vg>Vs？

ljyxzz

huo_xing 发表于 2021-7-27 09:39
, O+ D- g. E1 `( Tnmos怎么能实现你的功能。就算nmos完全导通，也是Vg=Vs=Vcc啊。怎么保证Vg>Vs？

% |) X+ w% f* z" }2 J, vNMOS导通的话，由于MOS的导通电阻很小，相当于短路掉NTC热敏电阻，电流全部从NMOS走。不知道是否可以这样理解，请指导，谢谢

startostar

被验证OK的电路很多，经验不足千万别自创

ljyxzz

huo_xing 发表于 2021-7-27 09:39
- s7 Y) `8 {- s6 B) i7 H0 J# Vnmos怎么能实现你的功能。就算nmos完全导通，也是Vg=Vs=Vcc啊。怎么保证Vg>Vs？

明白您的意思了，那下面用PMOS的设计，栅极被开关三极管导通到地，电压接近0V，这样的设计有问题吗？
) I1 @* Q$ |% P: R3 _

ljyxzz

startostar 发表于 2021-7-27 09:44
# ^0 t0 W* A9 T! X4 G被验证OK的电路很多，经验不足千万别自创

是的，有的电路比较复杂，条件有限所以想尽量简化。
谢谢您的提醒
# ?$ I6 R* n: c1 B

421800626

低温下ntc能否开启

ljyxzz

421800626 发表于 2021-7-27 21:55
/ _5 m  V2 C- f9 d! H. g" @低温下ntc能否开启

4 `: n' ^# j. p! p应该是很极端的低温环境吧