1Mbit国产异步低功耗SRAM芯片EMI501HB08PM-55I

英尚微电子

' V6 T, Q9 I: m, }' k随着微电子技术的迅猛发展，SRAM存储器逐渐呈现出高集成度、快速及低功耗的发展趋势。在半导体存储器的发展中，SRAM由于其广泛的应用成为其中不可或缺的重要一员。

# O  [; z7 M5 t+ t! R! i% Q随机存储器最大的特点就是可以随时对它进行读写操作，但当电源断开时，存储信息便会消失。SRAM的数据存储方式是依靠一对反相器以闭环形式连接的存储电路，它的代码的读出是非破坏性的，并不需要相应的刷新电路，因此它的存取速度比DRAM要快。但是SRAM需要用更多的晶体管来存储一位的信息（采用六管单元或四管两电阻单元储存一位数据），因而其位密度比其它类型的低，造价也高。静态存储器多用于二级高速缓存。

介绍一款伟凌创芯（EMI）1Mbit国产异步低功耗SRAM芯片EMI501HB08PM-55I，该产品采用EMI先进的全CMOS工艺技术制造。支持工业温度范围-40℃~85℃。EMI501HB08PM-55I采用32SOP芯片级封装，电源电压为4.5V~5.5V，以实现系统的用户灵活性设计。还支持低数据保留电压，用于以低数据保留电流进行电池备份操作。

( d/ J  ^6 C7 v. ]/ }特征
  x8 D' L' @4 u5 \% H3 E●工艺技术：90nm Full CMOS
4 \5 X$ ^+ m/ q●组织：128KX8bit
●电源电压：4.5V~5.5V
●三态输出，TTL兼容
* T6 x7 ]2 B; t& T* x●标准32SOP
●工业操作温度


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是的，随机存储器最大的特点就是可以随时对它进行读写操作，但当电源断开时，存储信息便会消失。SRAM的数据存储方式是依靠一对反相器以闭环形式连接的存储电路，它的代码的读出是非破坏性的，并不需要相应的刷新电路，因此它的存取速度比DRAM要快。