阻抗计算时的H和H1的值是多少啊?怎么来的?

wxlcoco1984

请教高手,在用CITS25计算阻抗的时候,表层线有一个H值,内层走线有一个H和H1值,请问这两个值分别填多少啊?这些值是怎么得来的呢,谢谢

flyingc381

叠层设置……

wxlcoco1984

叠层设置是这样的TOP/GND02/INNER03/POWER04/GND05/INNER06/POWER07/BOTTOM,顺便问一下上面的叠层设置如果改为TOP/GND02/INNER03/POWER04/POWER05/INNER06/GND07/BOTTOM哪种比较好呢

wxlcoco1984

我自己计算的结果如下,不知道对不对,计算单端阻抗的时候我选H为4MIL,差分计算的时候我选H1=4MIL,H=14MIL,就是走线层绝缘材料的厚度和层压厚度,但是这两个值不知道应该参考哪里来的
) t" e: [4 x5 |4 UUSB：
* u0 p+ u0 e" R7 _& y  X% Q% ]IMPEDANCE：90 OHM
L1/L8：6/5.5 MIL   89.06               L3/L6：5.5/8 MIL   90.73
( f& M; j& [+ E9 Z9 t) NHDMI：
IMPEDANCE：95 OHM
. ?+ m* P3 {* B- U# `9 u4 }L1/L8：5.1/5.5 MIL   94.32               L3/L6：5.1/9 MIL  95.23
LVDS：
8 y- Y; d5 V" Y' g' J( sIMPEDANCE：100 OHM
& j0 \/ e- @( T. M7 s9 [/ PL1/L8：5.1/7 MIL    99.95         L3/L6：5.1/10 MIL     96.31

& s3 c2 b# k0 W! @9 ]DDR：
/ K5 k- l" m5 j  _( O: E! x! CCLK：
IMPEDANCE：65 OHM
L1/L8：10.5/5  MIL    67.57         L3/L6：8.5/5 MIL     68.53

  D9 D; `0 }. d0 |DATA STROBE：
IMPEDANCE：85 OHM
! E) G/ Z. |* ?, L2 ^& QL1/L8：6.5/5  MIL  84.41         L3/L6：5.5/5.5 MIL     85.62
( m7 j. @0 m  q1 F3 F
DATA CONTROL COMMAND：
: T6 z1 r- {2 JIMPEDANCE：37 OHM
L1/L8：11.5 MIL  40.68       L3/L6：7.9 MIL     40.15

wxlcoco1984

最后一个值都是实际计算出来的结果,与要求值比较接近,但是有一个问题,最后一个要求37OHM的阻抗,表层要走11.5MIL的线宽,这样在DDR的颗粒是比较宽的线,如果空间有限,很难做到的啊

wxlcoco1984

所以怀疑计算结果不对

wxlcoco1984

当计算的时候,是不是所有的计算中的H和H1都是固定了的,还是不同层可以填不同的值呢

wxlcoco1984

没人回答,自己顶