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本帖最后由 Heaven_1 于 2021-7-21 17:48 编辑 , T6 K. V# _( i' ~, I
/ @, i3 }0 p- I2 a! D, X随着微电子技术的迅猛发展，SRAM存储器逐渐呈现出高集成度、快速及低功耗的发展趋势。在半导体存储器的发展中，SRAM由于其广泛的应用成为其中不可或缺的重要一员。# y* ]5 e" _1 \; l1 U
8 q. s/ `1 j4 c4 ^: l随机存储器最大的特点就是可以随时对它进行读写操作，但当电源断开时，存储信息便会消失。SRAM的数据存储方式是依靠一对反相器以闭环形式连接的存储电路，它的代码的读出是非破坏性的，并不需要相应的刷新电路，因此它的存取速度比DRAM要快。但是SRAM需要用更多的晶体管来存储一位的信息（采用六管单元或四管两电阻单元储存一位数据），因而其位密度比其它类型的低，造价也高。静态存储器多用于二级高速缓存。3 `4 X+ R9 G; s
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介绍一款伟凌创芯（EMI）1Mbit国产异步低功耗SRAM芯片EMI501HB08PM-55I，该产品采用EMI先进的全CMOS工艺技术制造。支持工业温度范围-40℃~85℃。EMI501HB08PM-55I采用32SOP芯片级封装，电源电压为4.5V~5.5V，以实现系统的用户灵活性设计。还支持低数据保留电压，用于以低数据保留电流进行电池备份操作。
1 a( c) Y/ f7 O % S. a9 i2 a1 Q
特征$ i/ ^5 f4 V4 u' o! Z
●工艺技术：90nm Full CMOS" `7 F! n! v' W' E
●组织：128KX8bit
; N) A# Y" J; y●电源电压：4.5V~5.5V0 E5 V, a; l/ X$ Q. _$ l
●三态输出，TTL兼容6 K I" G% o2 ?' I, c' y% b3 a7 G
●标准32SOP8 r$ u' J- f' S) a& u% w
●工业操作温度+ d% f: X* D# P
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发表于 2021-7-21 16:19
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