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供应IRF3808STRLPBF/EN2210-BG2/88W8787LA16CBJ2芯片

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    星际金华提供原装库存现货 IRF3808STRLPBF/EN2210-BG2/88W8787LA16CBJ2芯片,欢迎咨询!
    2 q2 r+ n  a; J& d3 O) w. y" x; @( i! k
    IRF3808STRLPBF:
    + a1 E1 g7 w5 J% `$ i( K! V产品属性:  C! M& `1 b7 |( Z. X0 ]4 f8 L
    FET 类型:N 通道3 |( m/ T8 L' X. Y+ a# B3 m
    技术:MOSFET(金属氧化物)
    4 D8 Z, X- j! v' q: R25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):106A(Tc): o5 J3 O. i* `5 o5 Q' p
    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
    $ l( K, l3 E1 c+ x9 X+ y不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7 毫欧 @ 82A,10V
    + Y4 u9 Y& e( g0 {1 z不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA7 R0 @8 \+ `. O* w; v
    Vgs(最大值):±20V
    2 i1 Q* y4 ^- n6 j. X; r* W功率耗散(最大值):200W(Tc)3 a7 q/ b1 z; p, B( |* a0 B% O
    工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)% X' L5 c  U& n/ y# f( a
    安装类型:表面贴装型/ [/ `2 f* r: W
    供应商器件封装:D2PAK
    8 e: v8 i. a! R1 f封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
    2 B- d+ g: t2 W) H- l漏源电压(Vdss):75 V
    1 Q; e- d  `( Y9 @" `- A2 z. H, ^不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):220 nC @ 10 V: ^" j- F7 p% j; o( V- s
    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5310 pF @ 25 V
    % F5 K5 H& H0 [! ~5 ~( d! J5 d. w/ N$ {0 y! L- @8 Y
    应用领域:
    1 s1 Q+ x4 `; F2 w$ H8 n. v2 o高效同步整流+ ?. w; w5 P  Y
    开关电源5 X; y, u' S  N. j  Y
    不间断电源2 G2 t: @6 J4 e4 e
    高速电源开关# \7 C7 c& E$ i! i4 f
    升硬开关和高频电路
    : T5 x1 p: _, G) D5 E$ \0 z' Q5 E% j# d
    - w" ~# K$ |5 b/ {) r) d
    88W8787LA16CBJ2:
    ( V* [9 @, a: \) P+ D属性:
    ) B$ d/ s3 c( i: k: e7 l+ W" a产品种类:        射频片上系统 - SoC         
    3 F# {1 b+ H# ?4 D8 L封装:        Reel         % q0 R1 I  o$ d' {2 ~5 F
    系列:        88W8787         ! n' ?/ G! ]/ n( J
    技术:        Si         
    8 k, B1 M3 B/ z; |产品类型:        RF System on a Chip - SoC         
    ) m& J7 e4 l  j, w3 s3 ^! R- s工厂包装数量:        2000         ; M5 v+ f9 @: V* D7 s% ~; Q; G4 z
    子类别:        Wireless & RF Integrated Circuits
    ) A" ^# t  X; ]0 f1 m1 u7 X; L6 i9 J( L. P+ a3 ^
    % U% [. S% U/ S3 A; \0 y1 s
    有意者,欢迎咨询!: P! ], v2 l) e
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