1Mbit国产异步低功耗SRAM芯片EMI501HB08PM-55I

英尚微电子

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. m- i8 B5 D: I$ w3 d! A$ d7 y随着微电子技术的迅猛发展，SRAM存储器逐渐呈现出高集成度、快速及低功耗的发展趋势。在半导体存储器的发展中，SRAM由于其广泛的应用成为其中不可或缺的重要一员。
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随机存储器最大的特点就是可以随时对它进行读写操作，但当电源断开时，存储信息便会消失。SRAM的数据存储方式是依靠一对反相器以闭环形式连接的存储电路，它的代码的读出是非破坏性的，并不需要相应的刷新电路，因此它的存取速度比DRAM要快。但是SRAM需要用更多的晶体管来存储一位的信息（采用六管单元或四管两电阻单元储存一位数据），因而其位密度比其它类型的低，造价也高。静态存储器多用于二级高速缓存。
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介绍一款伟凌创芯（EMI）1Mbit国产异步低功耗SRAM芯片EMI501HB08PM-55I，该产品采用EMI先进的全CMOS工艺技术制造。支持工业温度范围-40℃~85℃。EMI501HB08PM-55I采用32SOP芯片级封装，电源电压为4.5V~5.5V，以实现系统的用户灵活性设计。还支持低数据保留电压，用于以低数据保留电流进行电池备份操作。

特征
# w9 [. {6 r# D/ b2 s0 ?4 S0 k, n4 S●工艺技术：90nm Full CMOS
. Q" b: E- [2 h2 T3 a5 m8 [●组织：128KX8bit
5 d; k/ z- m0 o1 v6 W●电源电压：4.5V~5.5V
8 ]; U& P, G8 a+ D# N8 G9 f●三态输出，TTL兼容
: V) F# |4 N/ E" F●标准32SOP
●工业操作温度

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是的，随机存储器最大的特点就是可以随时对它进行读写操作，但当电源断开时，存储信息便会消失。SRAM的数据存储方式是依靠一对反相器以闭环形式连接的存储电路，它的代码的读出是非破坏性的，并不需要相应的刷新电路，因此它的存取速度比DRAM要快。