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供应IRF3808STRLPBF/EN2210-BG2/88W8787LA16CBJ2芯片

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    : N. t9 a* ^  [! Z- o: [$ Z0 o
    4 z9 r- O0 d. U  S) b, T% zIRF3808STRLPBF:
    8 u6 J0 U# T5 w& F产品属性:
    ; c0 B3 q3 ^( t% }FET 类型:N 通道
    & l/ w1 z; S- i' J技术:MOSFET(金属氧化物)
    . Q; x3 n2 W: Z; ?4 A2 P) R, e25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):106A(Tc)
    ' ~- u% L/ d, ?* O$ g" V6 q7 ?驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
    $ K& |# \" l; J, ^" A不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7 毫欧 @ 82A,10V$ d4 u7 r# z) _* U+ |- R8 y
    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA  e* C. i+ b0 l3 g' M1 \* B/ P
    Vgs(最大值):±20V: I/ _. P+ W) P! O) p
    功率耗散(最大值):200W(Tc)- |! e& A  G, u
    工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)+ X! P- F9 i5 F6 l
    安装类型:表面贴装型
    7 o) r% d& O) n- {. q1 @" l供应商器件封装:D2PAK
      B3 N4 R' q2 F+ C0 S# p* x# j封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
    $ V& ~. V; d+ {; P1 [漏源电压(Vdss):75 V; J- e, }# H* ~. ^
    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):220 nC @ 10 V
    7 |4 U  O$ m/ ~7 n不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5310 pF @ 25 V
    : K' L/ a9 K4 [+ h) w; k( S
    $ l: z/ f  P, V, X' W  X% P* C应用领域:$ A( e" Q- d! V; Q8 @
    高效同步整流
    . S) G) X. w: z6 W" w开关电源5 O9 w7 W; @; _) G! r
    不间断电源/ i8 U7 T# _4 ~
    高速电源开关
    " E9 K  w0 t! w: L升硬开关和高频电路
    " q" b/ G/ V5 J0 ?- q0 [4 e
    + r( @, U' K" t5 D" f  O
    ; l1 P! a& ]. h0 H# A9 f- Z. Y88W8787LA16CBJ2:2 h2 D; i& K5 _
    属性:
    3 Z0 Y8 g1 ^" a4 \& {% l4 K( u产品种类:        射频片上系统 - SoC         2 k! u7 N$ u/ k! x7 ^7 v% Y# o& X5 z
    封装:        Reel         
    / e9 }/ r- M$ Z, A系列:        88W8787         , \/ i, A+ U) b
    技术:        Si         / {! o6 ~. O' v& G9 U% o3 h
    产品类型:        RF System on a Chip - SoC         
    ) c% c* V  f2 T: J工厂包装数量:        2000         & K, O$ B3 H! |
    子类别:        Wireless & RF Integrated Circuits% W5 e6 L0 _6 b) u' T% B
    : A5 k  Q7 G+ |' o
    ; x, x% K7 N, B" y- |
    有意者,欢迎咨询!" b: x# t/ V" Q" Z- c9 r8 X
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