基于65 nm工艺的多端口可配置PUF电路设计

dapmood

基于65 nm工艺的多端口可配置PUF电路设计

摘要:物理个 六压目有唯一性、随机性和不可兄性TE由路由输入寄存器、偏差电压源、互用A在一个时钟周期内的随机工艺调左差的多端口可配置PUF 电压源，无需更换硬件便叫次机有36个输出端口的PUFC度(-40~125*C)于电流镜工艺偏差的多端口可配置PUF电路。该PUF电路由输入寄存器和扰乱模块构成，通过激励信号配置偏差电压源，无需更换硬件便可实现输出多位密钥。在SMIC 65 nm CMOS工艺下，采用全定制方式设计具有36个输出端口的PUF电路，版图面积为24.8 um×77.4 um。实验结果表明，该PUF电路具有良好的唯一性和随机性，且工作在不同温度(-40~125°C)和电压(1.08~1.32 V)下的可靠性均大于97.4%，可应用于信息安全领域。
- {, A0 r5 E( q$ q# I关键词:电路设计;物理不可克隆函数;多端口;可配置

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基于65 nm工艺的多端口可配置PUF电路设计