仿真DDR传输线的S参数

asdHP.. · 发表于 2021-7-7 12:59

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S11、S12是在端口阻抗取50Ω时较好，但是串扰又是在取100欧姆时的结果较好，这个有点搞不明白，S11、S12的结果和串扰的结果是不是需要在不同端口阻抗的情况下仿真得到？此处自动@各路大神

serenade · 发表于 2021-7-7 13:58

需要在不同端口阻抗的情况下仿真

dengjie0 · 发表于 2021-7-7 15:03

学习中，等大佬们回复

asdHP.. · 发表于 2021-7-7 15:48

serenade 发表于 2021-7-7 13:58& d1 h5 C8 ^* \5 t1 X, H
需要在不同端口阻抗的情况下仿真

就是说S11、S12和串扰分别是在端口阻抗为50欧姆和100欧姆的情况下仿真得到的吗

接SIPIEMC仿真 · 发表于 2021-7-13 14:15

芯片引脚在作为发射端和接收端时阻抗是不一样的，接收端一般都是高阻抗，要到ANSYS electronics desdtop里面做详细的串扰就使用实际阻抗连接，如果是在SIwave里面仿S参数，那就按layout阻抗设计去设port阻抗。一般DDR都是50，如果有多芯片拓扑网络比较长，会要求阻抗低一些。

E02577 · 发表于 2021-7-15 13:05

6666666666666

lyk_cindy · 发表于 2021-7-16 09:12

dddddddddddddddd

645071325 · 发表于 2021-7-18 19:36

学习中，等大佬们回复

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